Про порядок контролю за експортом, імпортом і транзитом окремих видів виробів, обладнання,матеріалів, програмного забезпечення і технологій, що можуть використовуватися для створення озброєння, військової чи спеціальної техніки

Втратив чинність Постанова · Кабінет Міністрів України · від 22 серпня 1996 р. · № 1005

Внесено до реєстру: 18 червня 1997 р.
Код у реєстрі: 1070/1997

Опубліковано: Офіційний вісник України від 29.10.2008, № 0, ст. 0

експорт імпорт транзит обладнання озброєння техніка військова

Зміст

I. Загальна частина
II. Порядок здійснення контролю за переміщенням товарів подвійного використання
III. Порядок експорту (реекспорту) з України товарів подвійного використання
IV. Порядок імпорту в Україну товарів подвійного використання
V. Порядок транзиту через територію України товарів подвійного використання
VI. Розділ VI виключено
VII. Розділ VII виключено
VIII. Розділ VIII виключено
IX. Розділ IX виключено
РОЗДІЛ 1
РОЗДІЛ 2
РОЗДІЛ 3
РОЗДІЛ 4
РОЗДІЛ 6
РОЗДІЛ 7
РОЗДІЛ 8
РОЗДІЛ 9
РОЗДІЛ 1
РОЗДІЛ 4
РОЗДІЛ 6
РОЗДІЛ 7
РОЗДІЛ 8
РОЗДІЛ 9

КАБІНЕТ МІНІСТРІВ УКРАЇНИ

ПОСТАНОВА

від 22 серпня 1996 р. N 1005

Київ

Про порядок контролю за експортом, імпортом і транзитом окремих видів виробів, обладнання, матеріалів, програмного забезпечення і технологій, що можуть використовуватися для створення озброєння, військової чи спеціальної техніки

Із змінами і доповненнями, внесеними

постановами Кабінету Міністрів України

від 10 квітня 1998 року N 482,

від 18 серпня 1998 року N 1320,

від 15 червня 1999 року N 1042,

від 7 жовтня 1999 року N 1856

(Дія Положення про порядок контролю за експортом, імпортом і транзитом окремих видів виробів, обладнання, матеріалів, програмного забезпечення і технологій, що можуть використовуватися для створення озброєння, військової чи спеціальної техніки, не поширюється на операції з імпорту та транзиту товарів, зазначених у підпункті 1.1.11 додатка до цього Положення, згідно з постановою Кабінету Міністрів України від 10 квітня 1998 року N 482)

(Вказівка на те, що дія Положення не поширюється на операції з імпорту та транзиту товарів, зазначених у підпункті 1.1.11 додатка до цього Положення, втратила чинність у зв'язку з втратою чинності постанови Кабінету Міністрів України від 10.04.98 р. N 482 згідно з постановою Кабінету Міністрів України від 18 серпня 1998 року N 1320)

З метою підвищення ефективності національної системи експортного контролю, а також залучення сучасних виробів, обладнання, матеріалів, програмного забезпечення і технологій, необхідних для подальшого розвитку економіки, Кабінет Міністрів України ПОСТАНОВЛЯЄ:

1. Затвердити Положення про порядок контролю за експортом, імпортом і транзитом окремих видів виробів, обладнання, матеріалів, програмного забезпечення і технологій, що можуть використовуватися для створення озброєння, військової чи спеціальної техніки (додається).

2. Державній службі експортного контролю забезпечити організацію контролю за експортом, імпортом і транзитом окремих видів виробів, обладнання, матеріалів, програмного забезпечення і технологій, що можуть використовуватися для створення озброєння, військової чи спеціальної техніки.

(пункт 2 із змінами, внесеними згідно з

постановами Кабінету Міністрів України

від 18.08.98 р. N 1320,

від 15.06.99 р. N 1042)

3. Визнати такими, що втратили чинність, розділи "Метали і мінерали", "Інші матеріали та комплектуючі", "Верстати та інше обробне устаткування", "Електротехнічне та енергетичне обладнання", "Спеціальне устаткування" та "Електроніка, електронні системи, вироби приладобудування" Переліку видів сировини, матеріалів, обладнання і технологій, які можуть використовуватися для створення зброї, військової і спеціальної техніки, вивезення яких за межі України може здійснюватися лише за спеціальним дозволом, затвердженого постановою Кабінету Міністрів України від 4 березня 1993 р. N 159 "Про перелік видів сировини, матеріалів, обладнання і технологій, вивезення яких за межі України може здійснюватися лише за спеціальним дозволом".

Прем'єр-міністр України

П. ЛАЗАРЕНКО

Інд. 30

ЗАТВЕРДЖЕНО

постановою Кабінету Міністрів України

від 22 серпня 1996 р. N 1005

ПОЛОЖЕННЯ

про порядок контролю за експортом, імпортом і транзитом

окремих видів виробів, обладнання, матеріалів, програмного

забезпечення і технологій, що можуть використовуватися

для створення озброєння, військової чи спеціальної техніки

I. Загальна частина

(У тексті Положення слова "Комісія" та "Комітет" в усіх відмінках замінено словом "Держекспортконтроль" у відповідному відмінку згідно з постановою Кабінету Міністрів України від 18 серпня 1998 року N 1320)

1. Загальний порядок здійснення державного контролю за міжнародними передачами товарів подвійного використання встановлено Положенням про державний експортний контроль в Україні, затвердженим Указом Президента України від 13 лютого 1998 р. N 117.

Це Положення визначає особливості державного контролю за міжнародними передачами товарів подвійного використання незалежно від умов поставки, характеру угод, митного режиму та інших особливостей переміщення цих

товарів.

(пункт 1 в редакції постанови Кабінету

Міністрів України від 18.08.98 р. N 1320)

2. Для цілей цього Положення терміни "товари", "товари подвійного використання", "міжнародні передачі товарів", "експорт", "реекспорт" "імпорт", "транзит" та інші вживаються у значеннях, наведених у Положенні про державний експортний контроль в Україні, затвердженому Указом Президента України від 13 лютого 1998 р. N 117, із змінами і доповненнями, внесеними Указом Президента України від 26 березня 1999 р. N 283.

(пункт 2 в редакції постанов Кабінету

Міністрів України від 18.08.98 р. N 1320,

від 15.06.99 р. N 1042)

3. Дія цього Положення поширюється на всі суб'єкти підприємницької діяльності, що здійснюють будь-які види зовнішньоекономічної діяльності з товарами подвійного використання, включаючи зовнішню торгівлю, науково-технічне співробітництво, спеціалізацію та кооперацію у галузі виробництва, науки і техніки, демонстрацію експонатів на міжнародних виставках та ярмарках, прибережну і прикордонну торгівлю, операції обміну, виконання робіт, надання послуг тощо.

4. Товари, міжнародні передачі яких контролюються згідно з цим Положенням, перелічено у Списку товарів подвійного використання (далі - Список), що додається.

Відомості про експорт та імпорт окремих категорій товарів подаються Держекспортконтролем через МЗС міжнародним організаціям, членом яких є Україна, в установленому порядку, терміни і формах.

(абзац другий пункту 4 в редакції постанови

Кабінету Міністрів України від 15.06.99 р. N 1042)

Абзац третій пункту 4 виключено

(згідно з постановою Кабінету

Міністрів України від 15.06.99 р. N 1042)

Коди товарів за ТН ЗЕД наводяться у Списку довідково. Головною ознакою для прийняття рішення щодо необхідності отримання дозволу (висновку) Держекспортконтролю є відповідність заявленого до митного оформлення товару найменуванню та опису відповідного товару, наведеного у Списку.

(пункт 4 в редакції постанови Кабінету

Міністрів України від 18.08.98 р. N 1320)

5. Експорт товарів подвійного використання, що містять відомості, які становлять державну таємницю, здійснюється відповідно до законодавства з питань охорони державної таємниці.

Укладання суб'єктами підприємницької діяльності України договорів (контрактів) щодо експорту, участі у міжнародних виставках, розповсюдження рекламних проспектів зазначених товарів здійснюється суб'єктами підприємницької діяльності за дозволом Держекспортконтролю.

Під час укладення суб'єктами зовнішньоекономічної діяльності зовнішньоекономічних договорів (контрактів) про здійснення експорту технологій, у тому числі як результатів відповідних науково-дослідних, дослідно-конструкторських та інших видів робіт, до їх змісту в обов'язковому порядку вносяться положення про охорону прав інтелектуальної власності експортера або положення, що визначають обсяги і порядок переходу права цієї власності до іншої особи.

(пункт 5 доповнено абзацом третім згідно з постановою

Кабінету Міністрів України від 15.06.99 р. N 1042)

6. Переговори, пов'язані з укладенням зовнішньоекономічних договорів (контрактів) про здійснення міжнародних передач товарів подвійного використання до держав, щодо яких встановлені обмеження на поставки таких товарів, а також подання Держекспортконтролю звіту про їх підсумки здійснюються суб'єктами зовнішньоекономічної діяльності відповідно до Положення про порядок державного контролю за проведенням переговорів, пов'язаних з укладенням зовнішньоекономічних договорів (контрактів) про здійснення міжнародних передач товарів військового призначення та подвійного використання, затвердженого постановою Кабінету Міністрів України від 4 лютого 1998 р. N 125 (Офіційний вісник України, 1998 р, N 5, ст. 184, N 22, ст. 810).

(пункт 6 в редакції постанови Кабінету

Міністрів України від 15.06.99 р. N 1042)

II. Порядок здійснення контролю за переміщенням товарів подвійного використання

7. Контроль за переміщенням товарів подвійного використання передбачає:

реєстрацію суб'єктів підприємницької діяльності Держекспортконтролем;

(абзац другий пункту 7 в редакції

постанови

Кабінету Міністрів України від 18.08.98 р. N 1320)

надання дозволу (позитивного висновку) Держекспортконтролем на здійснення експорту (реекспорту), імпорту та інших операцій з товарами;

(абзац третій пункту 7 із змінами, внесеними згідно із

постановою Кабінету Міністрів України від 15.06.99 р. N 1042)

декларування та митне оформлення товарів;

отримання (надання) у разі потреби відповідних гарантій щодо кінцевого призначення та місця їх використання;

здійснення контролю за їх використанням споживачами і у разі потреби проведення перевірок на місцях заявленого використання або перебування цих товарів;

відповідальність за порушення встановленого порядку здійснення операцій з товарами.

8. Реєстрація суб'єктів підприємницької діяльності, які планують здійснювати міжнародні передачі товарів, проводиться у порядку, встановленому Держекспортконтролем.

(пункт 8 в редакції постанови Кабінету

Міністрів України від 18.08.98 р. N 1320)

9. Експорт товарів подвійного використання та імпорт окремих видів цих товарів здійснюються суб'єктами підприємницької діяльності на підставі дозволів Держекспортконтролю.

(абзац перший пункту 9 в редакції постанови

Кабінету Міністрів України від 15.06.99 р. N 1042)

Абзац другий пункту 9 виключено

(згідно з постановою Кабінету

Міністрів України від 15.06.99 р. N 1042)

Абзац третій пункту 9 виключено

(згідно з постановою Кабінету

Міністрів України від 15.06.99 р. N 1042)

Абзац четвертий пункту 9 виключено

(згідно з постановою Кабінету

Міністрів України від 15.06.99 р. N 1042)

Дозвіл Держекспортконтролю на право здійснення експорту будь-якого виробу чи обладнання, передбаченого Списком, надає право на передачу тому самому імпортеру (кінцевому споживачеві) комплекту технічної документації (технічних даних), необхідної для налагодження, експлуатації та використання цього виробу за цільовим призначенням в обсягах, визначених цим дозволом.

(пункт 9 доповнено абзацом згідно з постановою

Кабінету Міністрів України від 15.06.99 р. N 1042)

10. Товари подвійного використання підлягають обов'язковому декларуванню та пред'явленню для митного оформлення митним установам.

(абзац перший пункту 10 із змінами, внесеними

згідно з постановою Кабінету Міністрів України

від 15.06.99 р. N 1042)

Абзац другий пункту 10 виключено

(згідно з постановою Кабінету

Міністрів України від 15.06.99 р. N 1042)

11. Пункт 11 виключено

(згідно з постановою Кабінету

Міністрів України від 15.06.99 р. N 1042)

12. Процедура отримання (надання) відповідних гарантій щодо кінцевого призначення та місця використання товарів подвійного використання передбачає надання імпортером експортеру:

достовірних відомостей про кінцевого споживача, кінцеве призначення та місце використання зазначених у договорі (контракті) товарів;

зобов'язань імпортувати товари тільки до заявленої країни призначення, а якщо вони не будуть імпортовані до неї, то не передавати їх до іншого місця призначення;

зобов'язань не реекспортувати імпортовані товари до третіх країн без дозволу органів експортного контролю країни-імпортера (призначення).

Необхідні зобов'язання (гарантії) можуть бути надані у вигляді імпортного сертифіката, сертифіката кінцевого споживача чи іншого документа, що містить їх.

Порядок оформлення цих документів визначається законодавством країни-імпортера (призначення).

Відомості про зобов'язання (гарантії), зазначені в цьому пункті, в окремих випадках за рішенням Держекспортконтролю, можуть не вноситися до зовнішньоекономічного договору (контракту), а імпортний сертифікат або його аналог може не надаватися в разі експорту товарів до країн, які є членами міжнародного режиму експортного контролю "Вассенаарська домовленість".

(пункт 12 доповнено абзацом згідно з постановою

Кабінету Міністрів України від 18.08.98 р. N 1320)

13. Сертифікат кінцевого споживача оформляється кінцевим споживачем товару, як правило, за встановленою формою і містить, як мінімум, відомості про:

реєстраційний номер та дату видачі;

споживача товару (повна назва, адреса, сфера діяльності);

експортера

товару (повна назва, адреса);

найменування і повний опис товару із зазначенням коду за ТН ЗЕД;

кількість товару та його одиницю виміру;

місце установки та/або використання товару;

кінцеве призначення товару,

а також гарантії про те, що товар буде використано виключно із заявленою метою і не буде передаватися в інші місця використання без письмової згоди на це органу експортного контролю країни призначення.

Сертифікат підписується керівником і скріплюється печаткою підприємства, установи, організації, що його видала.

14. Імпортний сертифікат (або його аналог) оформляється імпортером в уповноваженому на це органі країни-імпортера (призначення) і містить, як правило, відомості про:

реєстраційний номер та дату видачі;

імпортера (повна назва, адреса);

експортера (повна назва, адреса);

найменування і повний опис товару із зазначенням коду за ТН ЗЕД;

кількість товару та його одиницю виміру;

а також гарантії про те, що зобов'язання, які прийняв на себе імпортер стосовно країни призначення та нереекспорту товару в треті країни, перебуватимуть під його контролем і у разі потреби сертифікат підтвердження доставки буде надано органам експортного контролю країни-експортера;

Сертифікат підписується керівником і скріплюється печаткою органу державної влади, що його видав.

15. Якщо імпортером і кінцевим споживачем є одна юридична особа, сертифікат кінцевого споживача може не оформлятися, а його положення можуть бути включені імпортером до тексту договору (контракту).

16. У разі коли імпортер не є суб'єктом підприємницької діяльності країни призначення, експортер повинен отримати від нього документи, що підтверджують:

зобов'язання імпортера про те, що імпортований товар буде використано виключно із заявленою метою і не буде копіюватися, видозмінюватися, модернізуватися, а також передаватися чи реекспортуватися іншому споживачу без письмової згоди на це органів експортного контролю країни-експортера;

гарантії державного органу країни-імпортера, який має на це відповідні повноваження, що виконання зобов'язань стосовно кінцевого призначення, місця використання та вжиття заходів щодо запобігання несанкціонованому реекспорту, які прийняв на себе імпортер, перебуватиме під його контролем і право перевірки їх виконання може бути надано представникам країни-експортера за участю компетентних органів країни-імпортера.

17. Порядок здійснення контролю за використанням експортованих (імпортованих) товарів подвійного використання кінцевими споживачами та проведення перевірок на місцях використання або перебування таких товарів установлюється відповідним Положенням, що затверджується Кабінетом Міністрів України.

18. Відповідальність за збір інформації щодо надійності імпортера, наявність у нього відповідних повноважень, отримання достовірних відомостей про кінцевого споживача, кінцеве призначення і місце використання товару, що експортується, а також отримання оригіналів сертифіката кінцевого споживача, імпортного сертифіката, а у разі потреби й інших документів, які дають змогу отримати необхідні зобов'язання (гарантії) та однозначно визначити кінцевого споживача, мету і місце використання товару, несе експортер у порядку, встановленому законодавством України.

III. Порядок експорту (реекспорту) з України товарів подвійного використання

19. Експорт (реекспорт) з України зазначених у Списку товарів здійснюється суб'єктами підприємницької діяльності (далі - експортерами) за умови одержання разового або генерального дозволу Держекспортконтролю, а у випадках, передбачених пунктом 29 цього Положення, за висновком Держекспортконтролю.

20. Пункт 20 виключено

(згідно з постановою Кабінету

Міністрів України від 15.06.99 р. N 1042)

21. Для одержання дозволу експортер надсилає Держекспортконтролю лист із стислим викладенням підстави та мети звернення, до якого додає:

(абзац перший пункту 21 із змінами, внесеними згідно з

постановою Кабінету Міністрів України від 15.06.99 р. N 1042)

заяву на одержання дозволу за типовою формою, що затверджується Держекспортконтролем;

абзац третій пункту 21

виключено

(згідно з постановою Кабінету

Міністрів України від 15.06.99 р. N 1042)

завірену в установленому порядку копію зовнішньоекономічного договору (контракту) на експорт (реекспорт) зазначених у заяві товарів до країни призначення (включаючи завірену копію договору комісії, доручення тощо, якщо експортером є організація-посередник);

абзац п'ятий пункту 21 виключено

(згідно з постановою Кабінету

Міністрів України від 15.06.99 р. N 1042)

оригінали документів, які встановлюють зобов'язання та гарантії імпортера (кінцевого споживача) товару стосовно кінцевого призначення та місця його використання;

довідки, які містять повне найменування, стислий опис, відомості про призначення (із зазначенням кінцевого комплексу чи виробу, основну та можливу сферу використання, а також комплектність (варіанти) поставки кожного об'єкта, що експортується (для матеріалів - сертифікат якості).

22. У разі потреби за рішенням Держекспортконтролю оформлюються висновки відповідних органів державної виконавчої влади стосовно можливості та умов здійснення експорту. Експортер має право попередньо узгодити умови експорту з відповідним міністерством чи відомством.

23. Пункт 23 виключено

(пункт 23 із змінами, внесеними згідно з постановою

Кабінету Міністрів України від 18.08.98 р. N 1320,

виключено згідно з постановою Кабінету

Міністрів України від 15.06.99 р. N 1042)

24. Експортери, укладаючи договори (контракти) на експорт товарів, включених до Списку, обов'язково зазначають кінцевого споживача, кінцеве призначення та місце використання товарів, а також зобов'язання (гарантії) імпортера, що ці товари будуть передані тільки заявленому кінцевому споживачеві без копіювання, видозмінення чи модернізації та не будуть передаватися (реекспортуватися) іншому споживачеві без письмової згоди на це експортера та органів експортного контролю України.

25. Експортер зобов'язаний оформлювати міжнародні договори (контракти) відповідно до вимог законодавства України та міжнародних правил торгівлі, а також зазначати у них:

згоду імпортера, якщо він є кінцевим споживачем, на право експортера здійснювати у разі потреби перевірку (за участю компетентних органів України та країни-імпортера) використання експортованих товарів відповідно до заявленої мети і місця;

те, що договір (контракт) набуває чинності після отримання експортером (імпортером) необхідних дозволів (ліцензій) відповідних органів експортного контролю.

26. Пункт 26 виключено

(згідно з постановою Кабінету

Міністрів України від 15.06.99 р. N 1042)

27. До заяви на отримання дозволу на експорт програмного забезпечення і технологій, крім документів, передбачених пунктом 21 цього Положення, додаються два примірники анотованого викладу програмного забезпечення і технологій та документи, які підтверджують факт відсутності чи наявності у їх змісті відомостей, що становлять державну таємницю. Ці документи оформляються згідно з вимогами законодавства України і подаються у двох примірниках.

(пункт 27 із змінами, внесеними згідно з постановою

Кабінету Міністрів України від 15.06.99 р. N 1042)

28. Реекспорт товарів, включених до Списку, здійснюється згідно з порядком, передбаченим цим Положенням для експорту таких товарів. При цьому, крім зазначених, експортером подаються документи, які підтверджують відсутність обмежень на реекспорт з боку постачальника (країни-експортера) цих товарів в Україну.

29. Для отримання дозволу на тимчасове вивезення (пересилання) товарів з метою демонстрування (реклами) на виставках, ярмарках, проведення випробувань, сертифікації, виконання ремонту тощо, яке не передбачає переходу права власності, експортер надсилає Держекспортконтролю лист із стислим викладенням підстави та мети звернення, до якого додає:

запрошення організаторів виставки (ярмарку) із зазначенням відомостей про її найменування, місце і термін експонування товарів або договір (контракт) на проведення робіт з випробування, сертифікації тощо;

зобов'язання (гарантії) імпортера (кінцевого споживача) щодо повернення експонатів у визначений термін без змін їх кількісних та якісних

характеристик;

документ, що містить повний опис товару та його код за ТН ЗЕД;

документ, що підтверджує заставну вартість товару.

30. Тимчасове вивезення товарів за угодами, які передбачають перехід права власності, здійснюється на підставі дозволу Держекспортконтролю.

31. Усі документи, що подаються Держекспортконтролю, мають бути складені державною мовою. До документів, складених іноземною мовою, обов'язково додаються їх офіційні переклади.

IV. Порядок імпорту в Україну товарів подвійного використання

32. Ввезення на митну територію України товарів, включених до Списку, за винятком тих, які позначені зірочкою (*), здійснюється без дозволу Держекспортконтролю в порядку, встановленому законодавством України.

Ввезення товарів, які у Списку позначені зірочкою, здійснюється на підставі генерального або разового дозволу Держекспортконтролю, а у випадках, передбачених пунктом 37 цього Положення, за висновком Держекспортконтролю.

33. Для одержання дозволу на ввезення товару імпортер надсилає Держекспортконтролю лист із стислим викладенням підстави та мети звернення, до якого додає:

заяву на одержання дозволу за типовою формою, що затверджується Держекспортконтролем;

абзац третій пункту 33 виключено

(згідно з постановою Кабінету

Міністрів України від 15.06.99 р. N 1042)

завірену в установленому порядку копію зовнішньоекономічного договору (контракту) на передачу товарів, що імпортуються, українському імпортеру (якщо він є кінцевим споживачем);

завірену копію договору комісії, доручення, якщо імпортером є організація-посередник;

абзац шостий пункту 33 виключено

(згідно з постановою Кабінету

Міністрів України від 15.06.99 р. N 1042)

сертифікат кінцевого споживача товару, оформлений українським споживачем за встановленою формою;

завірені копії ліцензій, наданих імпортеру (кінцевому споживачеві) на право займатися відповідною діяльністю, пов'язаною із заявленими до імпорту товарами, а саме: придбанням, розробленням, виробництвом, використанням або реалізацією, якщо така діяльність підлягає ліцензуванню;

довідки, які містять повне найменування, стислий опис, відомості про призначення (із зазначенням кінцевого комплексу чи виробу), основну та можливу сферу використання, а також комплектність (варіанти) поставки, основні тактико-технічні характеристики кожного об'єкта, що імпортується (для матеріалів - сертифікат якості).

34. Погодження з відповідними органами державної влади умов імпорту (включаючи тимчасове ввезення) та використання (реалізації) зазначених у заяві товарів здійснюється у разі потреби за рішенням Держекспортконтролю. Імпортер має право попередньо узгодити умови імпорту та/або використання (реалізації) товарів, що імпортуються, з відповідними міністерствами чи відомствами.

35. Якщо імпортер подає заяву про отримання генерального дозволу, замість копій договорів (контрактів) може подаватися їх перелік або план імпорту чи витяг з переліку продукції, що поставлятиметься відповідно до міжнародних договорів України, з обов'язковим зазначенням повного опису товару, його коду за ТН ЗЕД, одиниці виміру, кількості.

36. На запит іноземного експортера гарантії Уряду України щодо вжиття заходів до запобігання несанкціонованому реекспорту надаються Держекспортконтролем і оформляються у вигляді імпортного сертифіката України або іншого документа, який містить необхідні гарантії (зобов'язання).

(пункт 36 із змінами, внесеними згідно з постановою

Кабінету Міністрів України від 18.08.98 р. N 1320)

37. Для отримання дозволу на тимчасове ввезення товарів за характером угод, які не передбачають переходу права власності (демонстрування (реклама) на виставках, ярмарках або проведення випробувань, виконання ремонту тощо), імпортер надсилає Держекспортконтролю лист із стислим викладенням підстави та мети звернення, до якого додає:

завірені копії ліцензій, наданих імпортеру (кінцевому

споживачеві) на право займатися відповідною діяльністю, пов'язаною із заявленими до імпорту товарами, а саме: придбанням, розробленням, виробництвом, використанням або реалізацією, якщо така діяльність підлягає ліцензуванню;

погоджені з відповідним органом державної виконавчої влади умови тимчасового використання зазначених у заяві товарів;

документ, що містить повне найменування та стислий опис товару із зазначенням коду за ТН ЗЕД.

38. Тимчасове ввезення товарів за характером угод, які передбачають перехід права власності (купівля-продаж, обмін тощо), здійснюється на підставі дозволу Держекспортконтролю.

V. Порядок транзиту через територію України товарів подвійного використання

39. Транзит іноземних товарів через територію України здійснюється без дозволу Держекспортконтролю у загальному порядку, встановленому законодавством.

(пункт 39 в редакції постанови Кабінету

Міністрів України від 15.06.99 р. N 1042)

40. Пункт 40 виключено

(пункт 40 із змінами, внесеними згідно з постановою

Кабінету Міністрів України від 18.08.98 р. N 1320,

виключено згідно з постановою Кабінету

Міністрів України від 15.06.99 р. N 1042)

VI. Розділ VI виключено

(згідно з постановою Кабінету

Міністрів України від 15.06.99 р. N 1042)

VII. Розділ VII виключено

(згідно з постановою Кабінету

Міністрів України від 15.06.99 р. N 1042)

VIII. Розділ VIII виключено

(згідно з постановою Кабінету

Міністрів України від 15.06.99 р. N 1042)

IX. Розділ IX виключено

(згідно з постановою Кабінету

Міністрів України від 15.06.99 р. N 1042)

Додаток

до Положення про порядок контролю

за експортом, імпортом і транзитом

окремих видів виробів, обладнання,

матеріалів, програмного забезпечення

і технологій, що можуть використовуватися

для створення озброєння, військової

чи спеціальної техніки, затвердженого

постановою Кабінету Міністрів України

від 22 серпня 1996 р. N 1005

(в редакції постанови

Кабінету Міністрів України

від 18 серпня 1998 р. N 1320)

СПИСОК

товарів подвійного використання

*                  Розділ 1. ПЕРСПЕКТИВНІ МАТЕРІАЛИ              *
******************************************************************
*   Номер   *         Найменування продукції        * Код товару *
*   пункту  *                                       * за ТН ЗЕД  *

1. ПЕРСПЕКТИВНІ МАТЕРІАЛИ

1.A. СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І КОМПОНЕНТИ

1.A.1. Компоненти, наведені нижче, вироблені

[1A001] із сполук, що містять фтор:

 1.A.1.a.    Ущільнення,  прокладки,   ущільнювальні 391990900
             матеріали  або   трубчаті   ущільнення,

спеціально призначені для "літальних

             апаратів"   чи   для   використання   в

аерокосмічній техніці та виготовлені

більше ніж на 50 вагових відсотків з

             матеріалу,   зазначеного   у    пунктах

1.C.9.b або 1.C.9.c;

Примітки 1. Коди товарів за ТН ЗЕД наводяться у

Списку довідково. Головною ознакою для

             прийняття   рішення   є   відповідність

заявленого до митного оформлення товару

             найменуванню  та   опису   відповідному

товару, що наведено у цьому Списку.

2. У пункті 1.A.1. та далі за текстом

             Списку  у  графі  "номер   пункту"   (в
             квадратних  дужках)   наводяться   коди

товарів за системою їх класифікації

державами-учасницями Європейського

Союзу.

1.A.1.b. П'єзоелектричні полімери та сополімери, 392190900

виготовлені з фтористих матеріалів,

зазначених у пункті 1.C.9.a:

1. У формі плівки або листа; та

2. Завтовшки понад 200 мкм;

1.A.1.c. Ущільнення, прокладки, гнізда клапанів, 391990900

трубчаті ущільнення

чи діафрагми,

             виготовлені  з   фтороластомірів,   які
             містять   щонайменше   один   вініловий

мономер і спеціально призначені для

             "літальних     апаратів"     чи     для
             використання   в   аерокосмічній    або

ракетній техніці;

1.A.2. "Композиційні" структури або ламінати

[1A002] (шаруваті матеріали), які містять у

собі будь-що з наведеного нижче:

 1.A.2.a.    Органічну  "матрицю"  і   вироблені   з 392690100

матеріалів, що підлягають контролю за

             пунктами     1.C.10.c,     1.C.10.d  чи

1.C.10.e; або

 Примітка    За   пунктом   1.A.2.a    контролю   не
             підлягають   завершені    вироби    або

напівфабрикати, спеціально призначені

тільки для наведеного нижче цивільного

використання:

1. У спортивних товарах;

2. В автомобільній промисловості;

3. У верстатобудівній промисловості;

4. У медичних цілях.

 1.A.2.b.    Металеву  або  вуглецеву  "матрицю"   і

виготовлені з:

             1.    Вуглецевих    "волокнистих    або   з 3801

нитковидних матеріалів" з:

а. Питомим модулем пружності понад 392690100

10,15 х 10 в ступ. 6 м; та

b. Питомою межею міцності при розтягові 690310000

понад 17,7 х 10 в ступ. 4 м або

2. Матеріалів, що підлягають контролю 392690100

за пунктом 1.C.10.c. 810192000

810890300

810890700

 Примітка    За   пунктом   1.A.2.b.   контролю   не
             підлягають   завершені    вироби    або

напівфабрикати, спеціально призначені

тільки для наведеного нижче цивільного

використання:

1. У спортивних товарах;

2. В автомобільній промисловості;

3. У верстатобудівній промисловості;

4. У медичних цілях.

Технічна Питомий модуль пружності: модуль Юнга,

примітка виражений в паскалях або в Н/кв. м,

поділений на питому вагу в Н/куб. м

виміряні при температурі (296 +- 2) К

[(23 +- 2) град. С] та відносній

вологості (50 +- 5) відсотків.

Технічна Питома межа міцності при розтягові:

примітка найбільша межа міцності до розриву,

виражена в паскалях або в Н/кв. м

поділена на питому вагу в Н/куб. м,

виміряні при температурі (296 +- 2) К

[(23 +- 2) град. С] та відносній

вологості (50 +- 5) відсотків.

 Примітка    За   пунктом   1.A.2     контролю    не

підлягають композиційні структури або

             шаруваті   матеріали,   виготовлені   з
             епоксидної     смоли,     імпрегнованої
             "волокнистими     або      нитковидними

матеріалами" для ремонту авіаційних

конструкцій або шаруваті матеріали,

якщо їх розмір не перевищує 1 кв.

метр.

1.A.3. Вироби з полімерних речовин, що не 391990900

[1A003] містять фториди і підлягають контролю 392099900

             за  пунктом   1.C.8.a.3,    у   вигляді

плівки, листа, стрічки або смужки:

1.A.3.a. Завтовшки понад 0,254 мм; або

 1.A.3.b.    Покриті   чи    ламіновані    вуглецем,
             графітом,   металами   або   магнітними

речовинами.

 Примітка    За   пунктом   1.A.3     контролю    не
             підлягають    вироби,    покриті    або
             ламіновані  міддю  і   призначені   для
             виробництва   електронних    друкованих

плат.

1.A.4. Обладнання для захисту та виявлення і

[1A004] їх частини, наведені нижче, спеціально

не

призначені    для     військового

використання:

 1.A.4.a.    Газові  маски,  коробки  протигазів   з 902000900
             фільтрами     та     обладнання     для 903300000

знезараження і їх частини, призначені

             або  модифіковані   для   захисту   від

біологічних факторів чи радіоактивних

             матеріалів,     "пристосованих      для
             військового  використання",   або   від

бойових хімічних речовин;

1.A.4.b. Захисні костюми, рукавиці та взуття, 621020000

спеціально призначені або модифіковані 621030000

для захисту від біологічних факторів чи з 640590

радіоактивних матеріалів,

             "пристосованих     для      військового

використання" або для бойових хімічних

речовин;

1 A.4.c. Ядерні, біологічні та хімічні системи з 9027

виявлення і їх частини, спеціально 903010900

             призначені   або    модифіковані    для 903300000

виявлення або ідентифікації біологічних

факторів чи радіоактивних матеріалів,

             "пристосованих     для      військового

використання" або для бойових хімічних

речовин.

 Примітка    За  пунктом    1.A.4     контролю    не

підлягають:

а. Особисті радіаційні моніторингові

дозиметри;

b. Обладнання, обмежене конструктивним

або функціональним призначенням для

             захисту    від    токсичних    речовин,
             специфічних        для        цивільної

промисловості, такої як гірнича справа,

роботи у кар'єрах,

сільськогосподарська, фармацевтична,

             медична,    ветеринарна     діяльність,

харчова промисловість, а також робіт,

пов'язаних із захистом навколишнього

природного середовища та переробкою

відходів.

 1.A.5.      Засоби  захисту   тіла   і   спеціально 620429900
 [1А005]     призначені    для    них    компоненти,
             виготовлені    не    за     військовими

стандартами або специфікаціями і не

             рівноцінні     їм     у      виконанні.
 Примітки    1.  За  пунктом  1.A.5    контролю   не

підлягають індивідуальні бронежилети та

приладдя до них, коли вони знаходяться

у власності їх користувачів з метою

його/її персонального захисту.

             2.  За  пунктом  1.A.5    контролю   не
             підлягають   засоби    захисту    тіла,
             призначені  тільки   для   забезпечення

фронтального захисту як від уламків,

так і від вибуху невійськових вибухових

пристроїв.

1.B. ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, КОНТРОЛЮ

І ВИРОБНИЦТВА

 1.B.1.      Обладнання  для  виробництва   волокон,

[1В001] препрегів, преформ або "композиційних"

матеріалів чи виробів, що підлягають

             контролю   за   пунктами   1.A.2    або

1.C.10, наведені нижче, і спеціально

             призначені   компоненти   до   них   та

допоміжні пристрої:

1.B.1.a. Машини для намотування волокон, в яких 844630000

переміщення, пов'язані с позиціюванням, з 8448

обволіканням та намотуванням волокон,

координуються і програмуються за трьома

             або   більше   осями    і    спеціально
             призначені       для        виробництва
             "композиційних"     матеріалів      або
             ламінатів    з     "волокнистих     або

нитковидних матеріалів";

 1.B.1.b.    Машини  для  намотування  стрічки   або 844630000

троса, в яких переміщення, що пов'язані з 8448

з позиціюванням і намотуванням стрічки,

троса або

рулону,   координуються   і
             програмуються  за  двома   або   більше

осями, і спеціально призначені для

виробництва елементів корпусів бойових

             ракет    або    каркасу    літаків    з

"композиційних" матеріалів;

 1.B.1.c.    Ткацькі   машини   або   машини    для  844621000

плетіння, що діють в різних вимірах і з 8448

             напрямках,   включаючи   адаптери    та
             пристрої  для  зміни   функцій   машин,
             призначених     для     ткацтва     або
             переплетення    волокон     з     метою

виготовлення "композиційних"

матеріалів;

 Примітка    За   пунктом   1.B.1.c    контролю   не
             підлягають  ткацькі  машини,   які   не

модифіковані для зазначеного кінцевого

використання.

1.B.1.d. Обладнання, наведене нижче, спеціально

             призначене   або    пристосоване    для

виробництва зміцнених волокон:

             1.  Обладнання     для     перетворення 845610000
                 полімерних   волокон,   таких    як 845690000

поліакрилонітрил, віскоза, пек або з 8466

полікарбосилан, у вуглецеві або 851580900

карбідкремнієві волокна, включаючи 851590000

спеціальне обладнання для зміцнення

волокон в процесі нагрівання;

             2.  Обладнання  для   осадження   парів 841780900

хімічних елементів або складних 841790000

                 речовин   на   нагріту   нитковидну
                 підкладку   з   метою   виробництва

карбідокремнієвих волокон;

             3.  Обладнання     для      виробництва 844590000
                 термостійкої    кераміки    методом
                 вологого  намотування   (такої   як

оксид алюмінію);

4. Обладнання для перетворення шляхом 845180900

термооброблення волокон 845190000

                 алюмініймістких    прекурсорів    у
                 волокна,   які   містять   глинозем

(оксид алюмінію);

1.B.1.e. Обладнання для виробництва препрегів, з 8451

які підлягають контролю за пунктом з 8477

1.C.10.e, методом гарячого плавлення;

1.B.1.f. Обладнання для неруйнівного контролю, 902219000

здатне виявляти дефекти в трьох вимірах 902229000

із застосуванням методів ультразвукової 902290000

             або     рентгенівської      томографії, 903180390

спеціально створене для "композиційних" 903180990

матеріалів. 903190900

 1.B.2.      Системи   і   компоненти,    спеціально

[1В002] призначені для запобігання забрудненню

і для виробництва металевих сплавів,

порошкоподібних металевих сплавів або

             матеріалів  на  основі   сплавів,   які
             підлягають   контролю    за    пунктами

1.C.2.a.2, 1.C.2.b або 1.C.2.c.

1.B.3. Робочі інструменти, прес-форми, форми 820730100

 [1В003]     або   приладдя   для    "надпластичного
             формування"      або       "дифузійного

зварювання" титану або алюмінію, або їх

             сплавів,  спеціально   призначені   для

виробництва:

 1.B.3.a.    Каркасів  літаків   або   аерокосмічних

конструкцій;

 1.B.3.b.    Двигунів   "літальних   апаратів"   або

аерокосмічних апаратів; або

1.D.3.c. Компонентів, спеціально призначених для

таких конструкцій або двигунів.

1.C. МАТЕРІАЛИ

Технічна Метали та сплави

примітка Терміни "метали" і "сплави" охоплюють

             наведені    нижче     необроблені     і

напівфабрикатні форми:

Необроблені форми

аноди, кулі, стрічки (включаючи рублені

та    дротяні    стрічки),     металеві

заготовки, блоки, сталеві болванки,

             брикети,  бруски,   катоди,   кристали,

куби, стакани, зерна, гранули, зливки,

             глиби,   обкатиші,   чушки,    порошок,

кільця, дріб, сляби, шматки металу

неправильної форми, губка, прути;

Напівфабрикатні форми (незалежно від

             того,   чи   облицьовані,    анодовані,

просвердлені або пресовані вони, чи

ні):

                 а.  Ковані  форми   або   оброблені

матеріали, виготовлені шляхом прокату,

             волочіння,     пресування,      гарячої

штамповки, ковки, імпульсні штамповки,

пресування, дроблення, розпилення і

розмелювання, а саме: кутники, швелери,

кільця, диски, пил, пластівці, фольга

             та  лист,  поковки,   плити,   порошок,
             вироби,  оброблені   пресуванням    або

штампуванням, стрічки, фланці, прути

             (включаючи  зварні   брускові   прутки,

дротяні прути та прокатаний дріт),

профілі, форми, листи, смужки, труби і

трубки (включаючи трубні кільця, трубні

             прямокутники  та   пустотілі   трубки),

витягнений або екструдований дріт;

b. Ливарний матеріал, виготовлений

шляхом лиття в пісково-глиністі форми,

кокіль, металеві, пластикові або інші

види прес-форм, включаючи лиття під

високим тиском, оболонкові форми та

форми, виготовлені методом порошкової

металургії.

Примітка Мета контролю не повинна порушуватися

під час експорту форм, які видаються за

закінчені вироби, не зазначені у цьому

             Списку,    але    які    насправді    є
             необробленими   або   напівфабрикатними

формами, що підлягають контролю.

1.C.1. Матеріали, наведені нижче, спеціально

 [1С001]     призначені        для        поглинання
             електромагнітних       хвиль,       або

електропровідні полімери:

 1.C.1.a.    Матеріали  для  поглинання   хвиль   на 381519000

частотах понад 2х10 в ступ. 8 Гц, але 391000000

менших ніж 3х10 в ступ. 12 Гц;

 Примітка    За   пунктом   1.C.1.a.   контролю   не

підлягають:

             а.  Абсорбери     волосяного      типу,
                 виготовлені   з   натуральних   або

синтетичних волокон, з немагнітним

завантаженням для абсорбції;

b. Абсорбери, що не мають магнітних

втрат, робоча поверхня яких не є

                 плоскою,    включаючи     піраміди,
                 конуси,   клини   та   спіралевидні

поверхні;

с. Плоскі абсорбери, які мають усі

наведені нижче характеристики:

               1. Виготовлені    з   будь-якого    з

наведених нижче матеріалів:

а. Пінопластичних матеріалів

                     (гнучких   або   негнучких)   з
                     вуглецевим   наповненням    або

органічних матеріалів,

включаючи в'язкі домішки, що

забезпечують коефіцієнт

відбиття понад 5 відсотків

порівняно з металом в діапазоні

хвиль, які відрізняються від

                     середньої   частоти    падаючої

енергії понад +- 15 відсотків,

                     і   не    здатні    протистояти

температурам понад 450 К (177

град. С); або

                  b. Керамічних   матеріалів,    які

забезпечують понад 20 відсотків

відбиття порівняно з металами в

діапазоні   +-   15   відсотків
                     середньої   частоти    падаючої
                     енергії    та    не     здатних

протистояти температурам понад

800 К (527 град. С);

Технічна Зразки для проведення випробувань на

 примітка    поглинання   за    підпунктом     1.c.1

примітки до пункту 1.C.1.a повинні

мати форму квадрата із стороною не

менше п'яти довжин хвиль середньої

частоти і розміщуватись в дальній зоні

випромінювального елемента.

2. З міцністю при розтягові менш ніж

7х10 в ступ. 6 Н/кв. м; та

3. З міцністю на стиснення менш ніж

14х/10 в ступ. 6 Н/кв. м;

             d.  Плоскі  абсорбери,   вироблені   із

спеченого фериту, що мають:

1. Питому вагу понад 4,4; та

              2. Максимальну    робочу   температуру

548 К (275 град. С).

Особлива За попередньою приміткою контролю також

примітка підлягають фарби, які містять у своєму

             складі    магнітні    матеріали,    які

забезпечують поглинання хвиль.

 1.C.1.b.    Матеріали  для  поглинання   хвиль   на 381519000

частотах, що перевищують 1,5 х 10 в 391100000

ступ. 14 Гц, але менших ніж 3,7 х 10 в

ступ. 14 Гц, і не прозорі для видимого

світла;

1.C.1.c. Електропровідні полімерні матеріали з

об'ємною електропровідністю понад 10000

сіменс/м або поверхневим питомим опором

менш ніж 100 Ом/кв. м вироблені на

             основі   одного   з   наведених   нижче

полімерів:

1. Поліанілін; 390930000

2. Поліпірол; 391190900

3. Політіофен; 391190900

4. Поліфенілен-вінілен; а6о 391190900

5. Політіофенілен-вінілен. 391990900

 Технічна    Об'ємна      електропровідність      та

примітка поверхневий питомий опір визначаються

відповідно до стандартної методики ASTM

             D-257     або     її      національного

еквіваленту.

1.C.2. Металеві сплави, порошки для металевих

 [1С002]     сплавів   та    сплавлені    матеріали,

наведені нижче:

 Примітка    За   пунктом   1.C.2     контролю    не

підлягають металеві сплави, порошки

             металевих   сплавів    або    сплавлені

матеріали, призначені для грунтувальних

покриттів.

1.C.2.a. Металеві сплави, наведені нижче:

1. Сплави на основі нікелю або титану у

формі алюмінідів, наведені нижче, у

                необробленій      сировині       або

напівфабрикатній формі:

а. Нікелеві алюмініди, що містять 750220000

мінімально 15 вагових відсотків,

максимально 38 вагових відсотків

                   алюмінію   і    принаймні    один

додатковий елемент легування;

b. Титанові алюмініди, що містять 10 810810100

                   чи   більше   вагових   відсотків
                   алюмінію   і    принаймні    один

додатковий елемент легування;

2. Металеві сплави, наведені нижче, що

виготовлені з порошкового металевого

                сплаву    або    мають    вкраплення

матеріалів, які підлягають контролю

згідно з пунктом 1.C.2.b:

а. Нікелеві сплави з: 750220000

                   1. Терміном    експлуатації    до

руйнування 10000 годин або

більше при навантаженні 676

МПа при температурі 923 К (650

град. С); або

2. З низьким показником циклової

втоми 10000 циклів випробувань

або більше і навантаженні 1095

Мпа при температурі 823 К (550

град. С);

b. Ніобієві сплави з: 811291310

                   1. Терміном    експлуатації    до 811299300

руйнування 10000 годин або

більше при навантаженні 400

МПа при температурі 1073 К

(800 град. С); або

2. З низьким показником циклової

втоми 10000 циклів випробувань

або більше і навантаженні 700

Мпа при температурі 973 К (700

град. С);

с. Титанові сплави з: 810810100

                   1. Терміном    експлуатації    до

руйнування 10000 годин або

більше при навантаженні 200

МПа при температурі 723 К (450

град. С); або

2. З низьким показником циклової

втоми 10000 циклів випробувань

або більше і навантаженні 400

МПа при температурі 723 К (450

град. С);

                 d. Алюмінієві   сплави   з    межею з 760120

міцності при розтягові:

                   1. 240   МПа   або   більше   при 760429100

температурі 473 К (200 град. 760820910

С); або

                   2. 415   МПа   або   більше   при 760820990

температурі 298 К (25 град.

С);

е. Магнієві сплави з межею міцності з 8104

при розтягові 345 МПа та більше

і швидкістю корозії менш як 1 мм

на рік у 3-відсотковому водному

                    розчині     хлориду      натрію,
                    виміряної     відповідно      до

стандартної методики ASTM G-31

                    або       її       національного

еквіваленту;

Технічні 1. До металевих сплавів, зазначених у

 примітки       пункті 1.C.2.a,   належать  ті,  які

містять більший ваговий відсоток

                зазначеного   металу,   ніж    інших

елементів.

2. Термін експлуатації до руйнування

(межу тривалої міцності) потрібно

визначати відповідно до стандартної

                методики   ASTM   E-139    або    її

національного еквіваленту.

3. Показник циклової втоми потрібно

визначати відповідно до стандартної

методики ASTM E-606 "Рекомендація з

тестування на циклову втому при

                постійній    амплітуді"    або    її

національного еквівалента.

                Тестування  потрібно   проводити   у

напрямку осі при середньому значенні

показника напруги, рівному одиниці,

та коефіцієнті концентрації напруги

                (Kt),   рівному   одиниці.   Середня
                напруга       дорівнює       різниці

максимальної та мінімальної напруги,

поділеній на максимальну напругу.

1.C.2.b. Порошки металевих сплавів або частинки

             матеріалів,   наведені    нижче,    для

матеріалів, що підлягають контролю за

пунктом 1.C.2.a:

1. Виготовлені з будь-якої з наведених

нижче композицій:

 Технічна    Х - надалі   відповідає   одному    або

примітка більше елементам, що входять до

складу сплаву.

                 a. Нікелеві    сплави     (Ni-Al-X, 750400000

Ni-X-Al),

призначені для

використання у складі частин чи

                    компонентів   турбін   двигунів,
                    тобто   з   менше   ніж   трьома

неметалевими частками (введеними

                    у     процесі     виготовлення),

більшими за 100 мкм в 10 в ступ.

9 частках сплаву;

b. Ніобієві сплави (Nb-Al-X або 811291310

Nb-X-Al, Nb-Si-X або Nb-X-Si, 811299300

Nb-Ti-X a6o Nb-X-Ti);

c. Титанові сплави (Ті-Аі-Х або 810810100

Ti-X-Al);

d. Алюмінієві сплави (Al-Mg-X або з 7603

Al-X-Mg, Al-Zn-X або Al-X-Zn,

Al-Fe-X або Al-X-Fe); або

e. Магнієві сплави (Mg-Al-X або 810430000

Mg-X-Al); та

2. Виготовлені у контрольованому

середовищі за допомогою будь-якого

з наведених нижче процесів:

а. "Вакуумне розпилення";

b. "Газове розпилення";

с. "Центробіжне розпилення";

d. "Різке охолодження";

                 е. "Спінінгування    розплаву"   та

"подрібнення";

                 f. "Екстракція     розплаву"     та

"подрібнення"; або

g. "Механічне легування";

 1.C.2.c.    Сплавлені     матеріали     у     формі 750300900
             неподрібнених   гранул,   стружки   або 750400000

тонких стержнів, які виготовляються у 750512000

             контрольованому   середовищі    методом 760200100

"різкого охолодження", "спінінгування 760320000

розплаву" або "екстракції розплаву", і 760429100

використовуються під час виробництва з 8104,

             порошку  для  металевих   сплавів   або 8108, 8112

матеріалу у формі часток, що підлягають

контролю за пунктом 1.C.2.b.

1.C.3. Магнітні метали усіх типів та будь-якої

[1C003] форми, що мають будь-яку з наведених

нижче характеристик:

1.C.3.a. Початкова відносна магнітна проникність 850511000

120000 або більше і завтовшки 0,05 мм з 850519

або менше; 850519100

 Технічна    Вимірювання    початкової     відносної

примітка магнітної проникності має здійснюватися

на повністю відпалених матеріалах.

 1.C.3.b.    Магнітострикційні  сплави,  які   мають 720690000
             будь-яку     з     наведених      нижче

характеристик:

1. Магнітострикційне насичення понад 5

х 10 в ступ. мінус 4; або

             2.    Коефіцієнт     магнітомеханічного

зчеплення більше 0,8; або

 1.C.3.c.    Аморфна  або  нанокристалічна   стружка з 7206

сплаву, яка має усі наведені нижче 750400000

характеристики:

1. Склад мінімум 75 вагових відсотків з 8105

заліза, кобальту або нікелю;

2. Магнітна індукція насичення (Bs) -

1,6 Т або більше; та

3. Будь-що з наведеного нижче:

                a. Товщина  стружки  0,02   мм   або

менше; або

b. Питомий електричний опір 2 х 10 в

ступ. мінус 4 Ом/см, або більше.

Технічна Нанокристалічні матеріали, зазначені у

 примітка    пункті 1.C.3.c,   -  це  матеріали,  що

мають кристалічні зерна розміром 50 нм

і менше і визначаються дифракцією Х -

променів.

*1.C.4. Ураново-титанові сплави або вольфрамові 284410000

[1C004] сплави з "матрицею" на основі заліза, 810810100

нікелю чи міді, які мають усі такі 810199000

характеристики:

a. Густиною понад 17,5 г/куб. см;

b. Межа пружності понад 1250 МПа;

c. Межа

міцності на розрив понад 1270

МПа; та

             d. Відносне    подовження    понад    8

відсотків.

* Продукція, імпорт якої здійснюється за

дозволом Держекспортконтролю.

1.C.5. "Надпровідні" "композиційні" провідники

[1C005] завдовжки понад 100 м або масою понад

100 г, наведені нижче:

 1.C.5.a.    Багатожильні              "надпровідні" 811299300

"композиційні" провідники, що містять 854419900

             одну  або   більше   ніобієво-титанових

ниток:

1. Укладені у "матрицю", іншу ніж з

міді або "матрицю" в основа якої не

містить міді; або

2. Мають площу поперечного перерізу

меншу ніж 0,28 х 10 в ступ. мінус 4 кв. мм

(6 мкм у діаметрі в разі, коли нитка

має круглий переріз);

 1.C.5.b.    "Надпровідні"            "композиційні"

провідники, які містять одну або більше

"надпровідних" ниток не з ніобій-титану

             і    мають    всі    наведені     нижче

характеристики:

1.C.5.b. 1. "Критична температура" при нульовій

магнітній індукції перевищує 9,85 К

(-263,31 град. С), але нижче 24 К

(-249, 16 град. С);

2. Площа поперечного перерізу менше ніж

0,28 х 10 в ступ. мінус 4 кв. мм та

3. Залишаються у стані "надпровідності"

при температурі 4,2 К (-268,96 град.

С), у разі перебування у магнітному

полі з магнітною індукцією 12 Т.

1.C.6. Рідини та мастильні матеріали, наведені

[1C006] нижче:

 1.C.6.a.    Гідравлічні  рідини,  що   містять   як

основні складові компоненти будь-які з

наведених нижче речовин чи матеріалів:

1. Синтетичні вуглеводні мастила або 381900000

                кремнієво-вуглеводні   мастила,   що 290919000
                мають     усі     наведені     нижче 391000000

характеристики:

Примітка Для матеріалів, зазначених у пункті

1.C.6.a.1, крємній-вуглеводні мастила

містять виключно кремній, водень та

вуглець.

a. Температура займання понад 477 К

(204 град. C);

b. Температура застигання 239 К (-34

град. C) або нижче;

c. Коефіцієнт в'язкості 75 чи більше;

та

d. Термостабільність при 616 К (343

град. C), або

2. Хлорофторвуглецеві матеріали, які 381900000

                мають     усі     наведені     нижче 382390900

характеристики: з 2812, 282

Примітка Для матеріалів, зазначених у пункті

1.C.6.a.2, хлорофтор-вуглеці містять

виключно хлор, фтор і вуглець.

a. Без температури займання;

b. Температура самозаймання понад 977 К

(704 град. C);

c. Температура застигання 219 К (-54

град. C) і нижче;

d. Коефіцієнт в'язкості 80 чи більше;

та

e. Температура кипіння 473 К (200 град.

C) і вище;

1.C.6.b. Мастильні матеріали, що містять як їх

основні складові, так і будь-яку з

             наведених     нижче     речовин     або

матеріалів:

1. Феніленові чи алкилфеніленові ефіри 290930900

чи тіоефіри або їх суміші, які 293090800

містять більш як дві ефірні або

тіоефірні функції або їх суміші;

або

2. Фторовані рідини, що містять кремній 391000000

і мають кінематичну в'язкість менш

як 5000 кв. мм/с (5000 сантістоксів)

при

температурі 298 К (25 град. C);

 1.C.6.c.    Зволожувальні  чи  флотуючі  рідини   з
             показником  чистоти   більш   як   99,8

відсотка, які містять менше ніж 25

часток розміром 200 мкм і більше в

об'ємі 100 мл і виготовлені принаймні

на 85 відсотків з будь-яких з наведених

нижче речовин або матеріалів:

1. Дібромтетрафторетан; 290340800

2. Поліхлортрифторетилен (лише 390469000

                маслянисті      та      воскоподібні

модифікації); або

3. Полібромтрифторетилен; 390469000

1.C.6.d. Фторвуглецеві охолоджуючі рідини для 382390980

електроніки, що мають усі наведені

нижче характеристики:

1. Містять 85 вагових відсотків або

більше однієї з наведених нижче

речовин, або суміші з них:

а. Мономерні форми

перфторполіалкілефір-триазинів

або перфтораліфатачних ефірів;

b. Перфторалкіламіни;

с. Перфторциклоалкани; або

d. Перфторалкани;

2. Густина 1,5 г/мл або більше при 298

К (25 град. C):

3. Рідкий стан при 273 К (0 град. C);

та

             4. Мають   60  вагових  відсотків   або

більше фтору.

Технічна Для матеріалів пункту 1.C.6:

примітка a. Температура займання визначається з

використанням методу Клівлендської

                відкритої    чаші,    описаного    в

стандартній методиці ASTM D-92 або в

її національному еквіваленті;

b. Температура застигання визначається

з використанням методу, описаного в

стандартній методиці ASTM D-97 або

її національному еквіваленті;

c. Коефіцієнт в'язкості визначається з

використанням методу, описаного в

стандартній методиці ASTM D-2270 або

її національному еквіваленті;

d. Термостабільність визначається

                наведеною      нижче       методикою

випробувань або в її національному

еквіваленті:

двадцять мл випробуваної рідини

заливають у камеру об'ємом 46 мл з

корозійно-стійкої сталі марки 317,

                що   містить    шари    номінального

діаметру 12,5 мм з інструментальної

сталі марки М-10, сталі марки 52100

та корабельної бронзи (60 відсотків

Си, 39 відсотків Zn, 0,75 відсотків

Sn);

                     камера,     продута     азотом,

загерметизована при тиску, рівному

                атмосферному,    та     температурі,

підвищеній до 644 +- 6 К (371 +- 6

град. C) і витриманій на цьому рівні

6 годин;

зразок вважається

                термостабільним,     якщо      після
                закінчення   зазначеної    процедури
                виконуються   усі   наведені   нижче

умови:

                1. Втрата  ваги  кожного   шару   не
                   перевищує   10  мг/кв.  мм   його

поверхні;

                2. Зміна    початкової    в'язкості,

визначеної при 311 К (38 град.

С), не перевищує 25 відсотків;

та

                3. Загальне  кислотне   або   базове

число не перевищує 0,40;

e. Температура самозаймання

визначається методом, описаним в

стандартній методиці ASTM E-659 або

її національному еквіваленті.

 1.C.7.      Матеріали   на

керамічній основі,

[1C007] не-"композиційні" керамічні матеріали,

матеріали типу "композит" з керамічною

"матрицею", а також їх напівфабрикати,

наведені нижче:

 1.C.7.a.    Основні   матеріали   з   простих   або 285000900

складних боридів титану, які містять

             металеві   домішки,   крім    навмисних

домішок, на рівні менш як 5000 частинок

             на  мільйон  при   середньому   розмірі

частинки, рівному чи меншому ніж 5 мкм,

при цьому не більше ніж 10 відсотків

частинок з розміром понад 10 мкм;

1.C.7.b. Не "композиційні" керамічні матеріали 285000900

у формі сирих або напівфабрикатів на

основі боридів титану з густиною 98

             відсотків   чи    більше    теоретичної

густини;

 Примітка    За  пунктом   1.C.7.b    контролю    не

підлягають абразиви.

 1.C.7.c.    "Композиційні"      матеріали      типу з 2849
             кераміка-кераміка   із   скляною    або з 285000
             оксидною   "матрицею"    та    армовані 880390990

волокнами, виготовленими з будь-якої з 930690

з наведених нижче систем:

1. Si-N;

2. Si-C;

3. Si-Al-O-N; або

4. Si-O-N,

що мають питому межу міцності при

розтягові, що перевищує 12,7 х 10 в

ступ. 3 м;

 1.C.7.d.    "Композиційні"      матеріали      типу 880390990

кераміка-кераміка з однорідної з 930690

металевої фази або без неї, що включає

             частинки,       вуса        (нитковидні

монокристали) або волокна, в яких

"матриця" сформована з карбідів або

нітридів кремнію, цирконію чи бору;

1.С.7.e. Початкові матеріали (тобто полімерні 391000000

             або    металоорганічні     спеціального

призначення) для виробництва будь-якої

фази або фаз матеріалів, що підлягають

контролю за пунктом 1.C.7.c, наведені

нижче:

1. Полідіорганосилани (для виробництва

карбіду кремнію);

             2. Полісилазани    (для     виробництва

нітриду кремнію);

3. Полікарбосилазани (для виробництва

кераміки з кремнієвими, вуглецевими

та азотними компонентами);

 1.C.7.f.    "Композиційні"                матеріали з 6903
             кераміка-кераміка   з   оксидною    або 691490900
             скляною      "матрицею",      армованою
             однорідними   волокнами   будь-якої   з

наведених нижче систем:

1. Al2O3; або

2. Si-C-N.

 Примітка    За   пунктом   1.C.7.f    контролю   не
             підлягають   "композити",    що   мають

волокна з цих систем з межею міцності

при розтягові менш як 700 МПа при 1273

К (1000 град. С) або опору повзучості

             розриву  волокон   понад   1   відсоток

напруги повзучості при навантаженні 100

МПа та 1273 К (1000 град. С) протягом

100 годин.

1.C.8. Полімерні речовини, наведені нижче, що

[1C008] не містять фтор:

 1.C.8.a.    1. Бісмалеіміди;                        292519900

2. Ароматичні поліамід-іміди 390890000

3. Ароматичні полііміди; 390930000

4. Ароматичні поліефіріміди, які мають 390720900

температуру переходу в склоподібний 390791900

стан (Tg) понад 513 К (240 град. C),

виміряну сухим методом, описаним у

стандартній методиці ASTM D 3418;

 Примітка    За   пунктом   1.C.8.a    контролю   не
             підлягають   неплавкі    порошки    для

формоутворення під тиском або фасованих

форм.

 1.C.8.b.    Термопластичні         рідкокристалічні 390791900
             сополімери,   які   мають   температуру

теплової деформації понад 523 К (250

             град.  C),   виміряну   відповідно   до

стандартної методики ASTM D 648 метод A

або її національного еквіваленту під

час навантаження 1,82 Н/кв. мм, і

утворені сполученням:

1. Будь-яким з наведених нижче:

               a. Фенілену,     біфенілену       або

нафталену; або

               b. Метилу,     третинного      бутилу

або феніл-заміщеного фенілену,

біфенілену або нафталену; та

2. Будь-якою з наведених нижче кислот:

1.C.8.b. 2. a. Терефтальовою;

b. 6-гідрокси-2 нафтіоновою; або

c. 4-гідроксибензойною;

1.C.8.c. Поліариленові ефірні кетони, наведені

нижче:

1. Поліефіроефірокетон (PEEK); 390791900

2. Поліефірокетон-кетон (PEEK); 390791900

3. Поліефірокетон (PEK); 390791900

4. Поліефірокетон ефірокетон-кетон 390791900

(PEKEKK);

 1.C.8.d.    Поліариленові кетони;                   390799000

1.C.8.e. Поліариленові сульфіди, де ариленова 391190900

група є біфеніленом, трифеніленом, чи

їх комбінації;

 1.C.8.f.    Полібіфеніленефірсульфон.               391190900

Технічна Температура переходу до склоподібного

примітка стану (Tg) для матеріалів, зазначених у

             пункті    1.C.8,     визначається     з
             використанням   методу,   описаного   в

стандартній методиці ASTM D 3418, яка

застосовує сухий метод.

 1.C.9.      Необроблені  сполуки  фтору,   наведені

[1C009] нижче:

 1.C.9.a.    Сополімери    вініліденфториду,     які 390469000
             містять   75   відсотків   чи    більше

бета-кристалічної структури, одержаної

без витягування;

 1.C.9.b.    Фтористі  поліаміди,  які  містять   10 390469000
             вагових     відсотків     чи     більше

"зв'язаного" фтору;

1.C.9.c. Фтористі фосфазинові еластомери, які 390469000

містять 30 вагових відсотків чи більше

"зв'язаного" фтору.

1.C.10. "Волокнисті або нитковидні матеріали",

[1C010] що можуть бути використані в органічних

"матрицях", металевих "матрицях" або

вуглецевих "матрицях", "композиційних"

або багатошарових структурах:

1.C.10.a. Органічні "волокнисті або нитковидні 392690100

матеріали", що мають усі наведені нижче

властивості:

1. Питомий модуль, що перевищує 12,7 х

10 в ступ. 6 м; та

2. Питома межа міцності при розтягові,

що перевищує 23,5 х 10 в ступ. 4 м;

 Примітка    За  пунктом   1.C.10.a    контролю   не

підлягає поліетилен.

1.C.10.b. Вуглецеві "волокнисті або ниткоподібні з 3801

матеріали", які мають всі наведені 392690100

нижче характеристики:

1. Питомий модуль, що перевищує 12,7 х 540210100

10 в ступ. 6 м: та

2. Питома межа міцності на розтягання, 540490900

перевищує 23,5 х 10 в ступ. 4 м; 681510000

690310000

 Технічна    Властивості  матеріалів,   описаних   у
 примітка    пункті 1.C.10.b,   повинні  визначатися

за методами SRM 12-17, рекомендованими

             Асоціацією   виробників   удосконалених

"композиційних" матеріалів (SACMA) або

             їх     національними      еквівалентами
             випробувань   на   розтяг,   наприклад,
             японський     промисловий      стандарт
             JIS-R-7601,   параграф   6.6.2,

які

грунтуються на середній якості партії.

 Примітка    За  пунктом   1.C.10.b    контролю   не
             підлягають   тканини,   виготовлені   з
             "волокнистих      або       нитковидних

матеріалів" для відновлення авіаційних

чи багатошарових матеріалів, розмір

окремих листів яких не перевищує 50х90

см.

1.C.10.c. Неорганічні "волокнисті або нитковидні 392690100

матеріали", які мають усі наведені 810192000

нижче характеристики:

1. Питомий модуль, що перевищує 2,54 х 810890300

10 в ступ. 6 м; та

2. Температура плавлення, 810890700

                розм'якшування,     розкладу     або

сублімації, що перевищує 1922 К

                (1649   град.   С)    в    інертному

середовищі;

 Примітка    За   пунктом  1.C.10.c    контролю   не

підлягають:

1. Неоднорідні, багатофазні,

                полікристалічні    волокна    оксиду
                алюмінію   у   вигляді   переривкого

волокна або в довільній сплутаній

формі, що мають 3 або більше вагових

відсотки оксиду алюмінію з питомим

модулем менше ніж 10 х 10 в ступ. 6

м;

             2. Волокна    молібденові     або     з

молібденових сплавів;

3. Волокна на основі бору;

             4. Неоднорідні  керамічні   волокна   з

температурами плавлення,

розм'якшення, розкладу та сублімації

нижче ніж 2043 К (1770 град. С) в

інертному середовищі.

1.C.10.d. "Волокнисті або нитковидні матеріали":

1. Які мають будь-яку з наведених нижче

складових:

               a. Поліефіріміди,    що    підлягають 540249990

контролю за пунктом 1.C.8.a; або 550190000

b. Матеріали, що підлягають контролю 550390900

за пунктами 1.C.8.b - 1.C.8.f; або 540224990

550190900

550390900

1.C.10.d. 2. Які виготовляються з матеріалів, що

                підлягають  контролю   за   пунктами
                1.C.10.d.1.a   a6o 1.C.10.d.1.b   та

"сплутані" з іншими волокнами, що

                підлягають  контролю   за   пунктами

1.C.10.a, 1.C.10.b або 1.C.10.c.

 1.C.10.e.   Волокна,  насичені  смолою  або   пеком з 3801
             (препреги),   металеві   або    покриті 392690100
             вуглецем   волокна   ("преформи")   або 681510000
             "преформи     вуглецевого     волокна",

наведені нижче:

             1. Виготовлені   з   "волокнистих   або 681599900
                нитковидних     матеріалів",      що 690310000
                підлягають  контролю   за   пунктами з 701910

1.C.10.a, 1.C.10.b або 1.C.10.c; з 701920

             2. Виготовлені   з    органічних    або
                вуглецевих     "волокнистих      або

нитковидних матеріалів":

               a. З  питомою  межею   міцності   при

розтягові, що перевищує 17,7 х 10

в ступ. 4 м;

b. З питомим модулем, розмір якого

перевищує 10,15 х 10 в ступ. 6 м;

c. Які контролю не підлягають за

пунктами 1.C.10.a або 1.C.10.b;

та

               d. Які   насичені   матеріалами,   що

підлягають контролю за пунктами

                  1.C.8   або  1.C.9.b,    і   мають
                  температуру      переходу       до

склоподібного стану (Tg), вищу ніж

                  383  К  (110  град.  С),   або   з

фенольною чи епоксидною смолами,

які

мають Tg, що дорівнює або

перевищує 418 К (145 град. С).

 Примітки    За  пунктом   1.C.10.e    контролю   не

підлягають:

1. Вуглецеві "волокнисті або нитковидні

             матеріали",   насичені   -   "матрицею"
             епоксидної   смоли    (препреги)    для
             відновлення       авіаційних        або

багатошарових матеріалів, в яких розмір

окремих листів препрега не перевищує 50

х 90 см;

2. Препреги, насичені фенольною або

епоксидною смолами, які мають Tg нижче

433 К (160 град. C) та температуру

ствердіння нижче Tg.

Технічна Температура переходу до склоподібного

 примітка    стану   (Тд)   для    матеріалів,    що
             підлягають    контролю    за    пунктом
             1.C.10.e,     визначається     методом,
             описаним    в    ASTМ   D   3418,   із

застосуванням сухого методу. Tg для

             фенольних    та     епоксидних     смол
             визначається   за   допомогою   методу,

описаного в ASTM D 4065, при частоті 1

Гц та швидкості нагрівання 2 К (град.

С) за хвилину із застосуванням сухого

методу.

 Технічні    1. Питомий  модуль:   модуль   Юнга   в

примітки паскалях або в Н/кв. м поділений на

                питому   вагу   в   Н/куб.   м   при

температурі (296 +- 2) К ((23 +- 2)

град. C) та відносній вологості (50

+- 5) відсотків.

2. Питома межа міцності при розтягові:

                найбільша    межа    міцності    при

розтягові в паскалях або в Н/кв. м,

і поділена на питому вагу в Н/куб. м

при температурі (296 +- 2) К ((23 +-

2) град. С) та відносній вологості

(50 +- 5) відсотків.

1.C.11. Метали та сполуки, наведені нижче:

[1C011]

1.C.11.a. Метали з розміром часток менш як 60 810430000

мкм, які мають сферичну, розпилену, 810910100

сфероїдальну, розшаровану або молоту

форму, виготовлені з матеріалу, що на

99 відсотків або більше складається з

цирконію, магнію або сплавів з них;

Примітка Метали або сплави, зазначені в пункті

1.C.11.a, підлягають контролю за цим

пунктом незалежно від того, вміщені ці

метали або сплави в капсули алюмінію,

магнію, цирконію або берилію чи ні.

 1.C.11.b.   Бор  або  карбід   бору   чистотою   85 280450100

відсотків і більше та розміром часток 284990100

60 мкм і менше;

Примітка Метали або сплави, зазначені в пункті

1.C.11.b, підлягають контролю за цим

пунктом незалежно від того, вміщені ці

метали або сплави в капсули алюмінію,

магнію, цирконію або берилію чи ні.

 1.C.11.c.   Нітрат гуанідину.                       290420900

*1.C.12. Матеріали для ядерних джерел теплоти,

[1C012] наведені нижче:

* Продукція, імпорт якої здійснюється за

дозволом Держекспортконтролю.

1.C.12.a. Плутоній у будь-якій формі з вмістом 284420910

ізотопу плутонію-238 більшим як 50 284420990

вагових відсотків;

 Примітка    За  пунктом   1.C.12.a    контролю   не

підлягають:

             1. Передача   одного  грама   і   менше

плутонію;

2. Передача трьох або менше "ефективних

                грамів",  що   використовуються   як

чутливі елементи в приладах.

1.C.12.b. "Попередньо розподілений" нептуній-237 284440000

в будь-якій формі.

 Примітка    За  пунктом   1.C.12.b    контролю   не

підлягає передача одного грама або

менше

нептунію-237.

**1.C.13. Брухт легованих чорних металів,

наведений нижче:

1.C.13.a. Нержавіючої сталі; 720421000

1.C.13.b. Інший брухт легованих чорних металів. з 7204

Примітка Відомості про зобов'язання (гарантії),

викладені в пунктах 12, 16 та 24 Положення

про порядок контролю за експортом, імпортом

і транзитом окремих видів виробів,

обладнання, матеріалів, програмного

забезпечення і технологій, що можуть

використовуватися для створення

озброєння, військової чи спеціальної техніки,

у разі експорту товарів, зазначених у пункті

1.C.13, не вносяться до зовнішньоекономічного

договору (контракту), а імпортний сертифікат

або його аналог можуть не подаватися.

(пункт 1.С.13 додатка в редакції постанови

Кабінету Міністрів України від 07.10.99 р. N 1856)

1.D. ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ

 1.D.1.      "Програмне  забезпечення",   спеціально
 [1D001]     призначене   або    модифіковане    для
             "розроблення",    "виробництва"     або

"використання" обладнання, що підлягає

контролю за пунктом 1.B.

 1.D.2.      "Програмне      забезпечення"       для
 [1D002]     "розроблення"   органічної   "матриці",
             металевої  "матриці"   або   вуглецевої
             "матриці",     "композиційних"      або

багатошарових структур.

1.E. ТЕХНОЛОГІЯ

*1.E.1. "Технологія" відповідно до пункту 3 з 3705

[1E001] загальних приміток для "розроблення" з 3706, 852

             або   "виробництва"   обладнання    або 490199000

матеріалів, які підлягають контролю за 490600000

пунктами 1.A.1.b, 1.A.1.c, 1.A.2. -

1.A.5, 1.B або 1.C.

* Імпорт "технології" відповідно до пункту 3

 загальних    приміток    для    "розроблення    або

"виробництва" матеріалів, які підлягають контролю

 за  пунктами  1.C.4   та  1.C.12   здійснюється  за

дозволом Держекспортконтролю.

 1.E.2.      Інші "технології", наведені нижче:      490199000

[1E002] 490600000

 1.E.2.a.    "Технологія"  для   "розроблення"   або
             "виробництва"   полібензотіазолів   або

полібензоксазолів;

 1.E.2.b.    "Технологія"  для   "розроблення"   або

"виробництва" сполук фтореластомерів,

             що  містять  принаймні   один   мономер

вінілефіру;

 1.E.2.c.    "Технологія"  для   "розроблення"   або 490199000
             "виробництва"      наведених      нижче 490600000
             матеріалів      для      основ      або

не-"композиційних" керамічних

матеріалів:

             1. Матеріали   основи,  що  мають   усі

наведені нижче характеристики:

               а. Будь-яка   з   наведених     нижче

композицій:

             1. Простих  або   комплексних   оксидів
                цирконію   і   комплексних   оксидів

кремнію або алюмінію;

2. Простих нітридів бору (з кубічними

формами кристалів);

3. Простих або комплексних карбідів

кремнію або бору;

4. Простих або комплексних нітридів

кремнію;

 1.E.2.c.    1.b. "Технологія"   для   "виробництва"

основних матеріалів із сумарними

металевими домішками, за винятком

тих, які вносяться навмисно:

1. Менше 1000 часток на мільйон для

простих оксидів або карбідів;

або

2. Менше 5000 часток на мільйон для

комплексних сполук або простих

нітридів; та

c. Які мають будь-яку з

наведених

нижче характеристик:

1. Середній розмір частки рівний чи

менший ніж 5 мкм (при цьому не

більш як 10 відсотків частинок з

розмірами понад 10 мкм); або

 Примітка    Для   цирконію   ці    межі    розмірів

відповідно дорівнюють 1 мкм і 5 мкм

відповідно.

2. Які мають усі з наведених нижче

характеристик:

a. Пластинки із співвідношенням

                      довжини   до    товщини,    що

перевищує значення 5;

                   b.   Вуса   із    співвідношенням

довжини до діаметра понад 10

для діаметрів менше 2 мкм; та

                   c.   Непереривчасті          або
                      переривчасті     волокна     з

діаметром меншим 10 мкм;

2. Не-"композиційні" керамічні

                матеріали,    що    складаються    з
                матеріалів,   описаних   у    пункті

1.E.2.с.1;

 Примітка    За  пунктом  1.E.2.c.2    контролю   не
             підлягає  технологія   розроблення   та

виробництва абразивів.

 1.E.2.d.    "Технологія"     для      "виробництва"

ароматичних поліамідних волокон;

 1.E.2.e.    "Технологія"       для       складання,
             обслуговування      та      відновлення

матеріалів, що підлягають контролю за

пунктом 1.C.1;

 1.E.2.f.    "Технологія"      для       відновлення

"композиційних", багатошарових структур

або матеріалів, які підлягають контролю

             за  пунктами   1.A.2,    1.C.7.c    або

1.C.7.d.

 Примітка    За   пунктом   1.E.2.f    контролю   не
             підлягає      "технологія"    ремонту

матеріалів для "цивільних літальних

             апаратів",      під      час      якого

використовуються вуглецеві

"волокнисті або нитковидні матеріали"

             та   епоксидні   смоли,    описані    в

посібниках виробників авіатехніки.

*                  Розділ 2. ОБРОБЛЕННЯ МАТЕРІАЛІВ               *
******************************************************************
*   Номер   *         Найменування продукції        * Код товару *
*   пункту  *                                       * за ТН ЗЕД  *

2. ОБРОБЛЕННЯ МАТЕРІАЛІВ

2.A. СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І КОМПОНЕНТИ

(Підшипники плавного ходу, визначені у

пункті ML9 Списку товарів військового

призначення, міжнародні передачі яких

             підлягають     державному     контролю,
             затвердженого    постановою    Кабінету

Міністрів України від 8 грудня 1997 р.

N 1358)

 2.A.1.      Антифрикційні    підшипники,    системи

[2A001] підшипників і їх компоненти, наведені

нижче:

 Примітка    За   пунктом   2.A.1     контролю    не

підлягають шарикопідшипники з допусками

на шарики, встановленими виробниками

відповідно до міжнародного стандарту

ISO 3290, класу 5 або нижче.

2.A.1.a. Шарикові та твердороликові підшипники, 848210900

які мають допуски, що встановлюються 848250000

виробником відповідно до АВЕС 7, АВЕС

7P, АВЕС 7Т або міжнародного стандарту

ISO класу 4 і вище (або національних

еквівалентів) і мають кільця, шарики чи

ролики, виготовлені з мідно-нікелевого

сплаву або з берилію;

 Примітка    За   пунктом   2.A.1.a    контролю   не
             підлягають       конічні       роликові

підшипники.

2.A.1.b. Інші шарикові та роликові підшипники, 848280000

             які    мають    допуски,    встановлені

виробником відповідно до АБЕС 9, АБЕС

9Р або міжнародного стандарту ISO класу

             2  і  вище   (або   його   національних

еквівалентів);

 Примітка    За   пунктом   2.A.1.b    контролю   не
             підлягають       конічні       роликові

підшипники.

2.A.1.c. Активні магнітні підшипникові системи, 848330100

які мають одну із зазначених нижче 848330900

складових:

1. Матеріали з магнітною індукцією 2,0Т

або більше і межею текучості понад

414 МПа.

2. Оснащені електромагнітним пристроєм

для приводу з тримірним уніполярним

високочастотним підмагнічуванням;

або

3. Високотемпературні [450 град. К (177

                град.   С)   і   більше]   позиційні

датчики.

2.B. ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ,

КОНТРОЛЮ І ВИРОБНИЦТВА

 Технічні    1. Вторинні  паралельні  контурні   осі
 примітки       (осі     оброблення)     (наприклад,
                W-осьова    фреза     горизонтальної
                розточки    або    вторинна     вісь
                обертання,   центрова   лінія   якої

паралельна головній осі обертання)

                не    враховуються    у     загальну

чисельність контурних осей.

 Особлива    Осі       обертання       необов'язково

примітка передбачають поворот на кут, більший за

360 град. Вісь обертання може мати

             привід      лінійного       переміщення
             (наприклад,   гвинтом   або   зубчастою

шестірнею).

             2. Номенклатура    осі     визначається

відповідно до міжнародних стандартів

                ISO  841:   "Верстати   з   числовим

керуванням - номенклатура осей і

різновидів рухів".

             3. Для    цього    розділу    "нахильні
                шпинделі"   розглядаються   як   осі

обертання.

4. Замість індивідуальних протоколів

                випробувань   для   кожної    моделі

верстата можуть бути застосовані

                гарантовані      рівні      точності

позиціювання, використовуючи

                узгоджені   процедури   випробувань,

відповідно до міжнародного стандарту

ISO.

5. Точність позиціювання верстатів з

                "числовим   керуванням"   має   бути

визначена і представлена відповідно

                до   міжнародних   стандартів    ISO

230/2.

2.B.1. Верстати, наведені нижче, та будь-які

 [2B001]     їх   модифікації    (комбінації)    для

рублення або різання металів, кераміки

             і   "композиційних"   матеріалів,   які

відповідно до технічних специфікацій

             виробника    можуть    бути    оснащені

електронними пристроями для "числового

керування":

2.B.1.a. Токарні верстати, що мають усі наведені

нижче характеристики:

1. Точність позиціювання менше (краще) з 8458

6 мкм уздовж будь-якої лінійної осі; 846490900

та

2. Дві або більше осі, які можуть бути 846599100

одночасно задані для "контурного

керування".

 Примітка    За   пунктом   2.B.1.a    контролю   не

підлягають токарні верстати, спеціально

розроблені для виробництва контактних

лінз.

2.B.1.b. Фрезерні верстати, що мають будь-яку із з 8459

зазначених нижче характеристик: з 8464

1.a. Точність позиціювання з усією

з 8465

                  існуючою    компенсацією     менше

(краще) 6 мкм уздовж будь-якої

лінійної осі; та

b. Три лінійні осі плюс одна вісь

                  обертання,   які    можуть    бути

одночасно задані для "контурного

керування";

2.B.1.b. 2. П'ять або більше осей, які можуть

бути одночасно скоординовані для

"контурного керування"; або

             3. Точність      позиціювання       для

копіювально-розточувальних верстатів

з усією посильною компенсацією менше

                (краще)  4  мкм   уздовж   будь-якої

лінійної осі;

2.B.1.c. Шліфувальні верстати, що мають будь-яку з 8460

із зазначених нижче характеристик: з 8464

1.a. Точність позиціювання з усією з 8465

                  посильною    компенсацією    менше

(краще) 4 мкм уздовж будь-якої

лінійної осі; та

b. Три або більше осі, які можуть

бути одночасно скоординовані для

"контурного керування"; або

2. П'ять або більше осей, які можуть

бути одночасно скоординовані для

"контурного керування";

 Примітки    За   пунктом   2.B.1.c    контролю   не

підлягають:

1. Шліфувальні верстати для оброблення

зовнішніх циліндричних, внутрішніх

                поверхонь,   а   також   комбіновані

верстати (для шліфування внутрішніх

та зовнішніх поверхонь), які мають

усі наведені нижче характеристики:

a. Обмежені циліндричним

шліфуванням; та

b. З максимально можливим зовнішнім

діаметром чи довжиною заготовки

150 мм; або

2. Верстати, спеціально спроектовані

для шліфування за шаблоном і які

мають будь-які із зазначених нижче

характеристик:

                а. С-вісь     застосовується     для

підтримання шліфувального круга у

положенні, перпендикулярному до

робочої поверхні; або

b. А-вісь визначається конфігурацією

шліфування циліндричних

кулачків;

3. Заточувальні і відрізні верстати, що

постачаються як комплектні системи з

"програмним забезпеченням",

                спеціально     спроектовані      для

виробництва інструментів;

4. Верстати для шліфування колінчастих

або кулачкових валів;

5. Плоскошліфувальні верстати.

 2.B.1.d.    Верстати     для      електроіскрового  845630000

оброблення (EDM) без подачі дроту, що

мають дві або більше осей обертання,

які можуть одночасно бути скоординовані

для "контурного керування";

 2.B.1.e.    Верстати   для   оброблення    металів, 842430900
             кераміки      або       "композиційних" 845610000

матеріалів: 845690000

2.B.1.e. 1. За допомогою:

                а. Водяних    або   інших   рідинних

струменів, включаючи струмені з

абразивними добавками;

b. Електронного променя; або

с. Променя лазера; та

             2. Які   мають  дві  або  більше   осей

обертання, що:

                а. Можуть       бути       одночасно
                   позиціоновані   для   "контурного

керування"; та

b. Мають точність позиціювання менше

(краще) 0,003 градусів;

 2.B.1.f.    Верстати   для   свердління    глибоких з 8458
отворів   та   токарні   верстати,   що 845921

модифіковані для свердління глибоких

отворів та забезпечують максимальну

глибину свердління отворів понад 5000

мм, а також спеціально розроблені до

них компоненти.

2.B.2. Позицію вилучено.

2.B.3. Верстати з "числовим керуванням" або з 846140710

 [2B003]     ручним    керуванням    і    спеціально 846140790
             розроблені    для    них    компоненти,

обладнання для контролю і оснащення,

спеціально розроблені для шевінгування,

фінішного оброблення, шліфування або

хонінгування загартованих (Rc=40 або

             більше)    прямозубих     циліндричних,
             одно- або   двозаходових     черв'ячних

(гвинтових) шестерень з діаметром понад

1250 мм і шириною поверхні зуба, що

дорівнює 15 відсоткам діаметра або

більше, з якістю фінішного оброблення

             AGMA 14  або   краще   (відповідно   до

міжнародного стандарту ISO 1328 за

класом 3).

 2.B.4.      "Ізостатичні   преси"   для    гарячого з 846299

[2B004] пресування, що мають усі наведені нижче

складові, і спеціально розроблені для

             них    штампи,    форми,    компоненти,

пристосування і елементи керування:

 2.B.4.a.    Камери  з   контрольованими   тепловими

умовами всередині замкненої порожнини з

внутрішнім діаметром 406 мм або більше;

та

 2.B.4.b.    Будь-яку     з     наведених     нижче

характеристик:

1. Максимальний робочий тиск понад 207

МПа;

             2. Контрольовані   температурні   умови

перевищують 1773 град. К (1500 град.

С); або

3. Обладнання для насичення вуглеводнем

і виведення газоподібних продуктів

розкладу.

 Технічна    Під    внутрішнім    розміром    камери

примітка розуміють робочі розміри камери, в якій

досягаються як робочий тиск, так і

             температура;  до  розміру   камери   не

включається розмір затискних пристроїв.

             Зазначений   розмір   визначається   як

менший з двох розмірів: внутрішнього

діаметра камери високого тиску або

             внутрішнього    діаметра    ізольованої

камери печі залежно від того, яка з цих

камер знаходиться в іншій.

2.B.5. Обладнання, спеціально призначене для

[2В005] осадження, оброблення та контролю в

процесі нанесення неорганічних захисних

             шарів   покриттів   та    модифікування

поверхні, наприклад, для неелектронних

             підкладок   за   допомогою    процесів,

зазначених в таблиці та в примітках до

пункту 2.E.3.f, а також компоненти,

             спеціально        призначені        для

автоматизованого регулювання,

             позиціювання,     маніпулювання      та

управління:

 2.B.5.a.    Виробниче  обладнання   для   хімічного 845690000
             осадження   з   газової   фази   (CVD), 842420100

"кероване вмонтованою програмою", з

             усіма         зазначеними         нижче

характеристиками:

1. Процес, модифікований для будь-якого

із зазначених нижче методів:

a. Пульсуючого CVD;

               b. Кероване    зародження     центрів
                  конденсації     при     термічному

осадженні (CNTD); або

               c. Стимульований   плазмою   або   за

допомогою плазми CVD; та

2. Використовує будь-що з наведеного

нижче:

a. Високий вакуум (рівний або менше

0,01 Па) ущільнення при обертанні;

або

b. Засоби контролю за товщиною шару

покриття безпосередньо в процесі

осадження;

 2.B.5.b.    Виробниче   обладнання    для    іонної 845610000
             імплантації,   "кероване    вмонтованою

програмою", з силою іонного струму 5 мА

або більше;

 2.B.5.c.    Виробниче        обладнання         для 845610000

електронно-променевого вакуумного

нанесення покриттів методом фізичного

осадження з парової фази (EB-PVD),

"кероване вмонтованою програмою", яке

має усі наведені нижче складові:

             1. Системи      електроживлення       з

розрахунковою потужністю понад 80

кВт;

             2. "Лазерну"   систему   керування   за
                рівнем  випаровуваної   ванни,   яка

точно регулює швидкість подавання

                матеріалів    (злитків)    у    зону

випаровування; та

             3. Керований    комп'ютером    покажчик

швидкості випаровування (монітор),

                який     працює     за     принципом

фотолюмінесценції іонізованих атомів

                у  потоці   пари,   необхідний   для
                визначення    швидкості    осадження

складових покриття, що містить два

або більше елементів;

 2.B.5.d.    Виробниче  обладнання   для   нанесення 845690000
             покриттів      методом       плазмового

розбризкування, "кероване вмонтованою

             програмою",   яке   має   будь-яку   із

зазначених нижче характеристик:

             1. Працює    при    зниженому     тиску

контрольованої атмосфери (дорівнює

або менш як 10 кПа, вимірюваної вище

                або  всередині  300   мм   вихідного

перерізу сопла плазмового пальника)

                у    вакуумній    камері,    здатній

забезпечити зниження тиску до 0,01

Па перед початком процесу нанесення;

або

2. Має у своєму складі засоби контролю

за товщиною шару покриття в процесі

нанесення;

2.B.5.e. Виробниче обладнання для металізації 845690000

             розпиленням,   "кероване    вмонтованою
             програмою",   що   здатне   забезпечити

густину струму 0,1 мА/кв. мм або більше

з продуктивністю напилення 15 мкм/год

або більше;

 2.B.5.f.    Виробниче        обладнання         для 851580900

катодно-дугового напилення, "кероване

вмонтованою програмою", та з системою

електромагнітів для керування плямою

дуги на катоді;

 2.B.5.g.    Виробниче   обладнання   для    іонного 845610000
             нанесення     покриттів,      "кероване

вмонтованою програмою" та здатне в

процесі нанесення вимірювати:

1. Товщину покриття на підкладці та

величину продуктивності; або

2. Оптичні характеристики.

 Примітка    За   пунктами    2.B.5.a,      2.B.5.b,
             2.B.5.e,  2.B.5.f,   2.B.5.g   контролю

не підлягає обладнання для нанесення

покриттів методами хімічного осадження

             з   газової    фази    катодно-дугового

напилення та нанесення розпиленням,

             іонного    нанесення     або     іонної

імплантації, спеціально спроектоване

             для    різальних    інструментів     та

металообробних верстатів.

2.B.6. Системи або обладнання, наведені нижче,

 [2B006]     для   вимірювання   чи   контролю    за

розмірами:

 2.B.6.a.    Контрольно-вимірювальне   устаткування, 903180310
             кероване   комп'ютером,   з

"числовим

керуванням" або "керовані вмонтованою

             програмою",   які   мають    тривимірну
             (об'ємну)    систему    з     "похибкою
             вимірювання"   точності    вимірювання,
             рівною  або   менше  (краще)   (1,7   +
             L/1000)   мкм   (де   L-довжина,    яка
             вимірюється    в    міліметрах),     що

тестується відповідно до міжнародних

стандартів ISO 10360-2;

2.B.6.b. Вимірювальні пристрої для лінійних або

кутових переміщень наведені нижче:

1. Вимірювальні пристрої для лінійних 903140000

переміщень, які мають будь-яку із

зазначених нижче складових:

              a.     Вимірювальні            системи
                 безконтактного        типу        з
                 "розподілюваністю",   рівною    або
                 менше   (краще)   0,2   мкм,    при

діапазоні вимірювань до 0,2 мм;

b. Системи з лінійним регульованим

диференційним перетворювачем

напруги з усіма зазначеними нижче

характеристиками:

1. "Лінійністю", рівною або менше

                    (краще)    0,1    відсотка,    в

діапазоні вимірювань до 5 мм;

та

2. Відхиленням, що дорівнює або

менше (краще) 0,1 відсотка в

день, за стандартних умов з

коливанням навколишньої

температури +- 1 град. К; або

c. Вимірювальні системи, що мають усі

наведені нижче складові:

1. Які містять "лазер"; та

2. Які експлуатуються безперервно

                    (принаймні    12    годин    при

коливанні навколишньої

температури +- 1 град. К при

                    стандартних    температурі    та

тиску) і мають усі наведені

нижче характеристики:

                    a. "Розподілюваність"   на    їх

повній шкалі становить 0,1

мкм або менше (краще); та

b. "Похибка вимірювання"

дорівнює або менше (краще)

(0,2 + L/2000) мкм (де L -

довжина, що вимірюється в

міліметрах);

 Примітка    За  пунктом  2.B.6.b.1    контролю   не

підлягають вимірювальні

             інтерферометричні      системи      без

зворотного зв'язку із замкненим або

відкритим контурами, що містять "лазер"

для вимірювання помилок переміщення

             рухомих   частин   верстатів,   засобів
             контролю     за      розмірами      або

подібного обладнання.

             2. Кутові   вимірювальні   прилади    з 903140000

"кутовою девіацією", що дорівнює або 903180310

менше (краще) 0,00025 градусів; 903180910

 Примітка    За  пунктом  2.B.6.b.2    контролю   не

підлягають оптичні прилади, такі як

             автоколіматори,    що    використовують

колімоване світло для фіксації кутового

відхилення дзеркала.

2.B.6.c. Обладнання для вимірювання нерівностей 903140000

             поверхні  з   використанням   оптичного
             розсіювання   як   функції    кута    з

чутливістю 0,5 нм або менше (краще).

Примітки 1. Верстати, що можуть бути використані

як засіб вимірювання, підлягають

                контролю,    якщо    їх    параметри
                відповідають     або     перевищують

критерії, встановлені для функцій

                верстатів     або      вимірювальних

приладів.

2. Устаткування, зазначене в пункті

2.B.6, підлягає контролю, якщо його

                параметри     перевищують     рівень
                контролю   в   будь-якому   робочому

діапазоні.

 2.B.7.      "Роботи",   що   мають   будь-яку    із 847989500
 [2B007]     зазначених   нижче   характеристик    і 853710100

спеціально спроектовані контролери та 853710910

"робочі органи" до них: 853710990

 2.B.7.a.    Здатні  в   реальному   масштабі   часу

повністю відобразити процес чи об'єкт у

             трьох  вимірах   з   генеруванням   або
             модифікацією     "програм"     чи     з

генеруванням або модифікацією цифрових

даних, що програмуються.

 Примітка    Обмеження   зазначених   процесів   або
             об'єкта   не   включають   апроксимацію

третього виміру через заданий кут або

інтерпретацію через обмеження шкали для

             сприйняття   глибини    або    текстури

модифікації завдань (21/2 D).

 2.B.7.b.    Спеціально  розроблені  відповідно   до

національних стандартів безпеки, здатні

             виробляти   вибухівку   або    вибухові

пристрої;

2.B.7.c. Спеціально спроектовані або оцінюються

як радіаційно стійкі, які витримують

більш як 5 х 10 в ступ. 5 рад (Si) без

операційної деградації; або

2.B.7.d. Спеціально призначені для операцій на

висоті, що перевищує 30000 метрів.

 2.B.8.      Вузли,  блоки  та   вставки,   наведені
 [2B008]     нижче,   спеціально   розроблені    для

верстатів чи обладнання, що підлягають

             контролю   за   пунктами   2.B.6    або

2.B.7:

2.B.8.a. Блоки оцінки лінійного положення із з 8466

зворотним зв'язком (наприклад прилади

індуктивного типу, калібровані шкали,

             інфрачервоні  системи   або   "лазерні"

системи), які мають повну "точність"

менше (краще) [800 + (600 х L х 10 в

ступ. мінус 3)] нм (L - ефективна

довжина в міліметрах);

Примітка Для "лазерних" систем використовується

також примітка до пункту 2.B.6.b.1.

2.B.8.b. Блоки оцінки положення обертання із з 8466

зворотним зв'язком (наприклад прилади

індуктивного типу, калібровані шкали,

             інфрачервоні  системи   або   "лазерні"

системи), які мають "точність" менше

(краще) 0,00025 градусів;

Примітка Для "лазерних" систем використовується

також примітка до пункту 2.B.6.b.1.

 2.B.8.c.    "Складені    обертові    столи"     або з 8466

"нахильні шпинделі", використання яких

             за   специфікацією    виробника    може
             модифікувати   верстати    до    рівня,

зазначеного у п. 2.B або вище.

 2.B.9.      Обкатні   вальцювальні   та   згинальні 846229100

[2B009] верстати, які відповідно до технічної 846390100

             специфікації  виробника   можуть   бути 846390900

обладнані блоками "числового керування"

або комп'ютерного управління і які

             мають      усі      наведені      нижче

характеристики:

2.B.9.a. З двома або більше осями керування, дві

з яких здатні одночасно координуватися

для "контурного керування"; або

2.B.9.b. З підсиленням на обкатному інструменті

понад 60 кН.

 Примітка    Верстати,  в  яких   поєднані   функції

обкатних вальцювальних та згинальних

             верстатів,  розглядаються   для   цілей

пункту 2.B.9 як такі, що належать до

обкатних вальцювальних верстатів.

2. C. МАТЕРІАЛИ - відсутні

2.D. ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ

2.D.1.      "Програмне  забезпечення",   спеціально з 8524
 [2D001]     призначене   або    модифіковане    для
             "розроблення",    "виробництва"     або

"використання" обладнання, зазначеного

в розділах 2.A або 2.B.

 2.D.2.      "Програмне      забезпечення"       для з 8524

[2D002] електронних пристроїв, у тому числі

вмонтоване, яке надає можливість таким

пристроям або системам функціонувати як

             блок  "числового   керування",   здатне
             виконувати   будь-що   із   зазначеного

нижче:

2.D.2.a. Координувати одночасно понад 4 осі для

"контурного керування"; або

2.D.2.b. Здійснювати "в реальному масштабі часу"

опрацювання даних для зміни траєкторії

             переміщення   інструменту,    швидкості

подачі та положення шпинделя під час

операції, яка виконується верстатом, у

будь-якому із зазначених нижче видів:

             1. Автоматичне      обчислення       та

модифікація програмних даних для

функціонування двох або більше осей

за допомогою вимірювання циклів та

дій з базою даних; або

2. "Адаптивне керування" з більше ніж

                однією   фізичною    змінною,    яка

виміряна та оброблена за допомогою

комп'ютерної моделі (стратегія) для

зміни однієї або більше машинних

команд для оптимізації процесу.

Примітка За пунктом 2.D.2 контролю не підлягає

"програмне забезпечення", спеціально

             розроблене   або    модифіковане    для

верстатів, які не підлягають контролю

за пунктами розділу 2.

2.E. ТЕХНОЛОГІЯ

2.E.1. "Технологія" відповідно до пункту 3 з 3705

[2E001] загальних приміток для "розроблення" з 3706, 8524

             обладнання       або       "програмного 490199000

забезпечення", які підлягають контролю 490600000

за пунктами 2.A, 2.B або 2.D.

2.E.2. "Технологія" відповідно до пункту 3 з 3705

[2E002] загальних приміток для "виробництва" з 3706, 8524

обладнання, яке підлягає контролю за 490199000

тактами 2.A або 2.B. 490600000

 2.E.3.      Інші "технології", наведені нижче:      з 3705

[2E003] з 3706, 8524

 2.E.3.a.    "Технологія"     для      "розроблення" 490199000
             інтерактивної  графіки   як   загальної 490600000

частини блоків "числового керування"

             для    підготовки    або    модифікації

елементів "програм"

 2.E.3.b.    "Технологія",   наведена   нижче,   для

виробничих процесів металооброблення:

1. "Технологія" проектування верстатів

                (інструментів),     пресформ     або
                затискних   пристроїв,    спеціально
                призначених   для    будь-якого    з

наведених нижче процесів:

a. "Надпластичного формування";

b. "Дифузійного зварювання"; або

 2.E.3.b.    1. c. "Безпосереднього    гідравлічного

пресування";

2. Технічні дані, що включають методи

або параметри реалізації процесу,

наведені нижче, які використовуються

для управління:

a. "Надпластичним формуванням"

алюмінієвих, титанових сплавів

або "суперсплавів", включаючи:

1. Підготовку поверхні;

2. Швидкість відносної

деформації;

3. Температуру;

4. Тиск;

b. "Дифузійним зварюванням"

"суперсплавів" або

титанових

сплавів, включаючи:

1. Підготовку поверхні;

2. Температуру;

3. Тиск;

4. Час;

c. "Безпосереднім гідравлічним

                   пресуванням"   алюмінієвих    або

титанових сплавів, включаючи:

1. Тиск;

2. Час циклу;

d. "Гарячим ізостатичним

                   модифікуванням"   алюмінієвих   і
                   титанових       сплавів       або

"суперсплавів", включаючи:

1. Температуру;

2. Тиск;

3. Час циклу;

 2.E.З.c.    "Технологія"  для   "розроблення"   або
             "виробництва"   гідравлічних   витяжних

формувальних машин і відповідних форм

для виготовлення корпусних конструкцій

літака;

 2.E.3.d.    "Технологія"     для      "розроблення"

генераторів машинних команд (елементів

             "програм")  з  проектних   даних,   які

знаходяться всередині блоків "числового

керування";

 2.E.3.e.    "Технологія"     для      "розроблення"

загального "програмного забезпечення"

для об'єднаних експертних систем, які

             підвищують    у    заводських    умовах

операційні можливості блоків "числового

керування";

2.E.3.f. "Технологія" використання неорганічних

покриттів або неорганічних покриттів з

модифікацією поверхні (зазначених у

графі 3 "Результуюче покриття" таблиці

             до    пункту),     на     неелектронних
             "підложках"  (зазначених  у   графі   2

"Підложки" таблиці до пункту), процесів

(зазначених у графі 1 "Найменування

процесу нанесення покриття" таблиці до

             пункту  і   визначених   приміткою   до

таблиці).

*                           Розділ 2. ОБРОБЛЕННЯ МАТЕРІАЛІВ                         *
*************************************************************************************
*                                Таблиця до пункту 2.E.3.f                          *
*                           Технічні методи осадження покриття                      *
*************************************************************************************
* 1. * Найменування процесу  *       2. Підложки       *  3. Результуюче покриття   *
*    * нанесення покриття (1)*                         *                            *
*************************************************************************************
 A.   Хімічне осадження з     "Суперсплави"             Алюмініди для внутрішніх

газової фази (CVD) каналів

Кераміка та скло з Силіциди

малим коефіцієнтом Карбіди

термічного розширення Шари діелектриків (15)

(14)*

Вуглець-вуглець Силіциди

Карбіди

"Композиційні" Тугоплавкі метали

матеріали (композити) з Суміші зазначених

керамічною та металевою матеріалів (4)

"матрицею" Шари діелектриків (15)

Алюмініди

Леговані алюмініди (2)

Цементований карбід Карбіди

вольфраму (16) Вольфрам

Карбід кремнію Суміші наведених раніше

матеріалів (4)

Шари діелектриків (15)

Молібден та його Шари діелектриків (15)

сплави

Берилій та його сплави Шари діелектриків (15)

Матеріали вікон Шари діелектриків (15)

датчиків (9)

B. Фізичне осадження з

парової фази

термовипаровуванням

(TE-PVD)

1. Фізичне осадження з "Суперсплави" Леговані силіциди

парової фази (PVD) Леговані алюмініди (2)

з випарюванням MCrALX(5)

електронним променем Модифіковані види діоксиду

(EB-PVD) цирконію (12)

Силіциди

Алюмініди

Суміші зазначених

матеріалів (4)

* Номери у дужках належать до приміток, зазначених після цієї

таблиці.

B.1. (продовження) Кераміка та скло з малим Шари діелектриків (15)

коефіцієнтом термічного

розширення (14)

Корозійностійка сталь MCrAlX (5)

(криця) (7) Модифіковані види діоксиду

цирконію (12)

Суміші зазначених

матеріалів (4)

Вуглець-вуглець Силіциди

"Композиційні" Карбіди

матеріали з керамічною Тугоплавкі метали

та металевою Суміші зазначених

"матрицею" матеріалів (4)

Шари діелектриків (15)

Цементований карбід Карбіди

вольфраму (16) Вольфрам

Карбід кремнію Суміші зазначених

матеріалів (4)

Шари діелектриків (15)

Молібден та його Шари діелектриків (15)

сплави

Берилій та його сплави Шари діелектриків (15)

Бориди

Матеріали вікон Шари діелектриків (15)

датчиків (9)

Титанові сплави (13) Бориди

Нітриди

 B.2. Фізичне осадження з     Кераміка та скло з        Шари діелектриків (15)

парової фази засобом малим коефіцієнтом

резистивного нагрівання термічного розширення

(іонне осадження (14)

(плакування)

Вуглець-вуглець Шари діелектриків (15)

"Композиційні"

матеріали з керамічною

та металевою

"матрицею"

Цементований карбід Шари діелектриків (15)

вольфраму (16)

Карбід кремнію

Молібден та його сплави Шари діелектриків (15)

Берилій та його сплави Шари діелектриків (15)

Матеріали вікон Шари діелектриків (15)

датчиків (9)

 B.3. Фізичне осадження з     Кераміка та скло з        Силіциди
      парової фази:           малим коефіцієнтом        Шари діелектриків (15)

випарювання "лазерним" термічного розширення

променем (14)

Вуглець-вуглець Шари діелектриків (15)

"Композиційні"

матеріали з керамічною

та металевою

"матрицею"

Цементований карбід Шари діелектриків (15)

вольфраму (16)

Карбід кремнію

Молібден та його сплави Шари діелектриків (15)

Берилій та його сплави Шари діелектриків (15)

Матеріали вікон Шари діелектриків (15)

датчиків (9) Алмазоподібний вуглець

 B.4. Фізичне осадження       "Суперсплави"             Леговані силіциди

з парової фази: Леговані аліомініди (2),

катодний дуговий MCrAlX (5)

розряд

Полімери (11) та Бориди

"Композиційні" Карбіди

матеріали з органічною Нітриди

"матрицею"

 C.   Пакова цементація       Вуглець-вуглець           Силіциди

(твердофазне насищення) Кераміка та Карбіди

      (див. "A") (10)         "Композиційні"            Суміші зазначених

матеріали з металевою матеріалів (4)

"матрицею"

Сплави титану (13) Силіциди

Алюмініди

Леговані алюмініди (2)

Тугоплавкі метали та Силіциди

сплави (8) Оксиди

 D.   Плазмове напилення      "Суперсплави"             MCrAlX (5)

Модифікований діоксид

цирконію (12)

Суміші зазначених

матеріалів (4)

Ерозійностійкий

нікель-графіт

Ерозійностійкий нікель-

хром-алюміній-бентоніт

Ерозійностійкий алюміній-

кремній-поліестр

Леговані алюмініди (2)

Сплави алюмінію (6) MCrAlX (5)

Модифікований діоксид

цирконію (12)

Силіциди

Суміші зазначених

матеріалів (4)

Тугоплавкі метали та Алюмініди

сплави (8) Силіциди

Карбіди

Корозійностійкі сталі Модифікований діоксид

(7) цирконію (12)

Суміші зазначених

матеріалів (4)

Титанові сплави (13) Карбіди

Алюмініди

Силіциди

Леговані алюмініди (2)

Ерозійностійкий нікель-

графіт

Ерозійностійкий нікель-

хром-алюміній-бентоніт

діоксиду цирконію

Ерозійностійкий алюміній-

кремній-поліестр

 E.   Шликірні суспензійні    Тугоплавкі метали         Плавлені силіциди

покриття (осадження) Плавлені алюмініди

(8) (крім матеріалів для

нагрівних елементів)

Вуглець-вуглець Силіциди

"Композиційні" Карбіди

матеріали з керамічною Суміші зазначених матеріалів

та металевою "матрицею" (4)

 F.   Нанесення покриттів     "Суперсплави"             Леговані силіциди

розпиленням Леговані алюмініди (2)

Алюмініди модифіковані

благородними металами (3)

MCrAIX (5)

Види модифікованого

діоксиду цирконію (12)

Платина

Суміші зазначених матеріалів

(4)

Кераміка та скло з Силіциди

малим коефіцієнтом Платина

розширення (14) Суміші зазначених

матеріалів (4)

Шари діелектриків (15)

                              Титанові сплави (13)      Бориди     Нітриди

Оксиди Силіциди

Алюмініди Карбіди

Леговані алюмініди (2)

Вуглець-вуглець Силіциди

"Композиційні" Карбіди

матеріали з керамічною Тугоплавкі метали

та металевою Суміші зазначених

"матрицею" матеріалів (4)

Шари діелектриків (15)

Цементований карбід Карбіди

вольфраму (16) Вольфрам

Карбід кремнію Суміші зазначених

матеріалів (4)

Шари діелектриків (15)

Молібден та його сплави Шари діелектриків (15)

Берилій та його Бориди

сплави Шари діелектриків (15)

Матеріали вікон Шари діелектриків (15)

датчиків (9)

Тугоплавкі метали та Алюмініди

сплави (8) Силіциди

Оксиди

Карбіди

 G.   Іонна імплантація       Термостійкі               Поверхневе легування

шарикопідшипникові хромом,

сталі танталом або

ніобієм (комбієм)

Титанові сплави (13) Бориди

Нітриди

Берилій та його сплави Бориди

Цементований карбід Карбіди

вольфраму (16) Нітриди

*                Розділ 2. ОБРОБЛЕННЯ МАТЕРІАЛІВ                  *
*******************************************************************
*     Примітки до таблиці:  Технічні методи осадження покриття    *
*******************************************************************
 1.  Термін  "процес  покриття"  включає   як   нанесення   нового

покриття, так і ремонт та поновлення існуючого.

 2.  Термін    "покриття    легованими    алюмінідами"     включає
     одностадійний   або   багатостадійний    процесс    нанесення

покриттів, під час якого елемент або елементи осаджуються до

або під час одержання алюмінідного покриття, навіть якщо ці

елементи додаються за допомогою іншого процесу. Але він не

включає багаторазове використання одноступеневих процесів

     пакової  цементації  для  отримання   покриттів   на   основі

легованих алюмінідів.

3. Термін "покриття алюмінідами модифікованими благородними

металами" включає багатоступеневе нанесення покриття, в якому

благородний метал або благородні метали були нанесені раніше

будь-яким іншим способом до отримання покриття легованими

алюмінідами.

 4.  Суміші   включають   інфільтруючий    матеріал,    градієнтні
     композиції,   присадки   та    багатошарові    матеріали    і

використовуються під час одного або декількох процесів

отримання покриттів, зазначених у таблиці.

5. MCrAlX відповідає складному сплаву покриття, де "M" означає

кобальт, залізо, нікель або їх комбінації, а "X" означає

гафній, ітрій, кремній, тантал в будь-якій кількості, або

інші спеціально внесені додатки у кількості понад 0,01

вагового відсотка у різноманітних пропорціях та комбінаціях,

крім:

a. CoCrAlY - покриття, які мають менш як 22 вагових відсотки

хрому, менш як 7 вагових відсотків алюмінію та менш як 2

вагових відсотки ітрію; або

b. CoCrAlY - покриття, які мають 22 - 24 відсотки (за масою)

        хрому,  10-12  вагових  відсотків  алюмінію   та   0,5-0,7

вагового відсотка ітрію; або

c. NiCrAlY- покриття, які мають 21 - 23 відсотки (за масою)

        хрому,  10-12  вагових  відсотків  алюмінію   та   0,9-1,1

вагового відсотка ітрію.

6. Термін "сплави алюмінію" відповідає сплавам з граничним

значенням міцності на розрив 190 МПа або більше, виміряним

при температурі 293 К (20 град. С).

 7.  Термін   "корозійностійка   сталь"   означає    сталі,

які

     задовольняють   вимоги    стандарту    серії    300    (AISI)
     Американського  інституту  заліза   та   сталі   або   вимоги

відповідних національних стандартів.

8. До тугоплавких металів належать такі метали та їх сплави:

ніобій (коламбій - в США), молібден, вольфрам і тантал.

9. Матеріалами вікон датчиків є: оксид алюмінію, кремній,

германій, сульфід цинку, селенід цинку, арсенід галію та такі

галогеніди металів: йодистий калій, фтористий калій, а для

вікон датчиків, які мають діаметр більш як 40 мм, бромистий

талій та хлоробромистий талій.

 10. На   "технологію"   для   одноступеневих   процесів   пакової

цементації суцільних лопаток турбін не поширюються обмеження

за розділом 2.

 11. Полімери   включають:   поліімід,   поліестр,    полісульфід,

полікарбонати та поліуретани.

 12. Модифікований  діоксид  цирконію   -   діоксид   цирконію   з

додаванням оксидів інших металів (таких як оксиди кальцію,

     магнію,   ітрію,   гафнію,   рідкоземельних   металів)    для
     стабілізації  відповідних  кристалографічних   фаз   та   фаз
     зміщення.   Термозахисні   покриття    діоксидом    цирконію,

модифіковані оксидом кальцію або оксидом магнію шляхом

змішування або розплаву, контролю не підлягають.

13. Під титановими сплавами маються иа увазі аерокосмічні сплави

з граничним значенням міцності на розрив 900 МПа або більше,

виміряним при температурі 293 К (20 град. С).

14. Скло з малим коефіцієнтом термічного розширення визначається

як скло, що має коефіцієнт температурного розширення 1 х 10 в

ступ. мінус 7 К в ступ. мінус 1 або менше, виміряний при

температурі 293 К (20 град. С).

 15. Діелектричні  шарові  покриття  належать   до   багатошарових

ізоляційних матеріалів, у яких комбінація інтерференційних

     властивостей  матеріалів   з   різноманітними   коефіцієнтами
     рефракції  використовуються  для   відбиття,   передачі   або

поглинання хвиль різноманітних діапазонів. До діелектричних

шарових покриттів належать ті, що складаються з чотирьох або

     більше   шарів   діелектрика   або    шарових    "композицій"

діелектрик-метал.

 16. До    цементованого    карбіду    вольфраму    не    належать

інструментальні матеріали, які застосовуються для різання та

     механічної   обробки   і   які    складаються    з    карбіду

вольфраму/(ко6альт-нікель), карбіду титану/(кобальт-нікель),

карбіду хрому/(нікель-хром) і карбіду хрому/(нікель).

Процеси, зазначені у графі "Найменування процесу нанесення

покриття" визначаються таким чином:

a. Хімічне осадження з газової фази (CVD) - це процес

нанесення зовнішнього покриття або покриття з модифікацією

        поверхні,  що  покривається,   в   якому   метал,   сплав,
        "композиційний"   матеріал,   діелектрик   або    кераміка

наносяться на нагріту підложку (основу). Газоподібні

реагенти розпадаються або сполучаються на поверхні виробу,

внаслідок чого на ній утворюються бажані елементи, сплави

або хімічні сполуки. Енергія для такого розпаду або

хімічної реакції може бути забезпечена за рахунок нагріву

підложки плазмовим розрядом або променем "лазера".

Особливі примітки:

1. Хімічне осадження з газової фази (CVD) включає такі

процеси: "безпакетне" нанесення покриття прямим газовим

струменем, газоциркуляційне хімічне осадження, кероване

           зародження   центрів   конденсації    при    термічному

осадженні (CNTD) або хімічне осадження з газової фази

(CVD) з викориспанням плазми;

2. "Пакет" означає занурення основи (підложки) в суміш з

кількох складових;

        3. Газоподібні    реагенти,    що    використовуються    у

безпакетному процесі, отримуються за такими ж базовими

реакціями та параметрами, як і цементація, Крім того

випадку, коли підкложка, на яку наноситься покриття не

має контакту із сумішшю порошків.

     b. Фізичне  осадження  з  парової   фази    термовипарюванням

(TE-PVD) - це процес зовнішнього покриття виробу у вакуумі

під тиском менш як 0,1 Па, коли джерело теплової енергії

використовується для перетворення на пару матеріалу, що

        наноситься,   внаслідок   чого   частки   матеріалу,   що

випаровується, конденсуються або осаджуються на відповідно

розташовану підложку.

Напуск газів у вакуумну камеру в процесі осадження для

створення складних покриттів є звичайною модифікацією

процесу.

Використання іонних або електронних променів або

плазми для активації або сприяння нанесенню покриття це

також звичайна модифікація цієї технології. Використання

моніторів для забезпечення вимірювання під час процесу

оптичних характеристик або товщини покриття може бути

характерною особливістю цих процесів.

Специфіка процесу TE-PVD за допомогою резистивного

нагріву полягає у тому, що:

            1. При  EB-PVD   для   нагрівання   та   випаровування
               матеріалу,  який   формує   покриття   на   виробі,

використовується електронний промінь;

            2. При  PVD  з  резистивним   нагрівом,   яке   здатне
               забезпечити    контрольований    та     рівномірний
               (однорідний)   потік   пари   матеріалу   покриття,

використовується електричний опір;

3. При випаровуванні "лазером" для нагріву матеріалу,

що формує покриття, використовується імпульсний або

безперервний "лазерний" промінь;

4. У процесі покриття за допомогою катодної дуги

використовується витрачуваний катод з матеріалу, що

формує покриття та створює розряд дуги на поверхні

катода після миттєвого контакту із заземленим

пусковим пристроєм (тригером). Контрольований рух

дуги призводить до ерозії поверхні катоду та

виникнення високоіонізованої плазми. Анод може бути

конічним та розташовуватись по периферії катоду

через ізолятор або сама камера може грати роль

аноду. Для нанесення покриття на підложку, що

розташована не на лінії, використовується зміщення

напруги.

Особлива Зазначений у підпункті 4 процес не стосується нанесення

примітка покриття довільною катодною дугою без зміщення напруги.

c. Іонне покриття - це спеціальна модифікація загального

TE-PVD процесу, в якому плазмове або іонне джерело

використовується для іонізації часток, які наносяться як

покриття, а негативне зміщення напруги прикладається до

підложки, що сприяє осадженню складових покриття з плазми.

        Введення   активних   реагентів,   випаровування   твердих

матеріалів в камері, а також використання моніторів, які

забезпечують вимірювання (в процесі нанесення покриття)

оптичних характеристик та товщини покриття, є звичайними

модифікаціями процесу;

d. Паковна цементація - це модифікація методу нанесення

        покриття  на  поверхню  або  процес   нанесення   виключно

зовнішнього покриття, коли підложка занурена в суміш

порошків (пак), яка складається з:

1. Металевих порошків, які входять до складу покриття

(звичайно алюміній, хром, кремній або їх комбінація);

2. Активатора (здебільшого галоїдна сіль); та

3. Інертної пудри, найчастіше - оксиду алюмінію.

Підложка та суміш порошків утримуються всередині

реторти, яка нагрівається до температури

від 1030 К (757

град. С) до 1375 К (1102 град. С) на час, який достатній

для нанесення покриття;

е. Плазмове напилення - це процес нанесення зовнішнього

покриття, коли плазмова гармата (пальник напилення), в

якій утворюється і керується плазма, використовує порошок

або дріт з матеріалу покриття, розплавляє їх та спрямовує

на підложки, де формується інтегрально зв'язане покриття.

Плазмове напилення може грунтуватися на напиленні плазмою

низького тиску або високошвидкісною плазмою під водою.

Особливі 1. Низький тиск - це тиск нижче атмосферного;

примітки

2. Високошвидкісна плазма визначається швидкістю газу

на зрізі сопла, що перевищує 750 м/с, розрахованої

при температурі 293 К (20 град. С) та тиску 0,1 Мпа.

f. Осадження із суспензії - це процес нанесення покриття з

модифікацією поверхні, що покривається, коли металевий або

керамічний порошок з органічною речовиною, що сполучає,

суспензовано в рідині та наноситься на підложку за

допомогою напилення, занурення або фарбування з наступним

повітряним або пічним сушінням та термічною обробкою для

одержання необхідних властивостей покриття;

g. Осадження розпиленням - це процес нанесення зовнішнього

покриття, який грунтується на феномені передачі кількості

руху, коли позитивні іони прискорюються в електричному

полі в напрямі до поверхні мішені (підложки виробу, що

покривається). Кінетична енергія ударів іонів достатня для

визволення атомів на поверхні мішені та їх осадження на

відповідно розташовану підложку;

Особливі 1. У таблиці наведені відомості тільки щодо тріодного,

примітки магнетронного або реактивного осадження розпиленням,

які застосовуються для збільшення адгезії матеріалу

покриття та швидкості його нанесення, а також щодо

             радіочастотного     підсилення     напилення,     яке

використовується під час нанесення пароутворюючих

неметалевих матеріалів для покриття.

2. Низькоенергетичні іонні промені (менше 5 КеВ) можуть

бути використані для прискорення (активації) процесу

нанесення покриття.

h. Іонна імплантація - це процес нанесення покриття з

модифікацією поверхні виробу, в якому легуючий елемент

        іонізується,   прискорюється   системою    з    градієнтом

потенціалу та імплантується на поверхню підложки. До

процесів з іонною імплантацією належать і процеси, де

        іонна   імплантація   здійснюється   одночасно   під   час
        електронно-променевого     осадження     або     осадження

розпилюванням.

*                Розділ 2. ОБРОБЛЕННЯ МАТЕРІАЛІВ                   *
********************************************************************
*            Технічна термінологія, що використовується            *
*          в таблиці технічних засобів осадження покриття          *

Мається на увазі, що технічна інформація стосовно таблиці

технічних засобів осадження покриття використовується у разі

потреби.

1. Спеціальна термінологія, яка застосовується в "технологіях"

для попереднього оброблення "підложок", зазначених у таблиці:

а. Параметри хімічного зняття покриття та очищення у ванні:

1. Склад розчину у ванні:

          а. Для   усунення  старого  та  пошкодженого   покриття,

продуктів корозії або сторонніх відкладень;

b. Для приготування чистих підложок;

2. Час оброблення у ванні;

3. Температура у ванні;

4. Кількість та послідовність циклів миття;

b. Візуальні та макроскопічні критерії для

визначення

ступеня очищення або повноти очисної дози;

с. Параметри циклів термічного оброблення:

1. Атмосферні параметри:

а. Склад атмосфери;

b. Атмосферний тиск;

2. Температура термічної обробки;

3. Тривалість термічної обробки;

d. Параметри підготовки підложок:

1. Параметри піскоструминного очищення:

а. Склад часток;

b. Розмір та форма часток;

с. Швидкість подачі часток;

             2. Час   та  послідовність  циклів   очищення   після

піскоструминного очищення;

3. Параметри кінцевого оброблення поверхні;

е. Технічні параметри маскування:

1. Матеріал маски:

2. Розміщення маски;

2. Спеціальна термінологія, що застосовується в "технологіях",

які забезпечують якість покриття, для засобів, зазначених у

таблиці:

а. Атмосферні параметри, наведені нижче:

1. Склад атмосфери;

2. Атмосферний тиск;

b. Часові параметри;

с. Температурні параметри;

d. Параметри товщини;

е. Коефіцієнт параметрів заломлення;

3. Спеціальна термінологія, що застосовується в "технологіях",

які використовуються після нанесення покриття на підложку,

зазначену в таблиці:

а. Параметри дробоструминної обробки:

1. Склад дробу;

2. Розмір дробу;

3. Швидкість подачі дробу;

b. Параметри очищення після обробки дробом;

с. Параметри циклу термічної обробки:

1. Атмосферні параметри:

а. Склад атмосфери;

b. Атмосферний тиск;

2. Температурно-часові цикли;

d. Візуальні та макроскопічні критерії під час приймання

покритих підложок;

4. Спеціальна термінологія, що застосовується в "технологіях" для

визначення технічних засобів, які гарантують якість покриття

підложок, зазначених в таблиці:

а. Критерії статистичного відбіркового контролю;

b. Мікроскопічні критерії для:

1. Збільшення;

2. Рівномірності товщини покриття;

3. Цілісності покриття;

4. Складу покриття;

5. Зчеплення покриття та підложки;

6. Мікроструктури однорідності;

с. Критерії для оцінки оптичних властивостей:

1. Відбивна властивість;

2. Прозорість;

3. Поглинання;

4. Розсіювання.

5. Спеціальна термінологія, що застосовується в "технологіях" та

параметрах, пов'язаних із специфічним покриттям та з процесами

видозмінювання поверхні, зазначеними в таблиці:

а. Для хімічного осадження з газової фази:

1. Склад та формування джерела покриття;

2. Склад несучого газу;

3. Температура підложки;

4. Температурно-часові цикли та цикли тиску;

5. Контроль газу та маніпулювання деталями;

b. Для термічного випарювання - фізичного осадження з парової

фази:

1. Склад зливка або джерела матеріалу покриття;

2. Температура підложки;

3. Склад активного газу;

4. Швидкість подачі зливків або швидкість випаровування

матеріалу;

5. Температурно-часові цикли та цикли тиску;

6. Маніпуляція променем та деталлю;

7. Параметри "лазера":

а. Довжина хвилі;

b. Щільність потужності;

с. Тривалість імпульсу;

d. Періодичність імпульсів;

е. Джерело;

f. Орієнтація підложки;

с. Для твердофазного осадження:

1. Склад обмазки та формування;

2. Склад несучого газу:

3. Температурно-часові цикли та цикли тиску;

d. Для плазмового напилення:

1. Склад порошку, підготовка та розподіл розмірів;

2. Склад та параметри газу, що подається;

3. Температура підложки;

4. Параметри потужності плазмової гармати;

5. Дистанція напилення;

6. Кут напилення;

7. Склад покривного газу, тиск та швидкість потоку;

8. Контроль за гарматою та маніпуляцією

деталями;

е. Для осадження розпиленням:

1. Склад та спосіб виробництва мішені;

2. Геометричне регулювання положення деталей та мішені;

3. Склад хімічно активного газу;

4. Високочастотне підмагнічування (електричне зміщення);

5. Температурно-часові цикли та цикли тиску;

6. Потужність тріода;

7. Маніпулювання деталлю;

f. Для іонної імплантації:

1. Контроль променю та маніпулювання деталлю;

2. Елементи конструкції джерела іонів;

3. Техніка контролю за іонним променем та параметрами

швидкості осадження;

4. Температурно-часові цикли та цикли тиску;

g. Для іонного покриття:

1. Контроль за променем та маніпулюванням деталлю;

2. Елементи конструкції джерела іонів;

3. Техніка контролю за іонним променем та параметрами

швидкості осадження;

4. Температурно-часові цикли та цикли тиску;

5. Швидкість подачі покривного матеріалу та швидкість

випаровування;

6. Температура підложки;

7. Параметри електричного зміщення підложки.

*                       Розділ 3. ЕЛЕКТРОНІКА                        *
**********************************************************************
*Номер    *            Найменування продукції            * Код товару*

*пункту * * за ТН ЗЕД *

3. ЕЛЕКТРОНІКА

3.A. СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І КОМПОНЕНТИ

Примітки 1. Статус контролю за обладнанням та

компонентами, зазначеними в пункті

3.A, що відрізняються від описаних

в пунктах 3.A.1.a.3 - 3.A.1.a.10

                або  3.A.1.a.12,    які   спеціально
                спроектовані    або    мають    такі

функціональні характеристики, як і

                інше    обладнання,     визначається
                статусом    контролю    за     іншим

обладнанням.

2. Статус контролю за інтегральними

                схемами,   зазначеними   в   пунктах
                3.A.1.a.3    -    3.A.1.a.9      або

3.A.1.a.12, програми яких не можуть

бути змінені, або спроектовані для

виконання конкретних функцій для

                іншого   обладнання,    визначається
                статусом    контролю    за     іншим

обладнанням.

Особлива У разі коли виробник або заявник не

примітка може визначити статус контролю за іншим

обладнанням, цей статус визначається

             статусом  контролю   за   інтегральними
             схемами,    зазначеними    в    пунктах
             3.A.1.a.3      -     3.A.1.a.9      або

3.A.1.a.12.

             Якщо    ця    інтегральна    схема    є
             "мікросхемою    мікрокомп'ютера"     на
             кремнієвій   основі   або   мікросхемою

мікроконтролера, зазначеними в пункті

3.A.1.a.3 і має довжину слова операнда

             8  біт  або  менше,  тоді   її   статус

контролю визначається відповідно до

пункту 3.A.1.a.3.

3.A.1. Електронні компоненти, наведені нижче:

[3A001]

 3.A.1.a.    Інтегральні    мікросхеми    загального

призначення, наведені нижче:

 Примітки    1. Статус    контролю    за    готовими

пластинами або напівфабрикатами, на

яких відтворена конкретна функція,

                визначається     за     параметрами,

зазначеними у пункті 3.A.1.a.

2. Поняття "інтегральні схеми" включає

такі типи:

"монолітні інтегральні схеми";

"гібридні інтегральні схеми";

"багатокристалічні інтегральні

схеми";

                "плівкові    інтегральні     схеми",

включаючи інтегральні схеми типу

кремній на сапфірі;

"оптичні інтегральні схеми".

3.A.1.a. 1. Інтегральні схеми, спроектовані або з 854211

атестовані як радіаційно зміцнені з 854219

для того, щоб витримати будь-що з

наведеного нижче:

а. Загальну дозу - 5 х 10 в ступ. 3

рад (кремній) чи вище; або

b. Одиночну дозу - 5 х 10 в ступ. 6

рад (кремній) чи вище;

2. "Мікросхеми мікропроцесора", з 854211

"мікросхеми мікрокомп'ютера",

мікросхеми мікроконтролера,

                інтегральні      схеми      пам'яті,
                виготовлені       із       складного
                напівпровідника,   перетворювачі   з
                аналогової    форми    у    цифрову,

перетворювачі з цифрової форми в

                аналогову,    електрооптичні     або
                "оптичні     інтегральні     схеми",
                призначені      для      "оброблення
                сигналів",   вентильні   матриці   з

експлуатаційним програмуванням,

логічні матриці з експлуатаційним

програмуванням, інтегральні схеми

нейронної мережі, інтегральні схеми

на замовлення, для яких або невідома

                функція,    або    стан     контролю

обладнання, у якому буде використана

                інтегральна    схема,     невідомий,
                процесори   швидкого    перетворення

Фур'є (FFT), програмована постійна

                пам'ять  з   електричним   стиранням

(EEPROMs), імпульсна пам'ять або

                статична   пам'ять    з    довільною

вибіркою (SRAMs), які мають будь-яку

з наведених нижче характеристик:

                a. Працездатні    при    температурі

навколишнього природного

середовища понад 398 К (+125

град. C);

                b. Працездатні    при    температурі

навколишнього природного

середовища нижче 218 К (-55 град.

C); або

c. Працездатні за межами діапазону

температур навколишнього

природного середовища від 218 К

(-55 град. C) до 398 К (+125

град. C).

3. "Мікросхеми мікропроцесора",

                "мікросхеми    мікрокомп'ютера"    і
                мікросхеми   мікроконтролерів,   які

мають одну з наведених нижче ознак:

 Примітка    За  пунктом   3.A.1.a.2   контролю   не
             підлягають   інтегральні   схеми,    що

використовуються в цивільних

             автомобілях       або       залізничних

локомотивах.

 Примітка    У пункті 3.A.1.a.3   зазначено  цифрові

сигнальні процесори, цифрові матричні

процесори і цифрові співпроцесори.

a. "Сукупна теоретична продуктивність" 854211870

("СТР") 260 мільйонів теоретичних

операцій за секунду (Мегатопсів) або

більше та математичні співпроцесори

з шиною даних 32 біта або більше;

 3.A.1.a.    3.b. Виготовлені    з    композиційного  з 8542

напівпровідника та які працюють з

тактовою частотою понад 40 Мгц;

або

c. Більше ніж з однією шиною даних 854211760

або контролю чи з послідовним 854211550

                  комунікаційним     портом      для  854211720
                  зовнішнього     з'єднування      в

паралельному процесі

із швидкістю

                  передачі,   що    перевищує    2,5

Мбайта/с;

             4. Інтегральні      схеми      пам'яті,
                виготовлені        на         основі

напівпровідникових з'єднань.

5. Інтегральні схеми аналого-цифрових з 854211,

та цифро-аналогових перетворювачів, 854220

наведені нижче:

a. Аналого-цифрові перетворювачі,

які мають одну з таких ознак:

1. Розрядність 8 біт або більше,

але менш як 12 біт з повним

                      часом     перетворення      до

максимальної розрядності менш

як 10 нс;

2. Розрядність 12 біт та повний

                      час      перетворення       до

максимальної розрядності менш

як 200 нс;

або

3. Розрядність понад 12 біт з

повним часом перетворення до

максимальної розрядності менш

як 2 мкс;

b. Цифро-аналогові перетворювачі з

розрядністю 12 біт або більше та

"часом установлювання" менш як 10

нс.

             6. Електронно-оптичні   або    "оптичні  з 854219

інтегральні схеми" для "оброблення

сигналів", які мають усі наведені

нижче ознаки:

a. Один внутрішній "лазерний" діод

або більше;

b. Один внутрішній світлочутливий

елемент або більше; та

c. Оптичні хвильоводи;

7. Програмовані у користувача матриці 854211300

логічних елементів, які мають одну з

наведених нижче характеристик:

a. Еквівалентна кількість вентилів

                   понад  30000   (в   переліку   на

двовходові); або

                b. Типовий       "час       затримки

розповсюдження базового логічного

елементу" менш як 0,4 нс;

8. Програмовані у користувача матриці 854211910

логічних елементів, які мають одну з

наведених нижче характеристик:

a. Еквівалентна кількість вентилів

                   понад  30000   (в   переліку   на

двовходові);

b. Частота перемикання перевищує 133

МГц;

             9. Інтегральні   схеми   для  нейронних  з 854219

мереж;

3.A.1.a. 10. Інтегральні схеми на замовлення, для з 854219

яких функція призначення невідома,

або контрольний статус обладнання, в

                якому    будуть    використовуватися
                інтегральні      схеми,     невідомі
                виробнику,   які   мають   одну    з

наведених нижче характеристик:

a. Кількість виводів понад 208;

                b. Типовий        "час      затримки

розповсюдження базового логічного

елементу" менш як 0,35 нс; або

c. Робоча частота понад 3 ГГц;

            11. Цифрові   інтегральні   схеми,    що  854211990
                відрізняються   від   зазначених   у

пунктах 3.A.1.a.3 - 3.A.1.a.10 та

3.A.1.a.12, які створені на основі

будь-якого складного напівпровідника

і мають одну з наведених нижче

характеристик:

а. Еквівалентна кількість вентилів

                   понад  300  (у   перерахунку   на

двовходові); або

b. Частота перемикання понад 1,2

ГГц;

12. Процесори швидкісного перетворення з 8542, 8543

Фур'є (FFT), які мають одну

наведених нижче ознак:

                a. Розрахунковий    час    виконання

комплексного 1024 - позначкового

FFT менш як 1 мс;

                b. Розрахунковий    час    виконання

комплексного N-позначкового

складного FFT, відмінного від

1024 - позначкового, менш як N

                   log2   N/10240   мс,   де   N   -

кількість позначок; або

c. Продуктивність алгоритму

"метелик" понад 5,12 МГц.

 3.A.1.b.    Прилади       мікрохвильового        та
             міліметрового    діапазону,    наведені

нижче:

1. Електронні вакуумні лампи та катоди,

наведені нижче:

 Примітка    За  пунктом  3.A.1.b.1    контролю   не

підлягають лампи, призначені для роботи

             у   стандартному    діапазоні    частот
             Міжнародного    союзу    електрозв'язку

(ITU), які не перевищують 31 ГГц.

a. Лампи біжучої хвилі імпульсної 854049000

або безперервної дії, наведені

нижче:

1. Які працюють на частотах понад 31

ГГц;

                2. Які   мають   елемент   підігріву

катоду з часом від включення до

                   виходу   лампи   на    номінальну

радіочастотну потужність менш як

3 с;

3. Із сполученими резонаторами або

                   їх   модифікаціями   зі   "смугою

пропускання" понад 7 відсотків

або з піковою потужністю понад

2,5 кВт;

3.A.1.b. 1.a.4. Із спіраллю або її модифікацією,

які мають одну з наведених нижче

ознак:

a. "Смуга пропускання" понад 1

октаву і добуток номінальної

середньої вихідної потужності

(в кіловатах) на максимальну

                     робочу    частоту    (в    ГГц)

перевищує 0,5;

b. "Смуга пропускання" дорівнює 1

                     октаві   або   менше,   добуток

номінальної середньої вихідної

потужності (в кіловатах) на

максимальну робочу частоту (в

ГГц) перевищує 1; або

                  c. За      технічними      умовами

"придатні для використання в

космосі";

b. НВЧ-прилади - підсилювачі 854041000

магнетронного типу з коефіцієнтом

підсилення понад 17 дБ;

c. Інтегровані катоди для електронних 854049000

ламп, які мають одну з наведених

нижче ознак:

1. Час від вмикання до виходу на

номінальну емісію менш як 3 с;

або

2. "Сумарна густина струму" при

безперервній емісії та штатних

умовах функціонування більш як 5

А/кв. см;

             2. Інтегральні   схеми    або    модулі  854049000
                мікрохвильового    діапазону,    які
                містять    "монолітні    інтегральні

схеми" і працюють на частотах понад

3 ГГц;

 Примітка    За  пунктом  3.A.1.b.2    контролю   не
             підлягають   схеми   та   модулі    для

устаткування, розробленого для роботи в

             стандартному      діапазоні      частот
             Міжнародного    союзу    електрозв'язку

(ITU), які не перевищують 31 ГГц.

3. Мікрохвильові транзистори, 854049000

призначені для роботи на частотах,

що перевищують 31 ГГц;

4. Мікрохвильові

твердотілі 854049000

підсилювачі, які:

a. Працюють на частотах понад 10,5

ГГц і мають "смугу пропускання"

понад півоктави; або

b. Працюють на частотах понад 31

ГГц;

5. Смугові або загороджувальні фільтри 854049000

                з    електронним    чи     магнітним

налагодженням, які мають понад 5

                налагоджувальних   резонаторів,   що

забезпечують налагодження в смузі

частот з відношенням максимальної та

мінімальної частот 1,5 : 1 менш як

за 10 мкс і мають одну з наведених

нижче ознак:

                a. Смуга     частот      пропускання
                   становить  понад   0,5   відсотка

резонансної частоти; або

b. Смуга заглушення становить менш

                   як   0,5   відсотка   резонансної

частоти;

 3.A.1.b.    6. Мікрохвильові     блоки,      здатні  854049000
                працювати    на     частотах,     що

перевищують 31 ГГц;

             7. Змішувачі     та      перетворювачі,
                спроектовані     для      розширення
                діапазону    частоти     обладнання,
                зазначеного   в   пунктах   3.A.2.c,

3.A.2.e або 3.A.2.f, та виходять

за межі, описані в них.

8. Мікрохвильові підсилювачі

потужності, які містять вузли, що

                підлягають   контролю   за   пунктом

3.A.1.b, і мають наведені нижче

характеристики:

a. Операційні частоти понад 3 ГГц;

                b. Середня    щільність     вихідної
                   потужності,  яка   перевищує   80

Вт/кг; та

c. Об'єм менш як 400 куб. см.

 Примітка    За  пунктом  3.A.1.b.8    контролю   не

підлягає обладнання, розроблене або

придатне для роботи на стандартних

             частотах       Міжнародного       союзу

електрозв'язку (ITU).

3.A.1.c. Прилади на акустичних хвилях, наведені

нижче, та спеціально спроектовані для

них компоненти:

1. Прилади на поверхневих акустичних 854160000

хвилях і акустичних хвилях у тонкій

                "підложці"   (тобто   прилади    для
                "оброблення      сигналів",       що
                використовують   пружні   хвилі    в
                матеріалі),   які   мають   одну   з

наведених нижче ознак:

a. Несуча частота перевищує 2,5 ГГц;

b. Несуча частота перевищує 1 ГГц,

але не більше 2,5 ГГц, і мають

одну з наведених нижче ознак:

                 1. Частотне    заглушення   бокових
                    пелюстків   діаграми    напрямку

перевищує 55 дБ;

                 2. Добуток    максимального    часу

затримки (в мкс) і "миттєвої

ширини смуги частот" (в МГц)

понад 100;

3. "Миттєва ширина смуги частот"

понад 250 МГц; або

4. Затримка поширення перевищує 10

мкс; або

c. Несуча частота, яка дорівнює 1

ГГц або менше і має одну з

наведених нижче характеристик:

                   1. Добуток   максимального   часу

затримки (в мкс) і "миттєвої

ширини смуги частот" (в МГц)

понад 100;

2. Затримка поширення перевищує

10 мкс; або

3. Частотне заглушення бокових

пелюстків діаграми напрямку

перевищує 55 дБ та ширина

смуги частот понад 50 МГц;

 3.A.1.c.    2. Прилади   на   об'ємних   акустичних  854160000
                хвилях    (тобто     прилади     для
                "оброблення      сигналів",      які
                використовують   пружні   хвилі    в

матеріалі), забезпечують

безпосереднє "оброблення сигналів"

на частотах понад 1 ГГц;

3. Акустооптичні прилади "оброблення 854160000

                сигналів",    які     використовують

взаємодію між акустичними хвилями

                (об'ємними   чи   поверхневими)    і

світловими хвилями, що забезпечує

безпосереднє "оброблення сигналів"

або зображення, включаючи аналіз

спектра, кореляцію або згортку;

 3.A.1.d.    Електронні  прилади  або   схеми,   які  854280000
             містять   елементи,    виготовлені    з

"надпровідних" матеріалів, спеціально

             спроектовані     для     роботи     при
             температурах  нижчих   від   "критичної
             температури"  хоча  б  для   однієї   з

"надпровідних" складових і мають одну з

наведених нижче ознак:

1. Наявність електромагнітного

підсилення:

a. На частотах, що дорівнюють або

нижче ніж 31 ГГц, з рівнем шумів

нижче 0,5 дБ, або

b. На частотах понад 31 ГГц;

2. Наявність струмових перемикачів для

цифрових схем, які використовують

"надпровідні" вентилі, де добуток

                часу   затримки   на   вентиль    (у

секундах) і розсіювання потужності

на вентиль (у ватах) нижче ніж 10 в

ступ. мінус 14 Дж; або

3. Забезпечення селекції частоти на

                всіх     діапазонах     частот     з

використанням резонансних контурів з

добротністю понад 10000;

 3.A.1.e.    Прилади  високої   енергії,    наведені

нижче:

1. Батареї та фотоелектричні батареї,

наведені нижче:

 Примітка.   За  пунктом  3.A.1.e.1    контролю   не

підлягають батареї об'ємом 27 куб. см і

менше (наприклад, стандартні вугільні

елементи або батареї R14).

             a. Первинні  елементи   і   батареї   з  850619900

щільністю енергії понад 480 Вт х

                год/кг,   за   технічними    умовами

придатні для робити в діапазоні

температур від 243 К (-30 град. C) і

нижче до 343 К (+70 град. C) і

вище;

b. Підзаряджувальні елементни і батареї 850619900

з щільністю енергії понад 150 Вт/кг

після 75 циклів заряду-розряду при

струмі розряду, що дорівнює С/5 год.

                (тут  С  -  номінальна   ємність   в

ампер-годинах), під час роботи в

діапазоні температур від 253 К (-20

град. C) і нижче до 333 К (+60 град.

C) і вище;

 Технічна    Щільність    енергії     розраховується

примітка множенням середньої потужності у ватах

(добуток середньої напруги у вольтах і

             середнього   струму   в   амперах)   на

тривалість циклу розрядження в годинах,

при якому напруга на розімкнутих клемах

падає до 75 відсотків номіналу, і

діленням цього добутку на загальну масу

елемента (чи батареї) в кілограмах.

 3.A.1.e.    1.c. Батареї,  за  технічними   умовами  850619900
                  "придатні   для   використання   в
                  космосі"  та   радіаційно   стійкі
                  батареї     на     фотоелектричних

елементах з питомою потужністю

понад 160 Вт/кв. м при робочій

температурі 301 К (+ 28° C) і

вольфрамовому джерелі, яке нагріте

до 2800 К (+ 2527° C) і створює

енергетичну освітленість 1 кВт/кв.м;

             2.   Накопичувачі    великої   енергії,

наведені нижче:

а. Накопичувачі енергії з частотою 850619900

                   повторення   менш   як   10    Гц  850780900
                   (одноразові   накопичувачі),   що

мають усе наведене нижче:

1. Номінальну напругу не менш як

5 кВ;

2. Густину енергії не менш як 250

Дж/кг; та

3. Загальну енергію не менш як 25

кДж;

b. Накопичувачі енергії з частотою 850619900

                   повторення   10   Гц   і   більше  850780900

(багаторазові накопичувачі), які

мають усе наведене нижче:

1. Номінальну напругу не менш як

5 кВ,

2. Щільність енергії не менш як

50 Дж/кг;

3. Загальну енергію не менш як

100 Дж; та

4. Кількість циклів

заряду-розряду не менше 10000;

             3. "Надпровідні"   електромагніти    та  850519900

соленоїди, спеціально спроектовані

на повний заряд або розряд менше,

ніж за 1 секунду, які мають усе,

наведене нижче:

 Примітка    За  пунктом  3.A.1.e.3    контролю   не

підлягають "надпровідні" електромагніти

або соленоїди, спеціально спроектовані

             для         медичної          апаратури

магніторезонансної томографії (MRI).

a. Максимальну енергію під час розряду,

                що  перевищує  10   кДж   за   першу

секунду;

b. Внутрішній діаметр струмопровідних

обмоток понад 250 мм; та

c. Номінальну магнітну індукцію понад 8

Т або "сумарну густину струму" в

обмотці понад 300 А/кв. мм;

 3.A.1.f.    Обертові   перетворювачі    абсолютного  903180310

кутового положення вала в код, які

мають усе наведене нижче:

             1. Роздільність  краще   1/265000   від

повного діапазону (18 біт); або

2. Точність краще ніж +-2,5 кут/секунду.

 3.A.2.      Електронна     апаратура     загального

[3A002] призначення, наведена нижче:

3.A.2.a. Записувальна апаратура, наведена нижче,

             і   спеціально   призначена   для   неї

вимірювальна стрічка:

1. Накопичувачі на магнітній плівці для 852039900

                аналогової   апаратури,    включаючи

накопичувачі з можливістю запису

                цифрових   сигналів    (тобто,    що
                використовують   модуль    цифрового

запису високої щільності (HDDR)),

які мають одну з наведених нижче

ознак:

a. Смуга частот перевищує 4МГц на

електронний канал або доріжку;

b. Смуга частот перевищує 2 МГц на

електронний канал або доріжку при

кількості доріжок понад 42; або

                c. Помилка   непогодження    змінної

шкали, виміряна із застосуванням

документів Асоціації електронної

промисловості (ЕIА) або IRIG,

менше +- 0,1 мкс;

 Примітка    Аналогові    магнітофони,    спеціально

створені для цілей цивільного відео, не

вважаються накопичувачами на плівці.

2. Цифрові

відеомагнітофони, які мають з 852110

                максимальну   роздільну    здатність  852190000
                цифрового   інтерфейсу   понад   180

Мбіт/с;

 Примітка    За  пунктом  3.A.2.a.2    контролю   не

підлягають цифрові відеомагнітофони,

             спеціально       спроектовані       для

телевізійного запису за стандартами або

             рекомендаціями    Міжнародного    союзу

електрозв'язку (ITU) або Міжнародної

             електротехнічної  комісії   (IEC)   для

цивільного телебачення.

3. Накопичувачі на магнітній плівці для з 852110

цифрової апаратури, що використовує

методи спірального сканування або

фіксованих магнітних головок, які

мають одну з наведених нижче ознак:

a. Максимальна пропускна здатність

цифрового інтерфейсу понад 175

Мбіт/с; або

b. За технічними умовами "придатні

для використання в космосі";

 Примітка    За  пунктом  3.A.1.a.3    контролю   не

підлягають аналогові накопичувачі на

магнітній плівці, оснащені електронікою

             для  перетворення  в   цифровий   запис

високої щільності (HDDR) та призначені

для запису тільки цифрових даних.

3.A.2.a. 4. Апаратура з максимальною пропускною 852190000

здатністю цифрового інтерфейсу понад

                175    Мбіт/с,    призначена     для

перетворення цифрових

відеомагнітофонів у пристрої запису

даних цифрової апаратури;

5. Цифрові перетворювачі форми хвилі та з 8543

передні реєстратори, які мають усі

наведені нижче ознаки:

a. Швидкість цифрового перетворення,

що дорівнює або вища, ніж 200

                   млн.  операцій  за   секунду   на

розрядність 10 біт або більше;

та

b. Безперервна пропускна здатність 2

Гбіт/с і більше;

Технічна Для цих приладів з паралельною шиною

 примітка    швидкість    безперервної    пропускної

здатності є добуток найбільшого обсягу

             слів  на   кількість   біт   у   слові.

Безперервна пропускна здатність - це

найвища швидкість, з якою прилад може

виводити дані в накопичувач без втрати

             інформації,    водночас     підтримуючи
             швидкість   вимірювання   та    функцію

аналого-цифрового перетворення.

 3.A.2.b.    "Електронні    збірки"    "синтезаторів  854380900

частоти", які мають "час перемикання

частоти" з однієї на іншу менш як 1

мс;

3.A.2.c. "Аналізатори сигналів", наведені нижче: 854380900

             1. "Аналізатори    сигналів",    здатні

аналізувати частоти, що перевищують

31 ГГц;

2. "Динамічні аналізатори сигналів" із

"смугою пропускання в реальному

масштабі часу" понад 25,6 кГц.

 Примітка    За  пунктом  3.A.2.c.3    контролю   не
             підлягають    "динамічні    аналізатори

сигналів", які використовують тільки

             фільтри    із    смугою     пропускання

фіксованих часток.

             Фільтри    із    смугою     пропускання

фільтрованих часток, відомі також під

назвою октавних або фракційних октавних

фільтрів.

 3.A.2.d.    Генератори    сигналів     синтезаторів  854320000

частот, які формують вихідні частоти з

керуванням за параметрами точності,

             короткочасної      та       довгочасної
             стабільності,   на   основі   або    за

допомогою

внутрішньої еталонної частоти

і мають одну з наведених нижче ознак:

             1. Максимальна   синтезована    частота

перевищує 31 ГГц;

2. "Час перемикання частоти" з однієї

заданої частоти на іншу менш як 1

мс; або

3. Фазовий шум однієї бокової смуги

(SSB) краще - (126 + 20 log10 F - 20

log10f) в одиницях дБ/Гц, де F -

відхилення робочої частоти в Гц, а f

- робоча частота в МГц;

 Примітка    За   пунктом   3.A.2.d    контролю  не

підлягає обладнання, в якому вихідна

частота створюється шляхом додавання

або віднімання частот з двох і більше

             кварцових   генераторів    чи    шляхом

додавання або віднімання з наступним

множенням результуючої частоти.

 3.A.2.e.    Мережеві  аналізатори  з   максимальною  854380900

робочою частотою, яка перевищує 40 ГГц;

 3.A.2.f.    Приймачі-тестери        мікрохвильового  852790990

діапазону, які мають усі наведені нижче

характеристики:

1. Максимальну робочу частоту понад 40

ГГц; та

             2. Здатні      одночасно     вимірювати

амплітуду та фазу;

3.A.2.g. Атомні еталони частоти, які мають одну 854320000

з наведених нижче ознак:

1. Довготривала стабільність (старіння)

менше (краще) 1 х 10 в ступ. мінус

11 /місяць; або

2. За технічними умовами "придатні для

використання в космосі".

 Примітка    За  пунктом  3.A.2.g.1    контролю   не
             підлягають      рубідієві      еталони,
             не-"придатні   для    використання    в

космосі".

3.B. ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ,

КОНТРОЛЮ І ВИРОБНИЦТВА

 3.B.1.      Обладнання       для        виробництва
 [3B001]     напівпровідникових     приладів     або
             матеріалів,    наведене    нижче,     і
             спеціально   створені   компоненти   та

оснащення для них:

 3.B.1.a.    Обладнання      для       епітаксійного

вирощування, наведене нижче, "кероване

вмонтованою програмою":

 3.B.1.a.    1. Обладнання     для     епітаксійного  841989900
                вирощування,   здатне    витримувати
                товщину   епітаксійного    шару    з

відхиленням не більш як 2,5 відсотка

на відстані вздовж пластини 75 мм

або більше;

2. Обладнання хімічного осадження з 841989900

                металоорганічної    парової     фази

(MOCVD), спеціально розроблене для

                вирощування    кристалів    складних
                напівпровідників    за     допомогою

хімічних реакцій між матеріалами,

зазначених у пунктах 3.C.3 або

3.C.4;

3. Молекулярно-променеве обладнання 841780100

епітаксійного вирощування, в якому

застосовані газові джерела;

 3.B.1.b.    Обладнання,    "кероване    вмонтованою  845610000

програмою", для іонної імплантації, яке

має одну з наведених нижче ознак:

             1. Прискорювальна     напруга,      яка

перевищує 200 кеВ;

             2. Спеціально      спроектоване      та

оптимізоване для функціонування при

прискорювальній напрузі менш як 10

кеВ;

3. Здатне до безпосереднього запису;

або

             4. Здатне     до     високоенергетичної
                імплантації    кисню    в    нагріту

"підложку" напівпровідникового

матеріалу.

3.B.1.c. Обладнання, наведене нижче, для сухого 845690000

травлення

з використанням анізотропної

             плазми,      "кероване      вмонтованою

програмою":

1. З покасетним обробленням пластин та

                завантаженням        їх        через

завантажувальні шлюзи, які мають

                одну     з      наведених      нижче

характеристик:

a. Магнітний захист: або

b. Електронний циклотронний резонанс

(ECR);

2. Обладнання, спеціально спроектоване

                для   устаткування,   яке   підлягає

контролю за пунктом 3.B.1.e та має

                одну     з      наведених      нижче

характеристик:

a. Магнітний захист; або

b. Електронний циклотронний

резонанс.

 3.B.1.d.    Обладнання,    "кероване    вмонтованою  845690000

програмою", для хімічного осадження з

             парової   фази   (CDV)   та   плазмової

стимуляції, наведене нижче:

1. З покасетним обробленням пластин і

подачею їх через завантажувальні

шлюзи, які мають одну з наведених

нижче ознак:

a. Магнітний захист; або

b. Електронний циклотронний

резонанс;

 3.B.1.d.    2. Обладнання,  що   спроектоване   для

апаратури, яке підлягає контролю за

пунктом 3.B.1.e та має будь-яку з

наведених нижче характеристик:

a. Магнітний захист; або

b. Електронний циклотронний

резонанс;

 3.B.1.e.    Багатокамерний     центр     оброблення  845610000
             напівпровідникових      пластин       з  845690000

автоматичним завантаженням, "керований

вмонтованою програмою", який має усі

наведені нижче ознаки:

             1. Інтерфейси   для   завантаження   та
                вивантаження   пластин,   до   якого

повинно бути приєднано понад два

пристрої технологічного оброблення

напівпровідників; та

2. Призначене для комплексної системи

послідовного багатопозиційного

оброблення пластин у вакуумі.

 Примітка    За   пунктом   3.B.1.e    контролю   не

підлягають автоматичні робототехнічні

             системи   завантаження   пластин,    не

призначених для роботи у вакуумі.

 3.B.1.f.    Обладнання    літографії,     "кероване  900922900
             вмонтованою    програмою",     наведене

нижче:

1. Обладнання багаторазового суміщення

                та   експонування   для   оброблення

пластин методами фотооптичної або

рентгенівської літографії, яке має

                будь-яку    з    наведених     нижче

характеристик:

a. Наявність джерела освітлення з

довжиною хвилі коротшою ніж 400

нм; або

b. Спроможність виробляти зразки з

                   мінімально   визначеним   типовим

розміром 0,7 мкм або менше;

Примітка Мінімальний визначений типовий розмір

можна розрахувати за рівнянням:

(довжина хвилі випромінювання світла в мк) х (К фактор)

MRF = -------------------------------------------------------

цифрова апертура

де К фактор = 0,7, а MRF - мінімальний

визначений типовий розмір.

 3.B.1.f.    2. Обладнання,  спеціально   призначене  845610000
                для   виробництва    шаблонів    або

оброблення напівпровідникових

приладів з використанням

сфокусованого електронного пучка, що

                відхиляється,  іонного   пучка   або
"лазерного"   пучка,    які    мають
                будь-яку    з    наведених     нижче

характеристик:

3.B.1.f. 2.a. Розмір плями менш як 0,2 мкм;

b. Здатність виробляти малюнок з

мінімальними дозволеними

проектними нормами менш як 1 мкм;

або

c. Точність суміщення краще +- 0,2

мкм (3 сигма);

3.B.1.g. Шаблони (маски) або фотошаблони для 901090000

             інтегральних   схем,   що    підлягають

контролю за пунктом 3.A.1;

 3.B.1.h.    Багатошарові    шаблони    (маски)    з  901090000

фазозсувним шаром.

3.B.2. Обладнання для випробувань, "кероване 903180390

 [3B002]     вмонтованою   програмою",    спеціально
             призначене  для   випробувань   готових
             (оброблених)    або    напівфабрикатних

(необроблених) напівпровідникових

приладів, наведене нижче, і спеціально

створені компоненти та аксесуари до

нього:

 3.B.2.a.    Для      вимірювання       S-параметрів
             транзисторних  приладів   на   частотах

понад 31 ГГц;

3.B.2.b. Для випробувань інтегральних мікросхем

             та   їх   збірок,   здатне   виконувати

функціональне тестування (за таблицями

             істинності)   з   частотою   тестування

рядків понад 60 МГц;

 Примітка    За   пунктом   3.B.2.b    контролю   не
             підлягає     апаратура,      спеціально

призначена для випробувань:

             1. "Електронних   збірок"   або   класу

"електронних збірок" для побутової

або ігрової електронної апаратури;

2. Електронних компонентів,

                "електронних       збірок"       або

інтегральних схем, які не підлягають

експортному контролю.

 3.B.2.c.    Для     випробувань      мікрохвильових
             інтегральних  схем  на   частотах,   що

перевищують 3 ГГц;

 Примітка    За   пунктом   3.B.2.c    контролю   не
             підлягає     обладнання,     спеціально
             спроектоване      для       випробувань

мікрохвильових інтегральних схем для

устаткування, за технічними умовами

призначеного або придатного для роботи

в стандартному діапазоні Міжнародного

союзу електрозв'язку (ITU) на частотах,

які не перевищують 31 ГГц.

 3.B.2.d.    Електронно-променеві           системи,
             спроектовані   для   функціонування   з

енергією 3 кеВ або нижче, або "лазерні"

променеві системи для безконтактного

зондування заживлених

напівпровідникових приладів, які мають

             будь-яку     з     наведених      нижче

характеристик:

1. Стробоскопічний режим із затіненням

                променя    або     з     детекторним

стробуванням; та

             2. Електронний     спектрометр      для

вимірювання напруги менш як 0,5 В.

 Примітка    За   пунктом   3.B.2.d    контролю   не
             підлягають     скануючі      електронні

мікроскопи, крім спеціально призначених

             та   оснащених    для    безконтактного

зондування заживлених

напівпровідникових приладів.

3.C. МАТЕРІАЛИ

 3.C.1.      Гетероепітаксійні    матеріали,     які  381800900

[3C001] складаються з "підложки" та кількох

             послідовно    нанесених    епітаксійних

шарів, які мають будь-яку з наведених

нижче складових:

a. Кремній;

b. Германій; або

c. Сполуки III/V на основі галію або

індію.

Примітка Сполуки

III/V - це полікристалічні,

подвійні або складні монокристалічні

продукти, складені з елементів IIIA-

             (A3)  та  VA  (В5)   груп   періодичної
             системи      елементів       Менделеєва
             (наприклад,  арсенід   галію,   арсенід

галію-алюмінію, фосфід індію тощо).

 3.C.2.      Матеріали   резистів   і    "підложки",

[3C002] наведені нижче, покриті резистами, що

підлягають контролю:

 3.C.2.a.    Позитивні   резисти,   призначені   для  854140990

напівпровідникової літографії,

             спеціально       пристосовані       для

використання з довжиною хвилі менш як

370 нм;

 3.C.2.b.    Усі     резисти,     призначені     для  854140990
             використання   під   час   експонування

електронними та іонними пучками, з

чутливістю 0,01 мкКл/кв. мм або краще;

 3.C.2.c.    Усі     резисти,     призначені     для  854140990
             використання   під   час   експонування

рентгенівськими променями, з чутливістю

2,5 мДж/кв. мм або краще;

 3.C.2.d.    Усі    резисти,    оптимізовані     під  854140990
             технології     формування      малюнка,

включаючи силіційовані резисти.

Примітка Методи силіціювання - це процеси, які

включають оксидування поверхні резисту

для підвищення якості мокрого та сухого

проявлення.

 3.C.3.      Органо-неорганічні  сполуки,   наведені

[3C003] нижче:

 3.C.3.a.    Металоорганічні   сполуки   на   основі  293100900

алюмінію, галію чи індію, які мають

чистоту металевої основи понад 99,999

відсотків;

3.C.3.b. Органо-миш'яковисті, органо-сурм'янисті 293100900

та органо-фосфорні сполуки, які мають

чистоту основи неорганічного елемента

понад 99,999 відсотків.

 Примітка    За пунктом 3.C.3   підлягають  контролю

тільки ті сполуки, металеві, частково

металеві або неметалеві елементи яких

безпосередньо пов'язані з вуглецем

органічної частки молекули.

3.C.4. Гідриди фосфору, миш'яку чи сурми, які 284890000

[3C004] мають чистоту понад 99,999 відсотків 285000100

             навіть   після   розведення   інертними

газами або воднем.

 Примітка    За   пунктом   3.C.4     контролю    не
             підлягають  гідриди,  що   містять   20

відсотків або більше молей інертних

газів чи водню.

3.D. ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ

 3.D.1.      "Програмне  забезпечення",   спеціально  з 8524
 [3D001]     створене    для    "розроблення"    або

"виробництва" обладнання, що підлягає

             контролю   за   пунктами   3.A.1.b    -

3.A.1.g або 3.B.

 3.D.2.      "Програмне  забезпечення",   спеціально  з 8524
 [3D002]     створене    для    "використання"     в
             обладнанні,   "керованому   вмонтованою

програмою", що підлягає контролю за

пунктом 3.B.

 3.D.3.      "Програмне  забезпечення"  для   систем  з 8524
 [3D003]     автоматизованого  проектування   (CAD),
             створене     для     напівпровідникових

приладів або інтегральних схем, які

мають одну з наведених нижче ознак:

 3.D.3.a.    Правила   проектування   або    правила

перевірки (верифікації) схем:

 3.D.3.b.    Моделювання   схем   за   їх   фізичною

топологією; або

3.D.3.c. Імітатори літографічних процесів для

проектування.

Технічна Імітатор літографічних процесів - це

примітка пакет "програмного забезпечення", який

використовується на етапі проектування

для визначення послідовності операцій

літографії, травлення та

осадження з

метою втілення маскувальних шаблонів у

             конкретні      топологічні      малюнки
             провідників,      діелектриків      або

напівпровідникового матеріалу.

Примітка За пунктом 3.D.3 контролю не підлягає

"програмне забезпечення", спеціально

створене для опису принципових схем,

логічного моделювання, розкладення або

маршрутизації, перевірки топології або

розмноження шаблонів.

 Особлива    Бібліотеки,  проектні   атрибути    або
 примітка    супутні    дані    для     проектування
             напівпровідникових      приладів     чи
             інтегральних  схем   розглядаються   як

"технологія".

3.E. ТЕХНОЛОГІЯ

3.Е.1. "Технологія" відповідно до пункту 3 з 3705,

[3E001] загальних приміток для "розроблення" 3706, 8524,

             або   "виробництва"   обладнання    або  490199000

матеріалів, що підлягають контролю за 490600000

пунктами 3.A, 3.B або 3.C.

 Примітки    1. Код   "технології"   за    ТН    ЗЕД

визначається кодом носія, на якому

вона передається.

             2. За  пунктом   3.E.1    контролю   не
                підлягає      "технологія"       для

"розроблення" або "виробництва":

a. Мікрохвильових транзисторів, що

працюють на частотах нижче ніж 31

ГГц;

b. Інтегральних схем, що підлягають

контролю за пунктами 3.A.1.a.3 -

3.A.1.a.12 і мають усі наведені

нижче ознаки:

1. Використовують "технології" 1

мкм або вище; та

                   2. Не    містять    багатошарових

структур.

 Особлива    Термін   "багатошарові   структури"   у

примітка підпункті b.2 примітки 2 не включає

прилади, які містять максимум два шари

металу та два шари полікремнію.

 3.E.2.      Інші  "технології"  для   "розроблення"  з 3705,
 [3E002]     або "виробництва":                       3706, 8524,
 3.E.2.a.    Вакуумних мікроелектронних приладів;     490199000

490600000

 3.E.2.b.    Напівпровідникових     приладів      на

гетероструктурах, таких як транзистори

з високою рухомістю електронів (НЕМТ),

             біполярні        транзистори         на
             гетероструктурі   (НВТ),   приладів   з
             квантовими  ямами   або   приладів   на

надрешітках;

3.E.2.c. "Надпровідних" електронних приладів;

 3.E.2.d.    "Підложки"    плівок     алмазу     для

електронних компонентів.

*                     Розділ 4. КОМП'ЮТЕРИ                       *
******************************************************************
*   Номер   *         Найменування продукції        * Код товару *
*   пункту  *                                       * за ТН ЗЕД  *

4. КОМП'ЮТЕРИ

Примітки 1. Комп'ютери, супутнє обладнання та

                "програмне     забезпечення",     що

використовуються в мережах зв'язку

                або    в    "локальних     мережах",

підлягають контролю з урахуванням

критеріїв, зазначених у частині 1

розділу 5 (Зв'язок).

2. Комп'ютери, супутнє обладнання та

                "програмне     забезпечення",     що
                виконують   функції    криптографії,
                криптоаналізу   або   інших    видів

захисту інформації у мережах зв'язку

або в обчислювальних мережах, або

такі, що обмежують

електромагнітну

                сумісність     (ЕМС),     підлягають

контролю з урахуванням критеріїв,

зазначених у частині 2 розділу 5

(Захист інформації).

Особливі 1. Блоки управління, які безпосередньо

 примітки       через    магістралі    або    канали

з'єднуються з блоками центральних

процесорів, "оперативна пам'ять" або

контролери дисків не розглядаються

                як   телекомунікаційне   обладнання,

зазначене в частині 1 розділу 5

(Зв'язок).

             2. Статус     контролю     "програмного

забезпечення", спеціально

призначеного для комутації пакетів,

визначається з урахуванням

критеріїв, зазначених у розділі

5.D.1. (Зв'язок).

4.A. СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ ТА КОМПОНЕНТИ

 4.A.1.      Електронні   комп'ютери    і    супутнє  з 8471
 [4A001]     обладнання,    наведені    нижче,    та
             "електронні   збірки"   і    спеціально

призначені для них компоненти:

4.A.1.a. Спеціально призначені і мають будь-яку

з наведених нижче характеристик:

1. Розраховані для функціонування при

температурі навколишнього середовища

нижче 228 К (-45 град. C) або понад

358 К (85 град. C);

 Примітка    За  пунктом  4.A.1.a.1    контролю   не
             підлягають    комп'ютери,    спеціально

призначені для використання в цивільних

автомобілях або поїздах.

2. Стійкі до радіації з параметрами,

вищими ніж будь-який з наведених

нижче:

a. Загальна доза - 5 х 10 в ступ. 3

рад (Si);

                b. Доза      випромінювання,      що

викликає збій - 5 х 10 в ступ. 6

рад (Si)/с; або

c. Одиничний збій - 1 х 10 в ступ.

мінус 7 похибка/біт/день.

 4.A.1.b.    Мають  характеристики   або   виконують
             функції,    які    перевищують    межі,

зазначені у частині 2 розділу 5 (Захист

інформації).

4.A.2. "Гібридні комп'ютери", наведені нижче, з 847110

 [4A002]     "електронні   збірки"   та   спеціально

призначені для них компоненти:

4.A.2.a. Що містять в собі "цифрові комп'ютери",

які підлягають контролю за пунктом

4.A.3;

 4.A.2.b.    Що  містять  в   собі   аналого-цифрові

перетворювачі, які мають усі наведені

нижче характеристики:

1. 32 канали або більше; та

2. Роздільна здатність 14 біт (плюс

                знаковий   біт)   або   більше    зі
                швидкістю  200000   перетворень   за

секунду або більше;

 4.A.3.      "Цифрові    комп'ютери",    "електронні

[4A003] збірки" і супутнє обладнання до них,

             наведене    нижче,    та     спеціально

призначені для них компоненти:

Примітки 1. Пункт 4.A.3. включає наведене нижче:

a. Векторні процесори;

b. Матричні процесори;

c. Процесори цифрових сигналів;

d. Логічні процесори;

e. Обладнання для "поліпшення якості

зображення";

                f. Обладнання     для    "оброблення

сигналів".

             2. Статус      контролю       "цифрових
                комп'ютерів"      та      супутнього
                обладнання,   описаного   в   пункті
                4.A.3,   визначається  на   підставі
                статусу   контролю    за    робочими

характеристиками інших систем або

обладнання у разі, коли:

a. "Цифрові комп'ютери" або супутнє

обладнання мають істотне значення

для роботи іншого обладнання або

систем;

b. "Цифрові комп'ютери" або супутнє

обладнання, яке не є "основним

                   елементом"   інших   систем   або

обладнання; та

                c. "Технологія"    для     "цифрових
                   комп'ютерів"    та     супутнього

обладнання, що належить до них,

регулюється пунктом 4.E.

 Особлива    Статус   контролю    за    обладнанням,

примітка спеціально призначеним для "оброблення

             сигналів"   або   "поліпшення    якості

зображення" або спеціально призначеним

для іншого обладнання з функціями,

обмеженими функціональним призначенням

             іншого     обладнання,     визначається

статусом контролю іншого обладнання,

навіть якщо воно перевищує критерій

"основного елемента";

 Особлива    Статус     контролю     -     "цифрових

примітка комп'ютерів" або супутнього обладнання

             для      телекомунікаційних      систем

визначається з урахуванням критеріїв,

             зазначених  у  частині  1   розділу   5

(Зв'язок).

 4.A.3.a.    Призначені   або    модифіковані    для

забезпечення "відмовостійкості";

 Примітка    Стосовно   пункту   4.A.3.a    "цифрові  з 847120

комп'ютери" та супутнє обладнання не

             вважаються       призначеними       або
             модифікованими     для     забезпечення
             "відмовостійкості",    якщо    в    них

використовується будь-яке з наведеного

нижче:

1. Алгоритми виявлення або виправлення

                помилок,    які    зберігаються    в

"оперативній пам'яті";

             2. Взаємозв'язок    двох      "цифрових
                комп'ютерів"  такий,   що   у   разі
                відмови    активного    центрального
                процесора   очікувальний    процесор

(який одночасно стежить за діями

                центрального     процесора)     може

забезпечити продовження

функціонування системи;

             3. Взаємозв'язок    двох    центральних

процесорів через канали передачі

даних або з використанням пам'яті

загального призначення такий, що

забезпечує можливість одному з них

виконувати іншу роботу, поки другий

                не    відмовить,     тоді     перший
                центральний   процесор   бере   його
                роботу  на  себе,   щоб   продовжити

функціонування системи; або

             4. Синхронізація    двох    центральних
                процесорів,      виконана      через
                "програмне    забезпечення"    таким
                чином,   що    перший    центральний

процесор розпізнає, коли відмовляє

другий центральний процесор і бере

на себе виконання його завдання.

 4.A.3.b.    "Цифрові   комп'ютери",    які    мають  з 847120
             "сукупну   теоретичну   продуктивність"

("СТР") понад 2000 Мегатопсів;

 4.A.3.C.    "Електронні     збірки",     спеціально  з 847120
             призначені   або    модифіковані    для

підвищення продуктивності

             "обчислювальних    елементів"    шляхом

об'єднання "обчислювальних елементів"

таким чином, що "сукупна теоретична

             продуктивність"     перевищує     межу,

зазначену в пункті 4.A.3.b;

 Примітка    1. За   пунктом   4.A.3.c    підлягають

контролю лише "електронні збірки" та

запрограмовані взаємозв'язки, які не

перевищують меж, зазначених у пункті

4.A.3.b, у разі постачання їх у

вигляді необ'єднаних "електронних

                збірок".  Контролю   не   підлягають

"електронні збірки", які за своєю

конструкцією придатні тільки для

використання як супутнє обладнання,

                яке  підлягає  контролю   згідно   з
                пунктами  4.A.3.d,    4.A.3.e    або

4.A.3.f.

             2. За  пунктом  4.A.3.c   контролю   не
                підлягають   "електронні    збірки",

спеціально призначені для виробу або

цілого ряду виробів, які в своїй

                максимальній     конфігурації     не

перевищують межу, зазначену в пункті

4.A.3.b.

 4.A.3.d.    Графічні  акселератори   або   графічні  з 847120
             співпроцесори,   в    яких    швидкість  з 847192

обчислення "інтенсивності тривимірних 854380900

векторів" перевищує 3000000;

4.A.3.e. Обладнання, що здійснює аналого-цифрові з 8542

перетворення, які перевищують межі,

зазначені у пункті 3.A.1.a.5;

4.A.3.f. Обладнання, що містить у своєму складі 852520900

"термінальне інтерфейсне обладнання", 854380900

характеристики якого перевищують межі,

зазначені у пункті 5.A.1.b.3;

Примітка У пункті 4.A.3.f поняття "термінальне

             інтерфейсне     обладнання"     включає

імперфейси "локальних мереж" та інші

             інтерфейси     зв'язку.      Інтерфейси
             "локальних   мереж"    оцінюються    як

"контролери доступу до мережі".

4.A.3.g. Обладнання, спеціально призначене для 852520900

             забезпечення     зовнішніх     з'єднань  854380900
             "цифрових  комп'ютерів"   або   супутнє

обладнання, що дає змогу здійснити

зв'язок зі швидкістю передачі даних

понад 80 Мбайт/с.

 Примітка    За   пунктом   4.A.3.g    контролю   не
             підлягає    обладнання     внутрішнього

з'єднання (наприклад плати, шини тощо)

або обладнання пасивного з'єднання.

4.A.4. Комп'ютери, наведені нижче і спеціально з 8471

 [4A004]     призначене     супутнє      обладнання,

"електронні збірки" та компоненти для

них:

4.A.4.a. "Комп'ютери із систолічною матрицею";

4.A.4.b. "Нейронні комп'ютери";

4 A.4.c. "Оптичні комп'ютери".

4.B. ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, КОНТРОЛЮ

І ВИРОБНИЦТВА - відсутнє

4.C. МАТЕРІАЛИ - відсутні

4.D. ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ

 Примітка    Статус    контролю    за    "програмним
             забезпеченням"    для    "розроблення",
             "виробництва"    або     "використання"

обладнання, описаного в інших розділах,

             визначається   відповідним    розділом.
             Статус      контролю       "програмного

забезпечення" для обладнання, описаного

в цьому розділі, пов'язаний з наведеним

нижче.

 4.D.1.      "Програмне  забезпечення",   спеціально  з 8524
 [4D001]     призначене   або    модифіковане    для
             "розроблення",    "виробництва"     або
             "використання"      обладнання      або

"програмного забезпечення", зазначеного

в пунктах 4.A або 4.D.

 4.D.2.      "Програмне  забезпечення",   спеціально  з 8524
 [4D002]     призначене   або    модифіковане    для

підтримки "технології", зазначеної в

пункті 4.Е.

 4.D.3.      Спеціальне  "програмне   забезпечення",  з 8524

[4D003] наведене нижче:

 4.D.3.a.    "Програмне  забезпечення"   операційної

системи, інструментарій для розроблення

"програмного забезпечення", а також

компілятори, спеціально призначені

для

обладнання "багатопотокового оброблення

даних" у "початкових кодах";

 4.D.3.b.    "Експертні  системи"   або   "програмне

забезпечення" для "експертної системи"

вихідної машини, що забезпечують:

1. Правила, які залежать від часу; та

             2. Просте      оброблення       часових

характеристик правил і фактів;

 4.D.3.c.    "Програмне   забезпечення",   яке   має

характеристики або виконує функції, які

перевищують межі, встановлені в частині

2 розділу 5 (Захист інформації);

 4.D.3.d.    Операційні     системи,      спеціально

призначені для обладнання оброблення "в

             реальному    масштабі    часу",     які

гарантують "час латентності глобального

переривання" менш як 20 мкс.

4.E. ТЕХНОЛОГІЯ

4.E.1. "Технологія" відповідно до пункту 3 з 3705, 3706

[4Е001] загальних приміток для "розроблення", з 8524

             "виробництва"    або     "використання"  490199000
             обладнання       або       "програмного  490600000

забезпечення", що підлягають контролю

за пунктами 4.A або 4.D.

Примітка Код технології за ТН ЗЕД визначається

             кодом    носія,    на    якому     вона

передається.

Технічна примітка

щодо обчислення

"сукупної теоретичної продуктивності"

Скорочення, що вживаються у цій технічній примітці

      "ОЕ"      -      "обчислювальний      елемент"      (типовий

арифметично-логічний пристрій);

ПК - плаваюча кома;

ФК - фіксована кома;

t - час виконання операції;

XOR - АБО, що виключає;

ЦП - центральний процесор;

ТП - теоретична продуктивність (одного "ОЕ");

      "СТП"   -   "сукупна   теоретична   продуктивність"    (усіх

"обчислювальних елементів");

R - ефективна швидкість обчислень;

ДС - довжина слова (кількість бітів);

L - коригування довжини слова (біта);

АЛП - арифметично-логічний пристрій;

х - знак множення.

Час вирішення "t" виражається в мікросекундах, ТП і "СТП" -

у мільйонах теоретичних операцій за секунду (Мегатопсах), ДС - у

бітах.

Основний метод обчислення "СТП"

"СТП" - це вимір обчислювальної продуктивності в Мегатопсах. Для

 обчислення   "СТП"   конфігурації   "обчислювальних    елементів"

необхідно виконати три такі етапи:

1. Визначити ефективну швидкість обчислень (R) "обчислювальних

елементів";

2. Виконати коригування на довжину слова (L) для цієї швидкості

(R), що дасть у результаті теоретичну продуктивність (ТП) для

кожного "ОЕ";

3. Об'єднати ТП і одержати сумарну "СТП" для даної конфігурації,

що має понад один "ОЕ".

Докладний опис цих процедур наведений нижче.

 Примітки 1. Для   об'єднання   в    підсистеми    "обчислювальних

елементів", що мають загальну пам'ять та пам'ять

кожної підсистеми, обчислення "СТП" проводиться в два

етапи: спочатку "обчислювальні елементи" із загальною

             пам'яттю   об'єднуються    в    групи,    а    потім,

використовуючи запропонований метод, обчислюється

"СТП" груп для всіх "обчислювальних елементів", що не

мають загальної пам'яті.

          2. "Обчислювальні   елементи",   швидкість   дії    яких
             обмежена  швидкістю  роботи  пристрою   введення   та

виведення даних і периферійних функціональних блоків

(наприклад дисководу, контролерів системи передачі та

дисплея), не об'єднуються під час обчислення "СТП".

У таблиці демонструється метод обчислення R для кожного "ОЕ":

Етап 1: Ефективна швидкість обчислень

*Для "обчислювальних елементів", що *

*реалізують: *Ефективна швидкість обчислень, R *

*Примітка. Кожний   "ОЕ"   повинен       *                                 *
*          оцінюватися незалежно.        *                                 *
****************************************************************************
*Лише ФК                                 *         1                       *
*                                        * ---------------------,          *
*                                        *   (tфк додавання)               *
*                                        *якщо операції додавання немає,   *
*                                        *то через множення:               *

* * *

*                                        *         1                       *
*                                        * ---------------------,          *
*                                        *   3х(tфк множення)              *

*(Rфк) *якщо немає ні операції додавання,*

*                                        *ні операції множення, Rфк        *
*                                        *обчислюється через найшвидшу     *
*                                        *арифметичну операцію, якою є:    *

* * *

*                                        *         1                       *
*                                        * ---------------------           *
*                                        *       3х(tфк)                   *

* * *

*                                        *див. Примітки X та Z.            *
****************************************************************************
*                                        *          1            1         *
*Лише ПК                                 *max -------------, ---------     *
*                                        *    tпк додавання     tпк        *
*                                        *                    множення     *

*(Rпк) * *

*                                        *див. Примітки Х та Y.            *
****************************************************************************
*ФК та ПК                                *обчислюється як Rфк, так і Rпк   *

*(R) * *

*                                        *                1                *
*                                        *      -------------------,       *
*                                        *            3x(tlog)             *
*Для простих  логічних  процесорів,      *де  tlog  -  це  час   виконання *
*що      не виконують     зазначені      *операції "АБО, що  виключає",  а *
*арифметичні операції                    *якщо    її    немає,    береться *
*                                        *найшвидша     проста     логічна *
*                                        *операція.                        *

* * *

*                                        *див. Примітки Х та Z.            *
****************************************************************************
*Для спеціалізованих логічних процесорів,*       R = R" х ДС/64,           *

*що не виконують зазначені арифметичні *де R" - число результатів за *

*та логічні операції *секунду, ДС - число бітів, над *

*                                        *якими    виконується     логічна *

* *операція, а 64 - коефіцієнт, що *

*                                        *нормалізує    під    64-розрядну *

* *операцію.

Примітка W. Після повного виконання конвейєрного оброблення даних

             у  кожному  машинному  циклі  може   бути   визначена

швидкість оброблення "ОЕ", здатного виконувати одну

             арифметичну   або   логічну   операцію.   Для   таких
             "обчислювальних  елементів"   у   разі   використання

конвейєрного оброблення даних ефективна швидкість

обчислень (R) вища, ніж без її використання.

Примітка X. Для "ОЕ", який виконує багаторазові арифметичні

операції за один цикл (наприклад, два додавання за

цикл або дві ідентичні логічні операції за цикл), час

обчислення t визначається за формулою:

час циклу

t = --------------------------------------------.

число арифметичних операцій у циклі

"Обчислювальні елементи", що виконують різні типи

арифметично-логічних операцій в одному машинному

циклі, повинні розглядатись як множина роздільних

"обчислювальних елементів", що працюють одночасно

(наприклад, "ОЕ", що виконує в одному циклі операції

додавання та множення, повинен розглядатися як два

             "обчислювальних  елементи",  один  з   яких   виконує

додавання за один цикл, а другий - множення за один

цикл).

Якщо в одному "ОЕ" реалізуються як скалярні, так і

             векторні   функції,   то   використовують    значення

найкоротшого часу виконання.

Примітка Y. Якщо в "ОЕ" не реалізується ні додавання ПК, ні

множення ПК, а виконується ділення ПК, то

Rпк = -----------------------.

(tпк ділення)

Якщо в "ОЕ" реалізується обернена величина "ОЕ", але

не додавання ПК, не множення ПК або не ділення ПК,

тоді

Rпк = --------------------------.

(tпк оберненої величини)

             Якщо   немає   і   ділення,    то    використовується

еквівалентна операція. Якщо жодна із зазначених

команд не використовується, то Rпк=0.

Примітка Z. Проста логічна операція - операція, в якій в одній

команді виконується одна логічна дія не більше, ніж

над двома операндами заданої довжини.

Складна логічна операція - операція, в якій в одній

команді виконуються багаторазові логічні дії над

двома чи більше операндами та видається один або

кілька результатів.

Швидкість обчислень розраховується для всіх апаратно

підтримуваних довжин операндів, розглядаючи обидві

             послідовні   операції   (якщо    підтримуються)    та

непослідовні операції, що використовують найкоротші

операції для кожної довжини операнда, з урахуванням:

             1. Послідовні    або    операції     регістр-регістр.

Виключаються надзвичайно короткі операції, що

                генеруються   для    операції    на    заздалегідь

визначеному операнді або операндах (наприклад,

                множення  на  0  або  1).   Якщо   операцій   типу

регістр-регістр немає, то слід керуватися пунктом

             2. Найшвидша     операція     регістр-пам'ять     або

пам'ять-регістр. Якщо немає і таких, то слід

керуватися пунктом 3;

3. Пам'ять-пам'ять.

У будь-якому випадку використовуйте найкоротші операції,

зазначені в паспортних даних виробником.

Етап 2: ТП для кожної довжини операнда ДС, що

підтримується.

Перерахуйте ефективну швидкість обчислень R (або R") з

урахуванням коригування довжини слова L, як наведено нижче:

ТП = R х L,

де L = (1/3 + ДС/96)

Примітка Довжина слова ДС, що використовується в цих розрахунках,

це довжина операнда в бітах. (Якщо в операції задіяні

операнди різної довжини, користуйтеся максимальною ДС).

Комбінація мантиси АЛП та експоненти АЛП в процесорі, що

плаває, або функціональному пристрої вважається одним

"ОЕ" з довжиною слова (ДС), еквівалентною кількості

бітів у подаванні даних (32 або 64 розряди) під час

обчислення "СТП".

Це перелічення не застосовується до спеціалізованих логічних

процесорів, в яких операція "виключення АБО" не використовується.

У цьому випадку ТП = R.

Вибір максимального результуючого значення ТП для:

кожного "ОЕ", що використовує лише ФК (Rфк);

кожного "ОЕ", що використовує лише ПК (Rпк);

кожного "ОЕ", що використовує комбінацію ПК та ФК ОЕ (R);

кожного простого логічного процесора, що не виконує жодної

із зазначених арифметичних операцій, та

кожного спеціального логічного процесора, що не виконує

жодної із зазначених арифметичних або логічних операцій.

 Етап 3: Розрахунок   "СТП"   для   конфігурацій   "обчислювальних

елементів", включаючи ЦП

Для ЦП з одним "ОЕ" - "СТП" = ТП (для "обчислювальних

елементів", що виконують операції як з ФК, так і з ПК, ТП = мах

(ТПфк, ТПпк).

      Для  конфігурацій  усіх   "обчислювальних   елементів",   що

працюють одночасно, СТП обчислюється так:

Примітки 1. Для конфігурацій, в яких усі "обчислювальні елементи"

             одночасно  не  працюють,  з   можливих   конфігурацій

"обчислювальних елементів" обирається конфігурація з

найбільшою "СТП". Значення ТП для кожного "ОЕ"

             можливої  конфігурації,   що   використовується   при

підрахунку "СТП", обирається як максимально можливе

теоретичне значення.

Особлива Можливі конфігурації, в яких "обчислювальні елементи"

 примітка    працюють  одночасно,  визначаються   за  результатами

роботи усіх "обчислювальних елементів", починаючи з

             самого  повільного   "ОЕ"   (він   потребує   більшої
             кількості  циклів   для   завершення   операцій)   та
             закінчуючи     найшвидшим     "ОЕ".      Конфігурація
             "обчислювальних   елементів",   яка    встановлюється
             протягом   обчислювального    циклу,    є    можливою

конфігурацією.

Під час визначення результату повинні братися до

уваги всі технічні засоби та (або) схема обмеження

цілісності операцій, що перекриваються.

2. Один кристал інтегральної схеми або одна друкована

             плата   може   вміщувати   множину    "обчислювальних

елементів".

3. Виробник обчислювальної системи в інструкції або

брошурі з експлуатації цієї системи оголошує про

             наявність  суміщених,  паралельних   або   одночасних

операцій або дій.

4. Значення "СТП" не додається для конфігурацій "ОЕ",

взаємно пов'язаних у "локальні мережі", обчислювальні

             мережі,   об'єднані   пристроями   та    контролерами
             введення-виведення     та      будь-якими      іншими
             взаємопов'язаними       системами        передавання,

реалізованими програмними засобами.

          5. Значення  "СТП"   повинні   додаватися   для   множин

"обчислювальних елементів", спеціально призначених

             для   підвищення   їх    характеристик   за   рахунок

об'єднання "обчислювальних елементів", їх одночасної

роботи із загальною або колективною

пам'яттю, у разі

             об'єднання   "обчислювальних   елементів"   в   єдину
             конфігурацію    шляхом    використання     спеціально

призначених технічних засобів.

Це не стосується "електронних збірок", описаних у

пункті 4.A.3.d.

"СТП" = ТП1 + С2 х ТП2 + ... + Сn х ТПn,

де ТПі - теоретична продуктивність "обчислювальних

елементів, упорядкована відповідно до їх значень,

починаючи з ТП1, що має найбільше значення, далі ТП2

i, нарешті, ТПn, що має найменше значення; i = 1,...,

Сi - коефіцієнт, що визначається силою взаємозв'язків

між "обчислювальними елементами"; i = 2,..., n.

У разі множини "обчислювальних елементів", що працюють

одночасно та мають загальну пам'ять:

С2 = С3 = С4 = ... = Сn = 0,75

      Примітки 1. Якщо  "СТП"  обчислена  зазначеним   методом   і

величина її не перевищує 194 мегатопса, Сi може

бути визначено так:

0,75

Ci = ---------, (i = 2,..., n),

де m - кількість "обчислювальних елементів" або

                  груп   "обчислювальних   елементів"   загального

доступу.

Умови:

1. ТПі кожного "ОЕ" або групи "обчислювальних

елементів" не перевищує 30 мегатопсів;

2. Загальний доступ "обчислювальних елементів"

                     або  групи  "обчислювальних   елементів"   до

основної пам'яті (виключаючи кеш-пам'ять)

здійснюється загальним каналом; та

3. Лише один "ОЕ" або група "обчислювальних

                     елементів"  може  використовувати   канал   у

будь-який даний час.

Особлива Зазначене вище не стосується товарів, що підлягають

примітка контролю за розділом 3.

                  2. Вважається,   що   "обчислювальні   елементи"

мають загальну пам'ять, якщо вони адресуються

до загального блоку твердотільної пам'яті. Ця

пам'ять може включати кеш-пам'ять, оперативну

пам'ять або іншу внутрішню пам'ять. Зовнішня

пам'ять типу дисководів, стрічкопротягувачів

або дисків з довільним доступом сюди не

входить.

      Для   складних   "обчислювальних   елементів"    або    груп

"обчислювальних елементів", що не мають загальної пам'яті і

пов'язані одним або більше каналами передачі даних:

Сi = 0,75 х ki, якщо i = 2,... , 32 (див. примітку нижче)

= 0,60 х ki, якщо i = 33,..., 64

= 0,45 х ki, якщо i = 65,..., 256

= 0,30 х ki, якщо i більше 256),

де ki = min (Si/Kr, 1); та

Кr - нормалізуючий фактор, що дорівнює 20 Мбайт/с;

Si - сума максимальних швидкостей передавання даних (у

Мбайт/с) для всіх інформаційних каналів, які пов'язують i-ий "ОЕ"

або групу "обчислювальних елементів", що мають загальну пам'ять.

Рівень Сi базується на номері "ОЕ", але не на номері вузла.

Якщо обчислюється Сi для групи "обчислювальних елементів",

то номер першого "ОЕ" в групі визначає власну межу для Сi.

 Наприклад,  в  конфігурації  груп,   що   складаються   з   трьох

"обчислювальних елементів", кожна 22-га група буде містити

"ОЕ"64, "ОЕ"65, "ОЕ"66. Власна межа для Сi для цих груп дорівнює

0,60.

      Конфігурація    "обчислювальних    елементів"    або    груп

"обчислювальних елементів" може бути визначена від найшвидшого до

найповільнішого, тобто:

ТП1

>= ТП2

>= .....

>= ТПn та у разі, коли ТПі = ТПі+1, від

найбільшого до найменшого, тобто:

Сi

>= Сi+1

Примітка k1 - фактор не стосується

"обчислювальних елементів"

від 2 до 12, якщо ТПі, СЕ або групи "обчислювальних

             елементів"  понад  50  мегатопсів,   тобто   Сi   для

"обчислювальних елементів" від 2 до 12 дорівнює

0,75.

*                   Розділ 5. Частина 1. ЗВ'Я30К                 *
******************************************************************
*   Номер   *         Найменування продукції        * Код товару *
*   пункту  *                                       * за ТН ЗЕД  *

5. Частина 1. - ЗВ'Я30К

Примітки 1. У цьому розділі визначається статус

                контролю      за       компонентами,
                "лазерами",    випробувальним     та

"виробничим" обладнанням,

                "програмним     забезпеченням"     і

матеріалами, спеціально призначеними

                для  використання  у   системах   та

обладнанні зв'язку.

             2. "Цифрові    комп'ютери",     супутнє
                обладнання      або       "програмне

забезпечення", яке є суттєвим для

використання і підтримки засобів

зв'язку, зазначених у цьому розділі,

                розглядаються     як      спеціально

призначені компоненти за умови, що

вони є стандартними моделями, які

звичайно постачаються виробником. Це

                включає   розроблення,   управління,
                використання       або       рекламу

комп'ютерних засобів або систем.

5.A.1. СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І КОМПОНЕНТИ

5.A.1.a. Обладнання зв'язку будь-якого типу, що з 8517

 [5A001]     має   будь-яку   з   наведених    нижче  з 8525
             характеристик,     властивостей     або

функцій:

1. Спеціально призначені для захисту з 8527

                від   транзисторного    електронного з 8543
                ефекту     або     електромагнітного
                імпульсу,  що  виникають   під   час

ядерного вибуху;

2. Спеціально розроблені з підвищеною

стійкістю до гама-, нейтронного або

іонного випромінювання; або

             3. Спеціально      призначені       для

функціонування за межами інтервалу

температур від 218 К (-55 град. C)

до 397 К (124 град. C);

 Примітки    1. За   пунктом   5.A.1.a.3    підлягає
                контролю       лише       електронне

обладнання.

2. За пунктами 5.A.1.a.2 та 5.A.1.a.3

контролю не підлягає обладнання,

                призначене  або   модифіковане   для

використання на супутниках зв'язку.

 5.A.1.b.    Системи   та   обладнання   зв'язку   і  з 8517

спеціально призначені компоненти та з 8525

супутнє обладнання, що мають будь-яку з з 8527

наведених нижче характеристик, функцій з 8543

або особливостей:

Примітка До обладнання зв'язку належать:

a. Апаратура, що визначається за однією

з наведених нижче категорій або їх

комбінацій:

1. Радіоапаратура (наприклад,

                   передавачі,      приймачі      та

радіостанції);

2. Кінцева апаратура ліній;

3. Апаратура проміжних підсилювачів;

4. Ретрансляційна апаратура;

                5. Апаратура      ретрансляції     з

відновленням сигналу

(регенерації);

6. Трансляційні кодери

(транскодери);

7. Апаратура ущільнення (разом із

статистичним);

8. Модулятори/демодулятори (модеми);

9. Трансмультиплексна апаратура

(ССІТТ, Рекомендація G.701);

10. Обладнання цифрової комутації з

"вмонтованим програмним

керуванням";

11. "Шлюзи" та мости;

12. "Пристрої доступу до середовища

зв'язку"; та

             b. Апаратура,      призначена       для
                використання  в   одноканальних   чи
                багатоканальних    лініях    зв'язку

будь-яким з наведених нижче шляхів:

1. Провідник (лінії);

2. Коаксіальний кабель;

3. Волоконно-оптичний кабель;

4. Електромагнітне випромінювання;

або

5. Поширення акустичних хвиль під

водою.

5.А.1.b. 1. Використовують цифрові технології, 851740000

                включаючи    обладнання    цифрового  851781900
                оброблення   аналогових    сигналів,  851782000

призначене для функціонування при 852510900

"швидкості цифрової передачі" на 852520900

верхній межі ущільнення понад 45 852692900

Мбіт/с або із "загальною швидкістю 854380900

цифрової передачі" понад 90 Мбіт/с;

 Примітка    За   пунктом   5.A.b.1    контролю   не
             підлягає     обладнання,     спеціально
             призначене  для   супутникових   систем

цивільного призначення.

 5.A.1.b.    2. Системи  підводного   зв'язку,   які

мають будь-яку з наведених нижче

характеристик:

                a. Частота    акустичної     несучої  851850900

частоти перевищує межі діапазону

від 20 кГц до 60 кГц;

b. Використання частоти 852520900

електромагнітної несучої нижче 30

кГц; або

c. Використання пристроїв керування 852520900

електронним випромінюванням;

3. Обладнання, яке містить будь-що з

наведеного нижче:

a. "Контролери доступу до мережі" та 852520900

                   пов'язані   з   ними   загальними  854380900
                   засоби,   що   мають   "швидкість
                   цифрової  передачі"   понад   156

Мбіт/с; або

b. "Контролери каналів зв'язку" з 851730000

                   цифровим   виходом,   які   мають  854380900

"швидкість передачі даних" понад

2,1 Мбіт/с на канал;

 Примітка    Якщо   обладнання   зв'язку,   яке   не

підлягає контролю, містить "контролери

доступу до мережі" з параметрами,

зазначеними у пункті 5.A.1.b.3, то

             його   переміщення   здійснюється    за

дозволом Держекспортконтролю.

 5.A.1.b.    4. Обладнання,     що      використовує  852510900

"лазери" і має буль-яку з наведених 852520900

нижче характеристик:

                a. Довжина      хвилі      оптичного  852510900
                   випромінювання   "лазера"   понад  852520900

1000 нм; або

b. Використовують аналогові

                   технології   та    мають    смугу

пропускання понад 45 Мгц;

 Примітка    За  пунктом  5.A.1.b.4.b   контролю  не
             підлягають    комерційні    телевізійні

системи.

c. Використовують методи когерентної 852510900

                   оптичної       передачі       або  852520900

когерентного оптичного

детектування (також відомі як

оптичні гетеродинні чи гомодинні

методи);

d. Використовують методи ущільнення

852510900

з розподілом за довжиною хвилі; 852520900

або

e. Здійснюють "оптичне підсилення"; 852510900

852520900

5. Радіоапаратура, яка функціонує на 852510900

                частотах   вхідного   чи   вихідного  852520900

сигналу понад 31 ГГц;

 Примітка    За  пунктом  5.A.1.b.5    контролю   не

підлягає обладнання, призначене або

модифіковане для роботи у будь-якому

діапазоні частот Міжнародного союзу

електрозв'язку (ITU).

             6. Радіоапаратура,   яка   використовує  852510900

будь-які з наведених нижче методів: 852520900

a. Методи квадратурної амплітудної 854380900

                   модуляції   (QAM)   з   кількістю

рівнів понад 4, якщо "загальна

                   швидкість   цифрової    передачі"

перевищує 8,5 Мбіт/с;

b. Методи квадратурної амплітудної

                   модуляції   (QAM)   з   кількістю

рівнів понад 16, якщо "загальна

                   швидкість   цифрової    передачі"

дорівнює або менше 8,5 Мбіт/с;

або

c. Інші методи цифрової модуляції,

                   що       мають       "спектральну

ефективність" понад 3 біт/с/Гц.

 Примітки    1. За пунктом  5.A.1.b.6   контролю  не

підлягає обладнання радіозв'язку,

                спеціально      призначене       для

використання у будь-якій

                супутниковій     системі     зв'язку

цивільного призначення.

2. За пунктом 5.A.1.b.6 контролю не

підлягає радіорелейне обладнання,

                призначене   для   використання    у

діапазоні частот Міжнародного союзу

електрозв'язку (ITU) і має будь-що з

наведеного нижче:

               a. 1. Робочу    частоту,    яка    не

перевищує 960 М Гц; або

2. "Загальну швидкість цифрової

передачі", яка не перевищує 8,5

Мбіт/с; та

b. "Спектральну ефективність", яка

не перевищує 4 біт/с/Гц.

 5.A.1.b.7.  Радіоапаратура,   яка   функціонує    в  852520900

діапазоні частот від 1,5 МГц до 87,5 854380900

МГц і має будь-яку з наведених нижче

характеристик:

a. Наявність адаптивних пристроїв, що

                забезпечують   приглушення   сигналу

перешкод більш ніж на 15 дБ; або

b. Має все з наведеного нижче:

                1. Автоматичне    прогнозування   та
                   вибір    значень    частот    для

оптимізації "загальної швидкості

цифрової передачі"; та

2. Наявність лінійного підсилювача 852510900

потужності, здатного одночасно 852520900

підтримувати множину сигналів з

вихідною потужністю 1 кВт чи

більше в частотному діапазоні від

1,5 МГц до 30 МГц або 250 Вт або

більше в частотному діапазоні від

30 МГц до 87,5 МГц, при "смузі

пропускання" понад одну октаву

або більше і з вмістом гармонік

та спотворювань на виході не

більш як -80 дБ;

             8. Радіоапаратура,   яка   використовує
                методи     "розширення      спектра"

(шумоподібні сигнали) або методи

"швидкого переналагодження частоти"

(стрибкоподібної перебудови частоти)

і має будь-яку з наведених нижче

характеристик:

a. Наявність кодів розширення, що 852520900

мають можливість програмування

користувачем; або

                b. Загальна  ширина   смуги   частот  852520900

передачі, яка в 100 і більше

                   разів  перевищує   смугу   частот

одного інформаційного каналу і

становить понад 50 кГц;

Примітки 1. За пунктом 5.A.1.b.8.b контролю не

підлягає обладнання для стільникових

систем радіозв'язку, яке функціонує

у межах смуг радіочастот цивільного

призначення.

2. За пунктом 5.A.1.b.8 контролю не

підлягає обладнання, призначене для

експлуатації при вихідній потужності

1,0 Вт або менше.

3. Обладнання зв'язку, що функціонує у

межах смуг радіочастот військового

призначення підлягає контролю за

                Списком     товарів      військового
                призначення,   міжнародні   передачі

яких підлягають державному контролю,

затвердженого постановою Кабінету

Міністрів України від 8 грудня 1997

р. N 1358

4. Межі смуг радіочастот цивільного та

військового призначення визначені у

Національній таблиці розподілу смуг

радіочастот України, затвердженій

                постановою    Кабінету     Міністрів

України від 12 жовтня 1995 р. N

803.

 5.A.1.b.    9. Радіоприймачі       з       цифровим  з 8527

керуванням, які мають усі наведені

нижче характеристики:

a. Число каналів понад 1000;

b. Мають "час перемикання частоти"

менше 1 мс;

c. Здійснюють автоматичний пошук або

сканують частину

електромагнітного спектра; та

d. Ідентифікують прийнятий сигнал

або тип передавача; або

 Примітка    За  пунктом  5.A.1.b.9    контролю   не
             підлягають     радіообладнання      для

стільникових систем радіозв'язку, яке

функціонує у межах смуг радіочастот

цивільного призначення.

            10. Виконує      функції       цифрового  852520900
                "оброблення      сигналів",      які  854380900

забезпечують цифрове кодування мови

зі швидкістю менш як 2400 біт/с.

5.A.1.c. Комутаційне обладнання з "вмонтованим

             програмним   керуванням"   і    системи

сигналізації до них, що мають будь-яку

             з   наведених   нижче    характеристик,

функцій або ознак, а також спеціально

             призначені  для   них   компоненти   та

допоміжне обладнання (аксесуари):

Примітка Статистичні мультиплексори з цифровим

             входом   та   цифровим   виходом,    що
             здійснюють      функції      комутації,
             розглядаються    як    комутатори     з

"вмонтованим програмним керуванням".

1. "Системи сигналізації по загальному 854380900

                каналу",  що   працюють   в   режимі

незв'язаного сигнального каналу або

в режимі квазізв'язаного сигнального

каналу;

2. "Динамічна адаптивна маршрутизація" 851730000

                потоків    інформаційного     обміну  854380900

(даних);

 Примітка    За  пунктом  5.A.1.c.2    контролю   не

підлягають комутатори пакетів, каналів

та маршрутні комутатори з портами чи

             каналами,  що   не   перевищують   меж,

зазначених у пункті 5.A.1.c.3.

5.A.1.c. 3. Комутатори

пакетів,   каналів   та  854380900

маршрутні комутатори з портами або

каналами, параметри яких перевищують

будь-який з наведених нижче:

a. "Швидкість передачі даних" 2,1

Мбіт/с на канал для "контролера

каналу зв'язку"; або

 Примітка    За  пунктом  5.A.1.c.3.a   контролю  не

підлягають комутатори складених ліній

             зв'язку,  що   складаються   тільки   з
             каналів  зв'язку,  кожен  з   яких   не
             підлягає  контролю   індивідуально   за

пунктом 5.A.1.c.3.a.

b. "Швидкість цифрової передачі" 156

Мбіт/с для "контролера доступу до

мережі" та пов'язаного з ним

загального середовища;

4. "Оптична комутація"; 854380900

5. Використовують методи "асинхронного 854380900

режиму передачі" (АТМ).

 5.A.1.d.    Волоконно-оптичні    кабелі    зв'язку,  854470000

оптичні волокна і спеціально призначені 900110100

             для   них   компоненти   та   допоміжне  900110900

обладнання, наведене нижче: 900190900

1. Волоконно-оптичні кабелі або оптичні

волокна завдовжки понад 50 м, які

мають будь-яку з наведених нижче

характеристик:

a. Призначені для функціонування в

одномодовому режимі; або

b. Для оптичних волокон, обумовлених

виробником як здатних витримувати

під час контрольних випробувань

механічну напругу 2 х 10 в ступ.

9 Н/кв. м або більше.

Технічна Контрольні випробування: перевірка на

 примітка    стадіях    виготовлення    або    після

виготовлення полягає у прикладанні

заданої напруги до волокна завдовжки

від 0,5 до 3 м на швидкості ходу від 2

до 5 м/с під час проходження волокон

між провідними валами приблизно 150 мм

             у   діаметрі.   При   цьому    зовнішня

навколишня температура становить 293 К

(20 град. C), відносна вологість - 40

відсотків.

Особлива Для виконання контрольних випробувань

примітка можуть застосовуватися інші національні

стандарти.

             2. Волоконно-оптичні     кабелі      та  854470000

допоміжне обладнання, призначені для 900110900

використання під водою. 900190900

 Примітки    1. За пунктом  5.A.1.d.2   контролю  не  901320000
                підлягають    стандартні    цивільні

кабелі зв'язку та супутнє обладнання

до них.

2. Для волоконно-оптичних з'єднувачів

                та    вимірювачів     випромінювання
                контроль   здійснюється   згідно   з

вимогами розділу 8.A.2.c.

5.A.1.e. "Фазовані антенні гратки з електронним з 852910

             скануванням   променю"   та   діаграмою

напрямку, які працюють у діапазоні

частот понад 31 ГГц,

 Примітка    За  пунктом   5.A.1.e    контролю    не

підлягають "фазовані антенні гратки з

електронним скануванням променю" для

систем посадки, оснащених обладнанням

та приладами, що відповідають вимогам

             Міжнародної    організації    цивільної
             авіації     (IСАО)     в     стандартах

мікрохвильових систем посадки (MLS).

5.B.1. ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, КОНТРОЛЮ

І ВИРОБНИЦТВА

 5.B.1.a.    Обладнання  і   спеціально   призначені  з 854380
 [5B001]     компоненти  або  аксесуари  до   нього,  902680
             спеціально        призначені        для  903039
"розроблення",    "виробництва"     або  903089

"використання" обладнання, матеріалів, 903180

             функцій  або   ознак,   що   підлягають

контролю за частиною 1 розділу 5.

(Зв'язок).

 Примітка    За   пунктом   5.B.1     контролю    не
             підлягають    оптичні    волокна     та

"волоконно-оптичні заготовки",

             призначені  для   обладнання,   що   не

використовує напівпровідникові

"лазери".

5.C.1. МАТЕРІАЛИ

5.C.1.a. Заготовки зі скла або будь-яких інших

[5C001] матеріалів, що можуть бути використані

             для   виробництва   оптичних   волокон,

зазначених у пункті 5.A.1.d.

5.D.1. ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ

 5.D.1.a.    "Програмне  забезпечення",   спеціально  з 8524
 [5C001]     призначене    чи    модифіковане    для
             "розроблення",    "виробництва"     або

"використання" обладнання, функцій або

ознак, зазначених у частині 1 розділу 5

(Зв'язок).

 5.D.1.b.    "Програмне  забезпечення",   спеціально  з 8524
             розроблене   або    модифіковане    для

підтримки "технологій", зазначених у

Джерело: Єдиний державний реєстр нормативно-правових актів Міністерства юстиції України · картка акта · текст у реєстрі